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冷场发射
进口
0.7nm@15kV， 1.1nm@1kV
12-2,000,000x
0.02-30 kV
1.2nm@1kV （ESB）
GeminiSEM 系列产品
高对比度、低电压成像的场发射扫描电子显微镜
为对任意样品进行高水准的成像和分析而生
蔡司GeminiSEM 系列产品具有出色的探测效率，能够轻松地实现亚纳米分辨成像。无论是在高真空还是在可变压力模式下，更高的表面细节信息灵敏度让您在对任意样品进行成像和分析时都具备更佳的灵活性，为您在材料科学研究、生命科学研究、工业实验室或是显微成像平台中获取各种类型样品在微观世界中清晰、真实的图像，提供灵活、可靠的场发射扫描电子显微镜技术和方案。
GeminiSEM 300 具有出色的分辨率、更高的衬度和更大且无畸变的成像视野，可方便地选取适合样品的真空度等环境参数，使FESEM初学者也能快速掌握.
；
更灵活的成像方式
无论是资深用户还是初学者，GeminiSEM 300将让您体验到在更高的分辨率和更佳的衬度下进行极大视野范围成像的乐趣，并且在高真空或是可变压力模式下都可以实现。
得益于高效的信号采集系统和优异的分辨率性能，可实现快速、高质量、无畸变的大范围成像；
创新设计的高分辨率电子枪模式，为对磁性样品、不导电样品以及电子束敏感样品的低电压成像量身订制解决方案；
蔡司独树一帜的镜筒内能量选择背散射探测器，在低电压下也可轻松地获得高质量的样品材料衬度图像；
NanoVP技术让您可以使用镜筒内Inlens二次电子探测器对要求苛刻的不导电样品进行高灵敏度、高分辨成像。
洞察产品背后的科技
Gemini电子光学系统
Gemini 1类型镜筒 -延续创新和发展
如今，扫描电子显微镜（SEM）在低电压下的高分辨成像能力，已成为其在各项应用领域中的标准配置。
低电压下的高分辨率成像能力，在以下应用领域中扮演着尤为重要的角色：
电子束敏感样品
不导电样品
获取样品极表面的真实形貌信息
Gemini的革新电子光学设计，应用高分辨率电子枪模式、以及Tandem decel样品台减速技术（选配），有效提高了在低电压时的信号采集效率和图像衬度。
高分辨率电子枪模式：
缩小30%的出射电子束能量展宽，有效地降低像差；
获得更小的束斑。
Tandem decel样品台减速技术，进一步提高对适用样品在低电压甚至极低电压下的分辨率：
Tandem decel减速技术将镜筒内减速和样品台偏压减速技术相结合，有效地实现低着陆电压；
使用1 kV及以下更低电压时，镜筒内背散射探测器的检测效率获得更好地增强，低电压下的分辨率得到进一步提高。
对适用的样品可以加载高达-5 kV的样品台偏压，在低电压下获得更高质量的图片
优化静电场和磁场的复合功效，在低电压下具有的更高的分辨率；
提高镜筒内Inlens探测器在低电压下的信号采集效率。
技术参数：
| 基本规格 | 蔡司 GeminiSEM 300 | ||
|---|---|---|---|
| 热场发射电子枪，稳定性优于0.2 %/h | |||
| 加速电压 | 0.02 - 30 kV | ||
| 探针电流 | 3 pA - 20 nA | ||
| （100 nA配置可选） | |||
| 存储分辨率 | 最高达32k × 24k 像素 | ||
| 放大倍率 | 12 – 2,000,000 | ||
| 标配探测器 | 镜筒内Inlens二次电子探测器 | ||
| 样品室内的Everhart Thornley二次电子探测器 | |||
可选配的 项目 | |||
| NanoVP可变压力模式 | |||
| 高效VPSE探测器（包含在NanoVP可变压力选件中） | |||
局部电荷中和器 镜筒内能量选择背散射探测器 环形STEM探测器（aSTEM 4） 角度选择背散射探测器 EDS能谱仪 EBSD探测器(背散射电子衍射) | |||
| 可订制特殊功能样品台 | |||
| 环形背散射电子探测器 | |||
| 阴极射线荧光探测器 | |||
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