方案摘要
方案下载应用领域 | 半导体 |
检测样本 | 集成电路 |
检测项目 | 化学性质>掺杂测试 |
参考标准 | 无 |
GaAs等半导体材料受到了越来越多的关注,XPS技术在半导体材料分析上有着重要的应用。本文分析了高能Ag Lα光源在分析氮掺杂GaAs类材料上的优势,此外还介绍了其相对于其他高能光源的优势和可以增加采样深度的优点。
利用Ag Lα X射线光源从表面氮化处理GaAs样品表面获得X射线光电子能谱。使用高能X射线源具有显著的优势,可以避免传统Al Kα光源下N 1s光电子峰受到的Ga LMM俄歇峰的干扰。这使得单个N 1s谱峰可以进行准确的曲线拟合,并确定为氮化物类的化学状态。
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