EVG Bond Alignment Systems键对准系统
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Bond Alignment Systems键对准系统
1985年，EV Group发明了世界上第一个双面对准系统，彻底改变了MEMS技术，并通过分离对准和键合过程，在对准晶片键合方面树立了全球行业标准。 这种分离导致晶片键合设备具有更高的灵活性和通用性。 EVG的键合对准系统提供了最高的精度，灵活性和易用性以及模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。 EVG键对准器的精度可满足最苛刻的对准过程。
EVG® 610 BA 键对准系统
适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统。
EVG® 620 BA 自动键对准系统
用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于研究和试生产。
EVG®6200∞BA 自动键对准系统
用于晶圆间对准的自动键合对准系统，用于中试和批量生产。
SmartView®NT 自动键对准系统，用于通用对准
全自动键合对准系统，采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准。
EVG®610 BA Bond Alignment System
EVG®610BA 键对准系统
适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统
EVG610键合对准系统设计用于最大200 mm晶片尺寸的晶片间对准。 EV Group的粘结对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。 EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中最苛刻的对准过程。
特征
最适合EVG®501和EVG®510粘合系统
晶圆和基板尺寸最大为150/200 mm
手动高精度对准台
手动底面显微镜
基于Windows®的用户界面;完美的多用户概念（无限数量的用户帐户，各种访问权限，不同的用户界面语言；桌面系统设计，占用空间最小；支持红外对准过程；研发和中试生产线的最佳总拥有成本（TCO）；
EVG610 BA技术数据
常规系统配置：
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法
背面对齐：±2 μm 3σ ； 透明对准：±1 μm 3σ
红外校准：选件
对准阶段
精密千分尺：手动； 可选：电动千分尺
楔形补偿：自动
基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米
厚度：0.1-10毫米；
最高 堆叠高度：10毫米
自动对齐：可选的；
处理系统
标准：2个卡带站
可选：最多5个站
EVG®620 BAAutomated Bond Alignment System
EVG®620BA 自动键对准系统
用于晶圆间对准的自动键合对准系统，用于研究和试生产
EVG620键合对准系统以其高度的自动化和可靠性而闻名，专为最大150 mm晶片尺寸的晶片间对准而设计。
EV Group的键合对准系统具有最高的精度，灵活性和易用性，以及模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。 EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中最苛刻的对准过程。
特征
最适合EVG®501，EVG®510和EVG®520IS粘合系统
支持最大150 mm晶片尺寸的双晶片或三晶片堆叠的键对准
手动或电动对准台
全电动高分辨率底面显微镜
基于Windows®的用户界面
在不同晶圆尺寸和不同键合应用之间快速更换工具
选件
自动对齐
红外对准，用于内部基板键对准
NanoAlign®封装可增强处理能力
可与系统机架一起使用
面罩对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法：背面对齐：±2 μm 3σ； 透明对准：±1 μm 3σ
红外校准：选件
对准阶段： 精密千分尺：手动； 可选：电动千分尺
楔形补偿：自动
基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米
厚度：0.1-10毫米
最高 堆叠高度：10毫米
自动对齐：可选的；
处理系统：标准：3个卡带站； 可选：最多5个站
EVG®6200∞ BA Automated Bond Alignment System
EVG®6200∞BA自动键对准系统
用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于中试和批量生产
EVG粘合对准系统提供了最高的精度，灵活性和易用性，模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。 EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中最苛刻的对准过程。
特征
适用于所有EVG 200 mm粘合系统
支持最大200 mm晶片尺寸的双晶片或三晶片堆叠的键合对准
手动或电动对中平台，带有自动对中选项
全电动高分辨率底面显微镜
基于Windows®的用户界面
选件
自动对齐
红外对准，用于内部基板键对准
NanoAlign®封装可增强处理能力
可与系统机架一起使用
面罩对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法：背面对齐：±2 μm 3σ； 透明对准：±1 μm 3σ
红外校准：选件
对准阶段：精密千分尺：手动； 可选：电动千分尺
楔形补偿：自动
基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米
厚度：0.1-10毫米
最高 堆叠高度：10毫米
自动对齐：可选的；
处理系统
标准：3个卡带站
可选：最多5个站
1年
是
有
技术人员现场培训
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