| 型号： | 霍尔效应测试仪 |
| 产地： | 美国 |
| 品牌： | MMR |
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仪器简介：
美国MMR霍尔效应测试仪为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。
可选用变温，变磁场等多种配置。
美国MMR霍尔效应测试仪主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。
目前广泛应有于大学，研究所和半导体厂商。
技术参数：
功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。
1. 样品固定方式：弹簧探针或引线治具
2. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）
3. 磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）
4. 温度稳定度：<=0.05K
5. 温度响应：1K/sec
6. 致冷片：10X14 mm
7. 电阻率：10-6~1013 Ohm*cm
8. 载流子迁移率：10-2~109 cm2/volt*sec
9. 载流子浓度：102~1022cm-3
10. 电流范围：0.1 pA~10mA
11. 电压范围：+/-2.5V，最小可测到6X10-6 V
12. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms
主要特点：
1. 采用van der Pauw法测试
2. 最大可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一个;
3. 配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自动。测试数据能够方便的储存和导出;
4. 模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统;
5. 测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优;
6. 在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试
7. 允许在一定气体环境下测试
提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻率、载流子浓度、迁移率等参数
应用领域：
所有半导体材料，包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)
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