InGaAs PIN光电二极管MPGD3551Y

InGaAs PIN光电二极管MPGD3551Y

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InGaAs PIN光电二极管MPGD3551Y

   

 

1、说明

 

    基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300

 

 

 μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm,φ5000μm 

 

 

等光敏面积直径的系列产品,可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件

 

 

2、特点

 

平面正照结构、快响应时间、低暗电流、高响应度、高可靠性。

3、应用

光纤通信、数据/图象传输、光纤传感应用、快速光脉冲检测。

4、最大额定值

最大额定值

单位

最大额定值

单位

工作电压

15

V

功耗

10

mW

正向电流

10

mA

工作温度

-40~100

焊接条件

260(10秒)

存储温度

-45~120

 

5、参数性能(Ta=23℃)

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

光敏面直径

Φ

500

μm

光参数

光谱响应范围

λ

900~1700

nm

响应度

Re

VR=5V,λ=1.3μm,Φe=100μW

0.85

0.90

A/W

VR=5V,λ=1.55μm,Φe=100μW

0.90

0.95

响应线性饱和功率

VR =5V

4

mW

响应时间

tr

VR=5V; RL=50Ω

2.5

ns

电参数

电容

C

f=1MHz,VR=5V

9.0

12.0

pF

反向击穿电压

VBR

IR=10μA

50

V

暗电流

ID

VR=5V

1

5

nA

分流电阻

Rs

VR =10mV

30

MΩ

 

6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位:mm)

 

7、特性曲线

8使用方法及注意事项

器件在反向偏置 5V下工作。

使用中防止剧烈震动、冲击,以免光窗被损坏。

使用前请用酒精脱脂棉将光窗擦拭干净。

在贮运、使用过程中必须采取适当的静电防护措施,以免器件失效

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