美国 EOT 高速光电探测器(InGaAs/Si/GaAs) 830/1300/2000nm
报价 ¥4444 - 5.56万
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光学元件
- EOT 美国
- InGaAs/Silicon/GaAs
- 大于10 GHz
,
| 名称 | 型号货号 | 描述 | 参数 |
|---|---|---|---|
| 铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 >2 GHz 美国EOT [PDF] | ET-3010 E800406014 | 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC | 带宽(Hz): >2 GHz |
| 铟镓砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT [PDF] | ET-3000 E800406020 | 材料：铟镓砷 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC | 带宽(Hz): >2 GHz |
| 硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT [PDF] | ET-2070 E800406150 | 材料：Silicon； 上升／下降时间：＜3ns／＜3ns； 响应度：0.56A／Ｗ＠830ｎｍ； 带宽：＞118MHz； 有效面积直径：2.55ｍｍ； 输出连接：BNC | 带宽(Hz): 118 MHz |
| 硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT [PDF] | ET-2060 E800406160 | 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３２０ｐｓ／＜３２０ｐｓ； 响应度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１．１ＧＨｚ； 有效面积直径：０．４ｍｍ； 输出连接：BNC | 带宽(Hz): >1.1 GHz |
| 硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 ＞25MＨz 美国EOT [PDF] | ET-2040 E800406170 | 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３０nｓ／＜３０nｓ； 响应度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞２５ＭＨｚ； 有效面积直径：４.５７ｍｍ； 输出连接：BNC | 带宽(Hz): >25 MHz |
| 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT [PDF] | ET-5000F E800406030 | 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 响应度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ； 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接；FC/UPC | 带宽(Hz): ＞10 GHz |
| 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美 国EOT [PDF] | ET-5000 E800406040 | 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 响应度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ； 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接；不适用 | 带宽(Hz): ＞10 GHz |
| 砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT [PDF] | ET-4000F E800406050 | 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ； 响应度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１２．５ＧＨｚ； 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC、SMF28e | 带宽(Hz): ＞12.5 GHz |
| 砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT [PDF] | ET-4000 E800406200 | 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ； 响应度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１２．５ＧＨｚ； 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接c 不适用 | 带宽(Hz): ＞12.5 GHz |
| 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, >22 GHz 美国EOT [PDF] | ET-3600F E800406060 | 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞22ＧＨｚ； 有效面积直径：20ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC、SMF28e | 带宽(Hz): >22 GHz |
| 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, >22 GHz 美国EOT [PDF] | ET-3600 E800406070 | 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞22ＧＨｚ； 有效面积直径：20ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 不适用 | 带宽(Hz): >22 GHz |
| 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500F, >15 GHz 美国EOT [PDF] | ET-3500F E800406082 | 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC；SMF28e | 带宽(Hz): ＞15 GHz |
| 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500AF 美国EOT(已停产下架) [PDF] [有备注] | ET-3500AF E800406090 | 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：1620 V/W ＠1310 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ | 带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz |
| 砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000AF美国EOT [PDF] | ET-4000AF E800406210 | 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：９７０V/W ＠ 850 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ | 带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz |
| 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000AF 砷化镓 (已停产下架) [PDF] | ET-5000AF E800406100 | 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：２３５０ V/W ＠2000 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ | 带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz |
| 砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT [PDF] | ET-4000A E800406220 | 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：1340 V/W ＠ 850 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ | 带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz |
| 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000A 10 GHz 美国EOT [PDF] | ET-5000A E800406110 | 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：3250 V/W ＠2000 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ | 带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz |
| 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500A 美国EOT [PDF] | ET-3500A E800406120 | 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜35ps／＜35ps； 带宽：20 kHz 至 10 GHz； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ | 带宽(Hz): ＞15 GHz |
| 铟镓砷 InGaAs 放大光电探测器 ET-3000A 美国EOT [PDF] | ET-3000A E800406130 | 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜４００pｓ／＜４００ｐｓ； 转换增益：900 V/W ＠1300 nm 带宽：30 kHz to １.５GHz 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：ＢＮＣ | 带宽(Hz): 30 kHz-１.５GHz |
| 硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT [PDF] | ET-2030A E800406182 | 材料：Silicon硅 上升／下降时间：＜５００pｓ／＜５００ｐｓ； 转换增益：450 V/W ＠830 nm 带宽：30 kHz to 1.2 GHz 有效面积直径：４００ｕｍ； 输出连接：ＢＮＣ | 带宽(Hz): 30 kHz-１.2 GHz |
| 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, >15 GHz 美国EOT [PDF] | ET-3500 E800406141 | 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 不适用 | 带宽(Hz): ＞15 GHz |
| 硅 Silicon ET-2030 高速 硅光电探测器 ＞１.２ＧＨｚ 美国EOT [PDF] | ET-2030 E800406190 | 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３００ｐｓ／＜３００ｐｓ； 响应度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１.２ＧＨｚ； 有效面积直径：０.４ｍｍ； 输出连接：BNC | 带宽(Hz): >1.2 GHz |
1年
是
有
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