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一、 产品简介
KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。
二、 产品特性：
- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合
- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术
- 适用于科研用户
- 可与手套箱集成
- 占地面积小
三、 主要指标：
- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)
- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源
- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)
- 适用于6英寸及以下尺寸样品
- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等
- 可集成膜厚测量功能，
- 兼容手套箱系统
- 可配备快速进样腔（选配）
- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振
- 系统占地空间小，约1m2
四、主要应用
- 化学催化
- 电极薄膜制备
- 金属半导体薄膜制备
- 磁性薄膜制备
- 微纳米器件
- 光学器件
五、 PVD热源简介
（1） FISSION磁控溅射源
Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜
- 靶材尺寸：50mm（2”）
- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）
- 直流电源：780W（600V，1.3A）
- 射频电源：300W（13.56MHz）
- 气体补偿：通过内置气罩
- 冷却：水冷（最小0.5L/min）
（2）TAU电子束蒸发器
TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。
- 工艺腔热源数：4个
- 工艺腔单个热源最大功率：250W
- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中
- 是否支持同时蒸镀：支持
- 冷却：水冷（最小0.5L/min）
（3）ORCA有机材料沉积源
材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 >1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。
ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。
坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。
K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。
该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。
- 坩埚容积：15cc
- 温度范围：50-600℃
- 热电偶：K型
- 电源：直流
- 冷却：水冷（最小0.5L/min）
（4）TES舟型热蒸发源
热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。
- 舟型载体容积：1cc-5cc
- 温度范围：50℃-2200℃
- 电源：直流（1.2kW）
六、 样品台简介
七、 操作软件简介
八、 快速降压及配件展示
九、 手套箱集成展示
Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。
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