材料介电常数介质损耗测试仪HRJD技术参数:
1.Q值测量
a.Q值测量范围:2~1023。
b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。
c.标称误差
频率范围(100kHz~10MHz): 频率范围(10MHz~160MHz):
固有误差:≤5%±满度值的2% 固有误差:≤6%±满度值的2%
工作误差:≤7%±满度值的2% 工作误差:≤8%±满度值的2%
2.电感测量范围:4.5nH~7.9mH
3.电容测量:1~205
主电容调节范围:18~220pF
准确度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%
注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明
4. 信号源频率覆盖范围
频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,
CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,
5.Q合格指示预置功能: 预置范围:5~1000。
6.B-测试仪正常工作条件
a. 环境温度:0℃~+40℃;
b.相对湿度:<80%;
c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
存在界面极化时,自由离子的数目随电场下,只要电介质中不出现局部放电,电容率和介质损耗因数与电场强度无关.
电容器温度系数 ≤ 3×10-5 /℃
电容器压力系数 ≤ 3×10-3Mpa
电容器的损耗角正切值不大于 1×10-5 、2×10-5 、5×10-5 三档。
电容器内充SF6气体。在20℃时 压力为0.4±0.1Mpa
RY2电极
材料介电常数介质损耗测试仪HRJD电桥测量灵敏度
电桥在使用过程中,灵敏度直接影响电桥平稳衡的分辨程度,为保证测量准确度,希望电桥灵敏度达到一定的水平。通常情况下电桥灵敏度与测量电压,标准电容量成正比。
在下面的计算公式中,用户可根据实际情况估算出电桥灵敏度水平,在这个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。
ΔC/C或Δtgδ=Ig/UωCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中: U 为测量电压 伏特 (V)
ω为角频率2πf=314(50Hz)
Cn标准电容器容量 法拉(F)
Ig通用指零仪的电流5×10-10 安培(A)
Rg平衡指零仪内阻约1500 欧姆(Ω)
R4桥臂R4阻值3183 欧姆(Ω)
Cx被测试品电容值 法拉(pF)
材料介电常数介质损耗测试仪HRJD特点:
1 优化的测试电路设计使残值更小
2 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术
3 LED 数字读出品质因数,手动/自动量程切换
4 自动扫描被测件谐振点,标频单键设置和锁定,大大提高测试速度
材料介电常数介质损耗测试仪HRJD使用方法
高频Q表是多用途的阻抗测量仪器,为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。
1.测试注意事项
a.本仪器应水平安放;
b.如果你需要较准确地测量,请接通电源后,预热30分钟;
c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;
d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;
e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;
f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。
计算公式
Cx=R4× Cn / R3 R4[Ω] R3[Ω] Cn[pF] Cx[pF]
tgδ=ω·R4·C4 R4[Ω] C4[F]
当R4=10K/π
tgδ=C4
当R4=1K/π
tgδ=0.1C4
我们采取相对固定R4电阻,分别调节R3和C4使桥跟平衡,从而测得试品的电容值Cx和介质损耗tg。本电桥为了直读出损耗值,取电阻R4的阻值为角频率(f=50Hz)若干倍。
正常工作条件
a. 环境温度:0℃~+40℃;
b.相对湿度:<80%;
c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
d.消耗功率:约25W;
e.净重:约7kg;
f. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
材料介电常数介质损耗测试仪HRJD特点:
1 优化的测试电路设计使残值更小
2 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术
3 LED 数字读出品质因数,手动/自动量程切换
4 自动扫描被测件谐振点,标频单键设置和锁定,大大提高测试速度
使用方法
高频Q表是多用途的阻抗测量仪器,为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。
1.测试注意事项
a.本仪器应水平安放;
b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟;
c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;
d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;
e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;
f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。
2.高频线圈的Q值测量(基本测量法)
电感:
线圈号 测试频率 Q值 分布电容p 电感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz,50MHz 233,211 0.9 0.125μH
陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外,表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。
在结构紧密的陶瓷中,介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能,往往在配方中引人此易熔物质(如黏土),形成玻璃相,这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大,介质损耗也增大。因面一般高频瓷,如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大,主要的原因是:主晶相结构松散,生成了缺固济体、多品型转变等。
漏导损耗
实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质,在外电场的作用下,总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流,这种微小电流称为漏导电流,漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷,或多或少存在一些带电粒子或空位,因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。
介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。
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