实验型加热炉主要适用于科研单位、高等院校、研究机构及企业。供大规模集成电路、MEMS生产线用做6硅片的合金、氧化、退火、烧结、扩散等工艺使用。同时也可下沉工艺,完成4寸wafer的相应工艺。
主要技术指标:
炉管数:1~4管
配工艺管口径:Φ90~360 mm (3~12英寸)
恒温区长度: 760~1000 mm±1.0℃ (300~800℃) 760~1000 mm±0.5℃(800~1280℃)
单点稳定性: ±1.0℃/24h (300~800℃) ±0.5℃/24h (800~1280℃)
气源路数: ≤7路
气体控制: 浮子/质量流量计
悬臂舟参数: 速度: 20~1000 mm/min 行程:2000 mm 定位精度:±1 mm 载荷:17 Kg
超净工作台: 净化等级:100级(万级厂房)
噪音: ≤62dB(A)
振动: ≤3μm
控制系统:整机控制系统采用工业控制计算机
晨立扩散炉设备,技术和质量已达国际水平,受到半导体设备制造企业和半导体行业高度关注.可完全替代国外同规格产品满足不同工艺的要求。
90天
12月
安装调试现场免费培训;提供付费培训
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