方案摘要
方案下载应用领域 | 材料 |
检测样本 | 半导体材料 |
检测项目 | |
参考标准 | / |
采用离心沉降法对气相二氧化硅样品进行了测试,并确认测试结果的重复性。利用该设备的这一特点,可以对 CMP 浆料进行质量控制,并检查生产过程中的日常波动。
化学机械抛光(CMP)技术是大规模半导体集成电路(ULSI)制造过程中不可缺少的基础技术。CMP是一种利用化学蚀刻与含有磨料颗粒的化学浆料的研磨的协同作用,使基材表面软化、去除或变平的技术。气相二氧化硅颗粒是在火焰中气相反应中合成的,并作为二次颗粒分散,二次颗粒是一次颗粒的聚集体。气相二氧化硅的抛光率虽然高,但抛光精度不如胶体二氧化硅。
气相二氧化硅具有很高的聚集倾向,导致其粒径测量具有一定难度。采用离心沉降法对气相二氧化硅样品进行了测试,并确认测试结果的重复性。重复测试5次,CV为0.8%。对于这样一个不稳定的样品,这是一个非常好的重复性。此外,Partica CENTRIFUGE CN-300 离心式粒度分析仪对于粒径分布较宽的样品,测试的重复性很好,这是其他测量方法难以做到的。利用该设备的这一特点,可以对CMP浆料进行质量控制,并检查生产过程中的日常波动。
颗粒分析+混合氧化石墨烯+分散状态的混合比例
颗粒分析+聚苯乙烯乳胶混合样品+粒径分布
元素分析+硅片+氧定量分析
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