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GDE C200系列 高密度刻蚀机
1、独特的等离子体源和频率设计，等离子体密度高，适用于强键合材料刻蚀
Unique plasma source and frequency design, high density plasma design for etching of strongly bonded materials
2、业界领先的刻蚀速率、刻蚀均匀性、PM 周期
High etch rate, better uniformity, longer MTBC
3、应用领域广泛，包括功率器件、滤波、射频和光电等领域的多种材料刻蚀
Multiple applications, including Power Device, Filter, RF and Photoelectric
4、工艺种类多样，包括碳化硅刻蚀、铝钪氮刻蚀、PZT 刻蚀、砷化镓刻蚀、铌酸锂刻蚀、氮化硅刻蚀、 磷化铟刻蚀
Variety process, including SiC Etch, AlScN Etch, PZT Etch, GaAs Etch, VSCEL Etch, SiN Etch, InP Etch
5、灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用
Flexible system configuration, suitable for different applications such as R&D, pilot line and mass production
6、适配多种终点检测方法
Suitable for multiple OES
技术参数
1、晶圆尺寸 8 英寸及以下
2、适用材料 碳化硅、氮化硅、铝钪氮、钼、铝氮、锆钛酸铅、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、介质
3、适用工艺 碳化硅通孔刻蚀、碳化硅栅槽刻蚀、钼-铝氮/铝钪氮刻蚀、砷化镓背孔工艺、 光波导工艺等多种材料刻蚀工艺
4、适用领域 新兴应用、集成电路、化合物半导体、科研
60天
1年
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