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产品简介：
REAL RTP200型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。
技术特色：
• 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿
• 红外卤素管灯加热
• 极其优异的加热温度精确性与均匀性
• 快速数字PID温度控制
• 不锈钢冷壁真空腔室
• 系统稳定性好
• 结构紧凑，小型桌面系统
• 带触摸屏的PC控制
• 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr
• 最高3路气体（MFC控制）
• 没有交叉污染，没有金属污染
真实基底温度测量技术介绍：
如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。
REAL RTP200型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。
主要技术参数：
• 基片尺寸：8英寸
• 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）
• 温度范围：150-1250℃
• 加热速率：10-150℃/S
• 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)
≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)
• 温度控制精度：≤ ±3℃
• 温度重复性：≤ ±3℃
• 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr
• 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）
• 退火持续时间：≥35min@1250℃
• 温度控制：快速数字PID控制
• 尺寸：1300mm*820mm*1300mm
基片类型：
• Silicon wafers硅片
• Compound semiconductor wafers化合物半导体基片
• GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片
• Silicon carbide wafers碳化硅基片
• Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片
• Glass substrates玻璃基片
• Metals金属
• Polymers聚合物
• Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座
应用领域：
离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。
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