日本AET高频(微波)介电常数测试仪

报价 ¥30万 - 100万

品牌

AET

型号

TE空洞共振区

产地

亚洲日本

应用领域

暂无

TE空洞共振腔专用于测量厚度小于0.3mm的薄膜,支持5G(第五代移动通信系统),最高可达40GHz的频率。

有固定的间隙用于插入待测样品,并且在测量稳定性方面优于将样品夹在谐振器中的方法。

可以测量各种材料(例如软样品和脆性样品)的介电常数。

TE共振腔也被称为“分裂圆柱“共振腔,将一 薄片样品插入其间的间隙中。该方法支持高达40GHz的频率,因此满足5G(第5代)的要求移动通信系统。


技术参数:

可测试频率范围: 10G-40GHz

介电常数Epsilon:1-5,   准确度: ±1%,

介电损耗tangent delta:0.01-0.0001,  准确度:±5%

样品形状:方形片状

10 GHz(大于50 mm X 50mm) ; 

20 GHz( 大于40 mm X 40mm); 

28/40 GHz( 大于30 mm X 30mm)

厚度:0.01 -0.3mm 

符合标准 JIS R1641 IPC-TM650 2.5.5.13

拥有多种腔体,每个腔可测一个频点.


主要特点:

TE空洞共振腔(Cavity Resonator ),适用于5G薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。

共振腔中心的旋转模式是TE,其中TE是共振腔中心的旋转模式

TE模式共振腔有一个固定的间隙来插入测昼样品,这使得对其他产品的测量稳定性。它可以测呈各种材料,如软质和易碎样品.

通过插入片状样品量测,这种模式在腔体上下分离时也能保持,因此可以进行测量

该方法具有较高的损耗分辨率,适用千低损耗薄膜的测量介电常数的测量方向为平行面


应用领域: 

主要应用于5G材料,例如薄膜等。

高速数字/微波电路用基底材料 ;滤波器和介电天线用低损耗电介质 ;化学制品; 

薄膜与新材料;半导体材料;电子材料(包括CCL和PCB)



售后服务

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