方案摘要
方案下载应用领域 | 半导体 |
检测样本 | 集成电路 |
检测项目 | 化学性质>掺杂测试, 杂质含量 |
参考标准 | / |
SME-ICP-MS 技术为硅片表面的痕量金属表征提供了一种灵敏且准确的方法。可在不到 20 分钟的时间内实现对硅片的前处理和分析,为生产质量评估提供实时数据。使用 STS 条件可基本消除采用 ICP-MS 分析SME 液滴基质时的潜在物理干扰。将此功能与软提取操作模式相结合,可使检测能力超过国家技术路线图2009 年针对 450 mm 晶圆所规定的要求。
SME-ICP-MS 技术为硅片表面的痕量金属表征提供了一种灵敏且准确的方法。可在不到 20 分钟的时间内实现对硅片的前处理和分析,为生产质量评估提供实时数据。使用 STS 条件可基本消除采用 ICP-MS 分析SME 液滴基质时的潜在物理干扰。将此功能与软提取操作模式相结合,可使检测能力超过国家技术路线图2009 年针对 450 mm 晶圆所规定的要求。
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