高能Ag Lα光源在XPS分析氮掺杂GaAs材料上的应用

2022/06/08   下载量: 1

方案摘要

方案下载
应用领域 半导体
检测样本 集成电路
检测项目 化学性质>掺杂测试
参考标准

GaAs等半导体材料受到了越来越多的关注,XPS技术在半导体材料分析上有着重要的应用。本文分析了高能Ag Lα光源在分析氮掺杂GaAs类材料上的优势,此外还介绍了其相对于其他高能光源的优势和可以增加采样深度的优点。

方案下载
配置单
方案详情

利用Ag Lα X射线光源从表面氮化处理GaAs样品表面获得X射线光电子能谱。使用高能X射线源具有显著的优势,可以避免传统Al Kα光源下N 1s光电子峰受到的Ga LMM俄歇峰的干扰。这使得单个N 1s谱峰可以进行准确的曲线拟合,并确定为氮化物类的化学状态。


上一篇 Nexera LC-40双进样液相分析系统 应用文集
下一篇 X射线荧光光谱法测定铝合金中主次元素

文献贡献者

推荐方案
更多

相关产品

当前位置: 仪器信息网 岛津 方案 高能Ag Lα光源在XPS分析氮掺杂GaAs材料上的应用

关注

拨打电话

留言咨询