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Idonus基于高功率LED和高档微透镜阵列的基础上提出了一个 GE MING性的紫外光照系统。
这个产品应用于光刻胶曝光工艺，适用多种基材。光照质量保证了高的同质性的临界尺寸和整个面上的侧壁角。实际上，由于使用了一种完全远心的光学，我们的设计提供了完美的稳定光照条件，即整个表面的高同质性的强度和低的发散角。
可以根据用户需求进行产品开发定制，可以极大缩短您的想法变成产品的时间。
LED BENEFITS优点
目前随着LED技术的发展，紫外LED表现出了比汞光源更大的优势。
● 长寿命LED，测试不需要耗材
● 不需要每天校准，即刻稳定光照
● 有限的发热，这降低了空气冷却费用
● 低功率消耗
● 光源仅仅在曝光时开启（不需要快门）
● 用户可以根据需求进行照射系统定制。
也可以按照用户旧机器的尺寸设计照射系统，以替代旧的机器上的汞灯照射系统。
TYPICAL PERFORMANCES 典型参数
分辨率 ：0.5 μm
光学功率 ：20 to 200 mW/cm2
曝光区域 ：50x50 to 300x300 mm2
光学辐照不均匀性 ： ±2%
ZUI大发散角(FWHM) ：±1.5°to 3°
波长 ：365 / 385 / 405 nm
光谱半宽幅 ：12 nm
设备尺寸 ： 65x30x30 cm3
总功率 ：20 to 1200 W
EXAMPLE SYSTEM SPECIFICATIONS 系统规格举例 | |||
System Type 系统型号 | A | B | C |
Resolution [um] 分辨率 | 2 | 1 | 1 |
Optical power [mW/cm2] 光学功率 | 42 | 152 | 165 |
Exposition area [mm2] 曝光面积 | 80x80 | 100x100 | 300x300 |
Optical irradiance inhomogeneity [%] 光照幅度不均匀性 | ±2 | ±2 | ±2 |
Max divergence angle [°] (Full Width Half Maximum) | ±2.5° | ±1.5° | ±1.5° |
Wavelength [nm] 波长 | 405 | 365 | 385 |
Spectrum half width [nm] 光谱半宽幅 | 12 | 12 | 12 |
System size [cm] 系统尺寸 | 65x30x30 | 65x30x30 | 1100x60x60 |
Power consumption [W] 功耗 | 20 | 180 | 1200 |
1年
是
有
免费提供产品培训及安装
质保期内，供方为检修设备发生的所有费用由供方承担
供方免费质保1年，厂家终身维修并保证零配件供应
若设备发生问题，对相关的技术问题能在24小时内及时进行响应，供方可通过电话、传真
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