报价 ¥3001 - 9999
一, 850nm TO46保偏光纤耦合VCSEL激光二极管(带TEC)
VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。
850nm TO46保偏光纤耦合VCSEL激光二极管(带TEC),850nm TO46保偏光纤耦合VCSEL激光二极管(带TEC)产品特点:
电学和光学特性对温度的依赖性较低
垂直腔面发射激光器
内部TEC和热敏电阻,ESD保护
窄线宽
2nm可调谐
产品应用:
CPT原子钟
光学相干实验
技术参数 测试条件:温度为25℃
波长 | 850nm±10nm |
保证输出功率 | ≥0.3mW |
阈值电流 | 1.2mA |
工作电流 | 6mA |
工作电压 | 2.1v |
测试输出功率 | 1.2mW |
偏振消光比(PER) | >16dB |
光纤类型 | PMF保偏光纤 |
光纤长度 | >80cm |
接头类型 | FC/APC |
封装类型 | TO46同轴封装 |
引脚定义
安全信息
避免眼睛暴露于直接或散射的辐射中。
必须采取ESD预防措施。
使用恒流电源。避免浪涌电流。
激光二极管必须根据规格要求使用。
激光二极管必须具有良好的冷却效果。
存储温度:-20°C至+80°C
1310 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)封装在带有单模光纤尾纤的紧凑同轴外壳中。VCSEL-1310-SM设计用于光纤传感、激光发射器和光通信应用。它需要非常低的驱动电流,并且可以通过内置TEC实现温度稳定。
1310 nm单模VCSEL 垂直腔面发射激光器(带TEC),1310 nm单模VCSEL 垂直腔面发射激光器(带TEC)产品特点:
电学和光学特性对温度的依赖性较低
从OC-3到OC-48的数据速率
功耗低
产品应用:
长途(>2公里)接入网
城域网
千兆以太网
技术参数:
波长 | 1310nm +/-10nm |
波长调谐范围 | 4 nm |
阈值电流 | 2 mA typ. |
线宽 | 0.1 nm |
正向电压 | 3 V |
串联电阻 | 100 Ω typ. |
输出功率 | 0.5 mW typ. |
SMSR | 35 dB typ. |
上升下降时间 | 100 ps typ. |
监控电流 | 0.1 mA typ. |
调制带宽 | 3 GHz typ |
绝对最大值参数
参数 | 单位 | 最小 | 典型 | 最大 |
存储温度 | ℃ | -40 | 25 | 125 |
芯片温度 | ℃ | +10 | 25 | 40 |
工作电流 | mA | 0 | 3.0 | 5.0 |
正向电压 | V | 0.8 | 3.0 | 4.8 |
TEC 电流 | mA | -150 | - | +300 |
焊接温度* | ℃ | 100 | 130 | 260 |
功耗 | mw | - | - | 5 |
(*TEC 温度必须低于150°C)
光谱图
L-I 曲线(T@25°C)
温度/波长调谐曲线通过TEC电流
封装类型:单位 (mm)
引脚定义
1 | Thermoelectric Cooler (-) | 5 | Thermoelectric Cooler (+) |
2 | Thermistor | 6 | Thermistor |
3 | N/C | 7 | PD Monitor Cathode (+) |
4 | VCSEL Cathode (–) / PD Monitor Anode (-) | 8 | VCSEL Anode (+) |
PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。我们的 850 nm 单模 VCSEL 专为高速、高性能通信应用而设计。
850nm 单模光纤耦合 VCSEL 激光二极管 用于 4.25Gbps 高速通信,850nm 单模光纤耦合 VCSEL 激光二极管 用于 4.25Gbps 高速通信产品特点:
电学和光学特性对温度的依赖性较低
垂直腔面发射激光器
内部TEC和热敏电阻,ESD保护
窄线宽
2nm可调谐
产品应用:
长途电话接入网
局域网
以太网
光电参数 条件:TO P = 20°C, IO P = 10.0 mA除非另有说明(TO P=芯片背面温度,由TEC控制)
参数 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 备注 |
工作波长 | λR | 850nm | ||||
阈值电流 | ITH | 1 | mA | |||
输出功率 | Popt | 0.5 | 1 | mW | ||
阈值电压 | UTH | 1.8 | V | |||
工作电流 | IOP | 3 | mA | Popt = 0.5mW | ||
工作电压 | UOP | 3 | V | Popt = 0.5 mW | ||
光电转换率 | ηWP | 12 | % | Popt = 0.5 mW | ||
斜率效能 | ηS | 0.3 | W/A | |||
上升和下降时间 | Tr /Tf | 90/120 | Psec | |||
微分串联电阻 | RS | 100 | 200 | Ω | Popt = 0.5 mW | |
3dB 调制带宽 | ν3dB | 0.10 | 2.5 | GHz | Popt = 0.5 mW Due to ESD protection diode | |
相对噪声强度 | RIN | -130 | -120 | dB/Hz | Popt = 0.3 mW @ 1 GHz | |
波长电流调谐系数 | 0.6 | nm/mA | ||||
波长温度调谐系数 | 0.06 | nm/K | ||||
热敏电阻(VCSEL chip) | Rthermal | 3 | 5 | K/mW | ||
边模抑制比(SMSR) | 35 | dB | I = 2 mA | |||
光束发散角 | θ | 10 | 25 | ° | Popt = 0.5mW, full width 1/e2 | |
光谱宽度 | 100 | MHz | Popt = 0.5 mW |
Tec 特性 | 单位 | 最小 | 典型 | 最大 | 备注 |
Tec 电流 | mA | -150(Heating) | +300(Cooling) | Proper Heart Sink Required | |
NTC 热敏电阻 | KΩ | 9.5 | 10.0 | 10.5 | T=25℃@10 KΩ |
NTC 热敏电阻 | KΩ | 10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)} |
光谱图
L-I 曲线(T@25°C)
温度/波长调谐曲线@TEC电流
四, 1550nm 单模 VCSEL激光二极管 (用于4.25Gbps高速通信)
PL-VCSEL-1550-0-A81-CPSA 1550nm VCSEL是一种垂直发射MOVPE生长的GaAsP/AlGaAs单模二极管激光器。波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和PD。我们的1550 nm单模VCSEL设计用于高速、高性能通信应用。
1550nm 单模 VCSEL激光二极管 (用于4.25Gbps高速通信),1550nm 单模 VCSEL激光二极管 (用于4.25Gbps高速通信)产品特点:
电学和光学特性对温度的依赖性较低
从OC-3到OC-48的数据速率
垂直腔面发射激光器
内部TEC和热敏电阻,ESD保护
窄线宽
2 nm可调性
产品应用:
长途接入网
局域网
千兆以太网
技术参数:
条件:TO P = 20°C, IO P = 10.0 mA除非另有说明(TO P=芯片背面温度,由TEC控制)
参数 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 备注 |
波长 | λR | 1530-1570nm | ||||
阈值电流 | ITH | 2 | mA | |||
输出功率 | Popt | 0.3 | 0.5 | 0.7 | mW | |
阈值电压 | UTH | 1.8 | V | |||
工作电流 | IOP | 15 | mA | Popt = 0.5mW | ||
工作电压 | UOP | 3 | V | Popt = 0.5 mW | ||
电光转换效率 | ηWP | 12 | % | Popt = 0.5 mW | ||
斜率效率 | ηS | 0.3 | W/A | |||
上升/下降时间 | Tr /Tf | 90/120 | Psec | |||
差分串联电阻 | RS | 100 | 200 | Ω | Popt = 0.5 mW | |
3dB调制带宽 | ν3dB | 0.10 | GHz | Popt = 0.5 mW Due to ESD protection diode | ||
相对强度噪声 | RIN | -130 | -120 | dB/Hz | Popt = 0.3 mW @ 1 GHz | |
波长调谐电流系数 | 0.6 | nm/mA | ||||
波长调谐温度系数 | 0.06 | nm/K | ||||
热敏电阻(VCSEL 芯片) | Rthermal | 3 | 5 | K/mW | ||
SMSR | 35 | dB | I = 2 mA | |||
光束发散角 | θ | 10 | 25 | ° | Popt = 0.5mW, full width 1/e2 | |
线宽 | 100 | MHz | Popt = 0.5 mW |
Tec 特性 | 单位 | 最小 | 典型 | 最大 | 备注 |
Tec 电流 | mA | -150(Heating) | +300(Cooling) | Proper Heart Sink Required | |
NTC 热敏电阻 | KΩ | 9.5 | 10.0 | 10.5 | T=25℃@10 KΩ |
NTC 热敏电阻 | KΩ | 10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)} |
绝对最大值参数
参数 | 单位 | 最小 | 典型 | 最大 |
存储温度 | ℃ | -40 | 25 | 125 |
芯片温度 | ℃ | +10 | 25 | 40 |
工作电流 | mA | 0 | 3.0 | 15.0 |
正向电压 | V | 0.8 | 1.2 | 1.8 |
TEC 电流 | mA | -150 | - | +300 |
焊接温度* | ℃ | 100 | 130 | 260 |
功耗 | mw | - | - | 5 |
(*TEC 温度必须低于150°C)
光谱图
L-I 曲线(T@25°C)
1年
是
有
我司实验室可进行培训
1年内
免费更换零件 调试等
约定时间内进行维修调试
相关产品