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多功能磁增强反应离子刻蚀机
设备参数：
刻蚀材料：氧化硅、氮化硅及光刻胶灰化
光刻胶做掩模刻蚀选择比：3:1
不均匀性：<±5%（4英寸）
RF功率：150 W
射频源：13.56 MHz
真空度:10-2Pa
晶片尺寸：*大6 英寸
反应气体： O2、Ar、CHF3、SF6
主要用途：
利用能与被刻蚀材料起化学反应的气体，通过辉光放电使之形成等离子体，对基底表面未被掩蔽部分进行刻蚀。主要用于刻蚀氧化硅、氮化硅材料等，形成微纳米结构。
售后服务
1年
是
有
免费提供技术支持及培训
1年
一年免费维修质保
24小时之内解决客户问题
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