HORIBA EV 2.0 OES 等离子体发射终点光谱仪

报价 面议

品牌

HORIBA

型号

EV 2.0

产地

欧洲法国

应用领域

暂无

EV-2-0-Endpoint-and-Chamber-Health-Monitor-Picture1.jpg

EV 2.0 专用于单腔室或多腔室配置下的光发射光谱(OES)或多波长干涉测量(INT)终点过程实时监测,主要应用于干法蚀刻、等离子清洗和等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)等半导体工艺的先进终点控制、故障检测或腔室健康监测,为各种半导体原始设备制造商(OEM)和最终用户应用定制,包括具有自动终点配方创建功能的工艺工程,以及执行完整终点和过程质量管理的机上处理。


产品特色

- Sigma_P 软件

Sigma_P 软件允许快速配置配方,然后创建可靠的终点检测。



通过基于 Windows 10 的软件平台,直观的用户交互设计允许处理光谱或直接处理波长。该软件包含一个具有等离子体发射波长的开放库。用户可使用配方编辑器构建有效的配方,包括多波长算法、信号算法和过滤,以及终点/健康监测条件和决策,并集成在线帮助。同一界面最多可显示 8 条曲线,同时监测特定种演变、终点和腔室健康。




OES 配方编辑器 2.0

为简化 OES 工程流程,无监督 AI 机器学习可简化 OES 工程并创建强终点配方。制程工程师只需设置4 个参数:时间窗口、波长范围、断裂方向和阈值。然后,配方编辑器允许自动提取包含原谱、等离子体变化特征(如实现的接口、杂质检测、发现的终点等)的相关波长, 随后,一个终点配方被自动构建并一键传送到 Sigma_P。



用于干涉测量的动力学建模器

通过材料结构(每层由其材料、厚度和蚀刻/沉积速率来表征)和所用波长得到的理论干涉曲线。



可选配置


-多种配置选配:三种不同的软件包

-从低分辨率到高分辨率的多种光谱仪

-管理光发射光谱或多波长干涉测量诊断的多种配置

-管理单腔室或多腔室(最高 6 个处理室)的多种配置


应用方向


-等离子干法蚀刻和沉积的监测:数据采集、分析、比较(使用内部发射光谱库)、制程识别、一致性控制

-先进终点制程控制:全自动终点、批间控制、故障检测分类、健康监测系统,以提高半导体制造的成品率和生产率

-终点判断:晶圆批间控制、接口检测、制程一致性、低开口区域、减少过刻、生产再现性、良率提升

-腔室健康:湿法清洗周期中的腔室、制程稳定性控制、等离子体光谱监测、工艺漂移、趋势分析、预防性维护、腔室气体纯度控制和泄漏检测、故障分析

-清洗过程


技术指标


EV2.0数据.png




查看全部
发布心得活动

暂无评论,点击发布评论

HORIBA EV 2.0 OES 等离子体发射终点光谱仪信息由HORIBA(中国)为您提供,如您想了解更多关于HORIBA EV 2.0 OES 等离子体发射终点光谱仪报价、型号、参数等信息,HORIBA客服电话:400-860-3611,欢迎来电或留言咨询。

相关产品