考夫曼镀膜机RFICP 40_价格_伯东公司德国普发真空pfeiffer

上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 40

参考价：面议

型号：

RFICP 40

产地：

美国

品牌：

考夫曼

评分：

产品详情

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

KRI 射频离子源 RFICP 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

射频离子源 RFICP 40 特性:
1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:

型号	RFICP 40
Discharge 阳极	RF 射频
离子束流	>100 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	12.7 cm
直径	13.5 cm
中和器	LFN 2000

KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 叶女士
T: +86-21-5046-3511 ext 107 F: +86-21-5046-1490 M: +86 1391-883-7267
上海伯东版权所有, 翻拷必究！

售后服务

产品货期： 365天
培训服务：提供付费培训