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超高真空多功能磁控溅射系统是一种用于物理学、电子与通信技术领域的工艺试验仪器，于2010年9月9日启用。
极限真空:系统经48小时连续烘烤抽气后,其极限真空可达≤6.6×10-6Pa(5×10-8Torr)。 系统抽速:从大气开始抽气,在≤30分钟内,离子束室真空度≤6×10-4Pa。 磁控溅射室: 采用离子束溅射室:溅射离子枪引出栅直径Φ80mm，束流控制范围0~150mA；辅助沉积离子枪引出栅直径Φ60mm，束流控制范围0~120mA；样品*大尺寸Φ40mm接收溅射粒子沉积成膜。样品可连续回转；样品加热*高加热温度800℃±1℃。 进样室: 可放置6片(Φ40)样品,可上下升降，可对样品基片加热至850?C。
主要功能
该设备为三室立式结构的超高真空多功能磁控与离子束联合溅射镀膜制备设备，可用于开发纳米级的单层及多层功能膜-各种硬质膜、光学膜、金属膜、半导体膜、磁性薄膜、介质膜和氧化物薄膜等。系统主要由磁控溅射室、磁控溅射靶2英寸4个、直流电源、射频电源、离子束室等组成。该系统具有离子束溅射镀膜、磁控溅射镀膜、样品清洗及退火处理功能，每种沉积方式都有可以间替地对多种材料进行沉积。
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