基于C-MOSI的红外辐射源，TO39封装，带有反射器，开放式_价格

产品详情

描述

JSIR340-4型经济实惠的红外辐射源专为NDIR气体分析和其他红外测量应用而优化，如直接红外光谱法、衰减全反射光谱法或光声光谱法。基于CMOS的红外辐射源的膜片可达到高达800°C的温度。它能够为工业应用提供长期稳定的辐射输出，用于在环境温度为-20至85°C之间控制和监测过程气体及相关气体。带有标准TO封装和盖子的包装版本适合测量距离长达2厘米。

我们红外辐射源中使用的MEMS芯片包含一个多层热板膜片，内含一个高温稳定的金属CMOSI层。发射器芯片的有效面积为2.2 x 2.2平方毫米，基于硅衬底并采用背刻蚀膜技术。所有薄膜工艺均采用标准MEMS工艺和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI电阻层免受老化和环境影响。

应用

NDIR气体检测
衰减全反射光谱法
直接红外光谱法
光声光谱法

目标气体

二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、氨气、二氧化硫、六氟化硫以及成熟气体如乙烯(C2H4)和乙炔(C2H2)

特点

由于芯片膜片的低热质量，时间常数为11毫秒
高膜片温度高达770°C，有效芯片面积为2.2 x 2.2平方毫米
长期稳定的芯片结构
光谱带宽从2到15微米
CMOSI芯片技术

技术参数

技术参数	值	单位
光谱输出范围	2 ... 15	μm
有效面积	2.2 x 2.2	mm²
耐热1	18 ± 5	Ω
温度系数2	1100	ppm/K
时间常数0-63%	11	ms
标称功耗3	650	mW
工作电压4	3.4	mV
工作电流4	190	mA
推荐驱动模式	Power mode
活动区域温度1,5,7	540 ± 30	°C
外壳	TO39
预计使用寿命6,8	> 5000 h at 770 °C; > 100000 h at 540 °C
最大输入功率	1200	mW
外壳最高温度8	185	°C
活动区域最高温度	770	°C

1. 在额定功率下

2. 25°C - 770°C

3. 在通电状态下

4. 带有18Ω热电阻

5. 环境温度为25°C时

6. 连续模式下，平均无故障时间（膜片破裂）为63%，计算值基于阿伦尼乌斯方程

7. 通过红外相机测量（0.7 - 1.1微米），热点温度降低10%的平均温度分布

8. 包括环境温度

典型操作特性

电气示意图

电路

等效电路图

机械制图

底部

截面图

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供货周期：
品牌：	韵翔
货号：	JSIR340-4