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本部分代替GB/T 13542-1992《电气用塑料薄膜一般要求》,
本部分与GB/T 13542-1992相比主要差异如下:
1)将“引用标准”改为“规范性引用文件”
2)定义3.1.1中“偏斜”改为“偏移/弧形”。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为:
GB/T13542-1992。
6.1薄膜应进行出厂检验和型式检验。
6.2型式检验项目为产品标准中技术要求规定的全部项目，每三个月至少进行一次。当原材料变更
或工艺条件改变时,也应进行型式检验。
6.3产品批量、抽样方法和出厂检验项目在产品标准中规定，每批薄膜应进行出厂检验,产品经检验
合格才能出厂。制造厂应保证出厂产品符合产品标准中全部技术要求。
6.4当试验结果中任何一项不符合技术要求时,应在该批薄膜另外二卷中各取一组试样重复该项试
验,如仍有一组不符合要求时,该批薄膜为不合格品。
6.5使用单位可按产品标准的全部或部分项目进行验收检验。预处理条件按GB/T13542.2-2009
中3.2要求进行。
6.6使用单位有要求时,制造厂应提供产品检验报告。
7标志、包装、运输和贮存
7.1薄膜卷要用防潮纸或塑料薄膜包裹,外层套装塑料袋,并架空支撑放置于包装箱中,使薄膜在通常
的贮存和运输条件下得到充分保护而不受损坏和变质。
7.2每箱薄膜应有明显而牢固的标志:
TVS瞬间抑制防护技术
● 多级循环电压采集技术:
材料击穿后,瞬间放电速度约为光速的1/5~1/3,国际通用的方法为压降法进行采集击穿电压。即变压器的初级电压瞬间下降一定比率来判别材料是否击穿。显然记录击穿电压值产生偏差。而采用多级循环采集技术对击穿后的电压采集将解决此难题。
● 低通滤波电流监测技术:
高压压放电过程中将产生高频信号。而无论是国产与进口电流采集传感器,大都为工频电流传感器。而采集过程中无法将高频信号处理时,从而造成检测不准确。无论是采用磁通门或霍尔原理所设计的传感器存在击穿后瞬间输出电压或电流信号过大,从而烧坏控制系统的采集部分。华测开发的低滤波电流采集传感器将高频杂波信号进行相应处理。同流采集华测自主开发的保护模块来保证采集精度与保护采集元件。
● 双系统互锁技术及隔离屏蔽技术:
采用双系统互锁技术应用于电击穿仪器,生产的电压击穿仪器不仅具备过压、过流保护系统,它*的双系统互锁机制,当任何元器件出现问题或单系统出现故障时,将瞬间切断高压。
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