IONTOF 低能离子散射谱LEIS Qtac

报价 面议

品牌

IONTOF

型号

Qtac

产地

欧洲德国

应用领域

共1个

进口

3He+, 4He+, 20Ne+, 40Ar+, 84Kr+

1,000 ... 8,000 eV

1 pA... 100 nA

4 x 4 mm2

< 15 μm (< 20 μm for He)

< 5 μm

(5 keV 20Ne+散射纯Cu样品) > 75,000 counts / nC

on Cu > 35 (FWHM);on Au > 35 (FWMH) 采用40Ar+

(for Au) < 100 ppm

样本下载

低能离子散射谱 Qtac-100

催化反应一般只发生在材料的最表层。低能离子散射谱(Low-Energy In Scattering ,LEIS)利用具有特定能量的惰性气体离子入射到样品表面,与样品表面的原子进行弹性碰撞。根据弹性散射理论,散射离子的能量分布与表面原子的原子量相关。通过对散射离子能量进行分析,就可以得到表面元素组分及表面结构的信息。低能离子散射谱所获得的信息来自样品的最表层,因而是研究表面成分、表面结构以及表面过程的强有力的手段。

1526451561696922.png1526451574887548.png

ION-TOF公司的Qtac-100型低能离子散射谱仪采用新型离子收集器。

相比传统LEIS系统,灵敏度提高3000倍!


主要特点如下:

1、新型的全方位角离子收集器,可以收集样品表面特定区域的几乎全部反射离子。

2、超高的表面灵敏度,信息深度一般在3个原子层之内。

3、良好的定量特性。

4、离子源可以工作在高束流模式和分析模式之间切换,可以对样品进行清洁和溅射。

5、自动化的真空系统、完善的互锁装置,使操作更简单

6最表层原子定量分析。


低能离子散射谱(LEIS)的一个显著特点就是其超高的表面灵敏度和良好的定量性。相对于其他常见的表面分析手段,例如XPS 、 AES ,它最大的特点是可以把信息深度缩小到单原子层厚度。配合上深度剖析, 则可以实现从表面单原子层成分分布成像,到样品深度方向成分变化等多种测量。


应用:

1、可以与多种生长设备和其他分析设备集成;

2、可用于单原子层沉积过程和生长动力学研究;

3、可用于分析粗糙表面和绝缘材料分析;

4、可用于于材料催化性能研究;

5、可用于生物材料、半导体材料等性能研究。


image.pngQ-tac 应用实例


Q-tac 1.png

Qtac 系统实物




典型用户
用户单位 采购时间
中国科学院山西煤炭化学研究所 2021-04-28
厦门大学 2012-04-17
复旦大学 2018-04-04
清华大学 2021-04-05
售后服务

3年

为实验室操作员免费进行原厂5天安装培训

随巡检安排免费上门检查

免费维修更换零部件(不包含耗材)

7*24h免费电话,电话不能解决的48h内到达用户现场。

查看全部
发布心得活动

暂无评论,点击发布评论

IONTOF 低能离子散射谱LEIS Qtac信息由北京艾飞拓科技有限公司(IONTOF中国代表处)为您提供,如您想了解更多关于IONTOF 低能离子散射谱LEIS Qtac报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。

相关产品