多功能磁控溅射仪( 高真空磁控溅射镀膜机)是用磁控溅射的方法,制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等;适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜;可镀制磁性材料和非磁性材料。
设备关键技术特点
秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念,我们做了如下设计和工程实现,实际运行效果良好,为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。
靶材背面和溅射靶表面的结合处理
-靶材和靶面直接做到面接触是很难的,如果做不到面接触,接触电阻将增大,导致离化电场的幅值不够(接触电阻增大,接触面的电场分压增大),导致镀膜效果不好;电阻增大导致靶材发热升温,降低镀膜质量。
-靶材和靶面接触不良,导致水冷效果不好,降低镀膜质量。
-增加一层特殊导电导热的软薄的物质,保证面接触。
采用计算机+PLC 两级控制系统
角度、距离可调
磁控溅射靶头可调角度,以便针对不同尺寸基片的均匀性,做精*准调控。
基片和靶材之间的距离可调整,以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
集成一体化柜式结构
一体化柜式结构优点:
安全性好(操作者不会触碰到高压部件和旋转部件)
占地面积小,尺寸约为:长1100mm×宽780mm(标准办公室门是800mm宽)(传统设备大约为2200mm×1000mm),相同面积的工作场地,可以放两台设备。
安全性
-电力系统的检测与保护
-设置真空检测与报警保护功能
-温度检测与报警保护
-冷却循环水系统的压力检测和流量
-检测与报警保护
匀气技术
工艺气体采用匀气技术,气场更均匀,镀膜更均匀。
基片加热技术
采用铠装加热丝,由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内,所以高温加热过程中不释放杂质物质,保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里,保证温常的均匀,然后再对基片加热。
真空度更高、抽速更快
真空室内外,全部电化学抛光,完全去除表面微观毛刺丛林(在显微镜下可见),没有微观藏污纳垢的地方,腔体内表面积减少一倍以上,镀膜更纯净,真空度更高,抽速更快。
高真空磁控溅射仪(磁控溅射镀膜机)设备详情
设备结构及性能
1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室+进样室、镀膜室+手套箱
2、磁控溅射靶数量及类型:1 ~ 6 靶,圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
4、磁控溅射靶:射频、中频、直流脉冲、直流兼容
5、基片可旋转、可加热
6、通入反应气体,可进行反应溅射镀膜7、操作方式:手动、半自动、全自动
7、样品传递采用折叠式超高真空机械手
工作条件
类型 | 参数 | 备注 |
---|---|---|
供电 | ~ 380V | 三相五线制 |
功率 | 根据设备规模配置 | |
冷却水循环 | 根据设备规模配置 | |
水压 | 1.5 ~ 2.5×105Pa | |
制冷量 | 根据扇热量配置 | |
水温 | 18~25℃ | |
气动部件供气压力 | 0.5~0.7MPa | |
质量流量控制器供气压力 | 0.05~0.2MPa | |
工作环境温度 | 10℃~40℃ | |
工作湿度 | ≤50% |
设备主要技术指标
-基片托架:根据供件大小配置。
-基片加热器温度:根据用户供应要求配置,温度可用电脑编程控制,可控可调。
-基片架公转速度 :2 ~100 转 / 分钟,可控可调;基片自转速度:2 ~20 转 / 分钟。
-基片架可加热、可旋转、可升降。
-靶面到基片距离: 30 ~ 140mm 可调。
-Φ2 ~Φ4 英寸平面圆形靶 2 ~ 3 支,配气动靶控板,靶可摆头调角度。
-镀膜室的极限真空:6X10-5Pa~6X10-6Pa,恢复工作背景真空 7X10-4Pa ,30 分钟左右(新设备充干燥氮气)。
-设备总体漏放率:关机 12 小时真空度≤10Pa。
关于鹏城半导体
鹏城半导体技术(深圳)有限公司(简称:鹏城半导体),由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。
公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。
公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。
公司已投放市场的部分半导体设备
磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机,离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机
MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机
分子束外延系统(MBE)、激光分子束外延系统(LMBE)
金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉
团簇式太阳能薄膜电池中试线
团队部分业绩分布
完全自主设计制造的分子束外延(MBE)设备,包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪(反射高能电子衍射仪)、直线型电子枪、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。
设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用,至今仍在正常使用。
设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统,应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。
设计制造了金刚石薄膜制备设备,应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。
设计制造了全自动磁控溅射设备,可加水平磁场和垂直磁场,自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。
设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。
设计制造了MOCVD及合金退火炉,用于GaN和ZnO的外延生长,实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。
设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。
设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。
团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累
2001年 与南昌大学合作
设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延GaN和ZnO。
2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作
设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备,用于外延光电半导体材料。
2006年 与中国科技大学合作
设计超高温CVD 和MBE。
用于4H晶型SiC外延生长。
2007年 与兰州大学物理学院合作
设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)。
2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室合作
设计制造了金刚石薄膜制备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。
2017年
-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计。
-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备,目前正在进行设备工艺验证。
2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。
2021年 MBE生产型设计。
2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备(≥Φ6英寸)。
2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。
根据产品说明而定
否
有
根据产品说明而定
根据产品说明而定
根据产品说明而定
根据产品说明而定
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