THz晶体-GaAs(Te/Zn)/GaP/InP(Zn/Fe)/InSb_价格_筱晓（上海）光子技术有限公司

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THz晶体-GaAs(Te/Zn)/GaP/InP(Zn/Fe)/InSb

筱晓光子技术有限公司的德国合作方之一 MolTech公司生产和经销各类激光晶体，包括作为激光活性物质的晶体，光学器件晶体，各种单晶，非线性光学晶体！现在我公司把MolTech公司的部分用于THz产生的非线性晶体介绍给中国的科研界客户。

THz晶体-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn

其中GaP(磷化镓)有一个能发出可见光的能代间隙,只不过它是间接能带半导体。当它同GaAs结合形成GaAs1-xPx合金时,就便成了既直接又具有发光能带间隙的物质了。GaP还可用于制作发光二极管，它能够发出绿光。

InP(磷化铟)主要应用于光纤通讯设备,尤其是半绝缘的InP晶片很可能成为光电二极管的主流产品,应用于高速通讯设备，其传输速度能达到40Gbps。InP还有望用于对传输速度要求更高的下一代移动电话中。

材料	InP	InSb	InP: Fe	InP:Zn	GaP	GaAs:Te	GaAs:Zn	GaAs 多晶
阻抗, omNaN	0.03 - 0.2	-	1x10⁶- 2x10⁷	-	-	-	-	-
直径	-	-	1,011 - 1,2511	1,011 - 1,2511	-	12,511	1,511	-
轴向	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	-100	-	-
载流子浓度, cm^-3	(0.8 - 2.0) x 10¹⁵	(8 - 30) x 10¹³	-	(0.2 - 1.0) x 10¹⁸	(4 - 6) x 10¹⁶	2 x 10¹⁷	1.0 x 10¹⁹	2 x 10¹⁵
灵敏度, cm²/V.Sec	3500 - 4000	-	-	50 -70	-	4500	-	5200
生长技术	-	可参杂	-	-	可参杂	-	Cz	Bridjman

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