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InGaAs 线阵图像传感器G14237-512WA
近红外传感器（0.85 至 1.45 μm）
G14237-512WA 是一款 InGaAs 线阵图像传感器，设计用于使用 1064 nm 激光器进行拉曼光谱测量。该产品专为测量拉曼光谱范围而设计，截止波长相比前代产品 (G11508-512SA) 有所减小，以实现低暗电流。该产品由 InGaAs 光电二极管阵列和 CMOS 芯片组成，包含电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和时序发生电路。电荷放大器由 CMOS 晶体管阵列组成，并连接到 InGaAs 光电二极管阵列的每个像素。每个像素的信号都在电荷积分模式下读出，在近红外区域实现了高灵敏度和稳定操作。采用密封封装，可靠性极佳。可使用外部电压将 CMOS 芯片上的信号处理电路设定为四种转换效率 (CE) 设置之一。
特点
低噪声，极低暗电流[1/10 or less than that of the previous product (cutoff wavelength: 1.7 μm)]
有四种转换效率可供选择
内置抗饱和电路
内置 CDS 电路
内置热敏电阻
操作方便（内置时序发生电路）
高分辨率：像素间距 25 μm
详细参数
| 影像尺寸 | 12.8 x 0.5 mm |
| 像素尺寸 | 25 x 500 μm |
| 像素间距 | 25 μm |
| 像素总数 | 512 像素 |
| 封装 | 金属 |
| 散热 | 两级电子冷却型 |
| 行速率（最大值） | 9150 行/秒 |
| 灵敏度波长范围 | 850 至 1450 nm |
| 暗电流（最大值） | 2 pA |
| 测量条件 | 除非另有说明，典型值 Ta = 25°C，Vdd = 5 V，INP = Vinp = PDN = 4 V，Fref = 1.2V，Vclk = 5V，f = 1 MHz，CE = 16 nV/e- |
光谱灵敏度特性
外形尺寸图（单位：mm）
1年
否
无
电话指导
无
免费检测维修
电话联系，邮寄返修
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