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VERIC O6151A 碳化硅高温氧化炉
1、适用于碳化硅栅氧制备的氧化设备
Oxidation equipment suitable for SiC gate oxygen preparation
2、最高温度 1500℃，优异的温区均匀性
Max.temp 1500℃, excellent flat uniformity
3、石墨电阻加热，工艺腔室洁净
Graphite resistance heating, high cleanliness chamber
4、自动装片，Cassette to Cassette
Automatic loading, cassette to cassette
5、SEMI S2/S6 认证
SEMI S2/S6 certification
技术参数
1、晶圆尺寸 4/6 英寸兼容
2、适用材料 碳化硅
3、适用工艺 干氧氧化 、湿氧、Ar/N2 退火、NO/N2O 退火、H2 退火、DCE 清洗
4、适用领域 科研、化合物半导体
售后服务
60天
1年
安装调试现场免费培训
碳化硅高温氧化炉信息由深圳市矢量科学仪器有限公司为您提供，如您想了解更多关于碳化硅高温氧化炉报价、型号、参数等信息，深圳市矢量科学仪器有限公司客服电话：400-860-5168转5919，欢迎来电或留言咨询。
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