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产品描述
设备主要利用微波测试原理，非接触式测量射频HEMT结构半导体材料的方阻、迁移率及载流子浓度。可实现单点测试，
亦可以实现面扫描的测试功能，具有快速，无损，准确等优势，可用于材料研发及工艺的监测及质量控制。
特点
适用于迁移率量测范围在100cm²/V · s～3000cm²/V · s 的射频HEMT外延片。非接触，非损伤测试，具有测试速度快，
重复性佳，测试敏感性高，可以直接测试产品片等优点。
经过测试的材料包括
石墨烯：单层、双层、多层；墨水；掺杂；在SiC上的外延层；粉末和片状；氧化石墨烯
PEDOT
碳纳米管
ITO
NbC
IZO
ALD-ZnO
GaN
MoS
旋涂光阻
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