InGaAs PIN光电二极管MPGD3561T_价格_筱晓（上海）光子技术有限公司

产品详情

InGaAs PIN光电二极管MPGD3561T

QQ图片20150311145301.jpg

1、说明

基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ800μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。

2、特点

平面正照结构、快响应时间、大光敏面积、大响应线性范围、高可靠性。

3、应用

光功率计量监控等仪器仪表，光谱、光纤特性测试，激光测距、激光雷达等空间通信，其他应用如光纤传感。

4、最大额定值

	最大额定值	单位		最大额定值	单位
工作电压	15	V	最大耗散功率	100	mW
正向电流	10	mA	工作温度	-40~100	℃
焊接温度	260（10秒）	℃	存储温度	-45~120	℃

5、参数性能（Ta=23℃）

参数		符号	测试条件	最小		典型	最大	单位
光敏面直径		Φ		1000				μm
光参数	光谱响应范围	λ		900～1700				nm
	响应度	Re	V_R=5V,λ=1.3μm，Φ_e=100μW		0.90			A/W
	响应度	Re	V_R=5V,λ=1.55μm，Φ_e=100μW		0.95			A/W
	响应线性饱和功率	L_R	V_R =5V，λ=1.55μm	10				mW
	响应度线性	δ_R	V_R =5V，λ=1.55μm 100μW～10mW		±0.1			dB
	响应时间	t_r	V_R=5V，R_L=50Ω		5.0			ns
电参数	暗电流	I_D	V_R=5V		3.0		5.0	nA
	反向击穿电压	V_BR	I_R=10μA	60				V
	电容	C	f=1MHz，V_R=5V		42			pF
	分流电阻	R_S	V_R =10mV		50			MΩ

6、封装、管壳框图和管脚接法（单位：mm）

标准封装：TO-46，用户要求的其他形式。

QQ图片20150311145516.jpg

7、特性曲线

QQ图片20150311145752.jpg

QQ图片20150311145904.jpg

8、使用方法及注意事项

器件在反向偏置 5V下工作。

使用中防止剧烈震动、冲击，以免透镜损坏。

在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。

在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

InGaAs PIN光电二极管MPGD3561T信息由筱晓（上海）光子技术有限公司为您提供，如您想了解更多关于InGaAs PIN光电二极管MPGD3561T报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。除供应InGaAs PIN光电二极管MPGD3561T外，筱晓（上海）光子技术有限公司还可为您提供其他等产品，公司有专业的客户服务团队，是您值得信赖的合作伙伴。

供货周期：	现货
品牌：	完美光子