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Ulvac公司现已投产的可用于SiC元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC”
针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。
日本UlVAC爱发科，公司现已推出可用于使用SiC晶圆的家电和汽车功率元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC”。吞吐量为30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），“现已得到元件厂商的充分肯定，完全可用于量产”（Ulvac公司）。面向SiC元件量产的离子注入设备“为业界首例”（Ulvac公司），希望得到那些计划2006年以后开始SiC元件量产的功率元件厂商的采用。
可在真空腔中连续更换晶圆
面向SiC元件的离子注入设备过去一直在由各设备厂商进行开发，吞吐量较低，每天仅有几枚，不适合量产。吞吐量之所以较低，是因为无法在腔内连续更换晶圆。与硅晶圆相比，SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷，注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温，在控制结晶缺陷产生的同时，注入离子。过去一直都是手工将晶圆固定在可调温的晶圆座上，因此更换晶圆时需要在腔内进行放气。
此次通过给设备配备可调温的静电吸盘（Electrostatic Chuck），解决了上述问题。静电吸盘就是利用静电作用力，将晶圆吸附到晶圆座上，能够在真空腔内连续更换晶圆。另外，通过采用可在2个晶圆座上配置SiC晶圆的系统结构，能够一边向一个晶圆进行离子注入，一边同时给另一个晶圆座进行升温作业。由此，将吞吐量提高到了30枚/小时这种适用于量产的水平。
实现了支持SiC的高注入能量
此次的设备除吞吐量之外，还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆，注入离子时在使晶圆保持高温的同时，还需要加大注入能量。其原因在于，在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散，因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了最大700keV，达到了量产所要求的水平。
离子注入设备
SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC
搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。
产品特性 / Product characteristics
• 可实现自动连续高温处理注入
• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV
（Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）
• 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能；
（A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）
• 可减轻操作员的负担
• 紧凑式设计
• 可大范围对应从试作到量产的各类需求
产品应用 / Product application
• 对应SiC的离子注入装置。
研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500
中电流离子注入装置IMX-3500为最大能量200keV、对应最大晶圆尺寸8inch的离子注入装置，适用于大学等机构的研究开发。
产品特性 / Product characteristics
• 最大晶圆尺寸8inch，搭载了可对应不定形基板的台板。
• 离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。
• HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。
产品应用 / Product application
• 教育、研究开发等
高能对应离子注入设备SOPHI-400
最大可对应至2400KeV的高能离子注入装置。
产品特性 / Product characteristics
• 枚叶式
• 可对应薄片Wafer
• 平行Beam
产品应用 / Product application
• 功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺
可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30
低加速、高浓度对应的离子注入设备。
产品特性 / Product characteristics
• 枚叶式
• 可对应薄片
• 非质量分离机的对比优点
1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备
2)相比过去约一半的低价
3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计
产品应用 / Product application
• Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺
产品参数 / Product parameters
• 基板尺寸：Max200mm
1年
是
有
技术人员现场培训
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