EachwaveLT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制_价格

LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

参考价：面议

型号：

LT-GaAs

产地：

上海

品牌：

Eachwave

评分：

产品详情

LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

1、半导体光电子器件结构生长

我们可在GaAs砷化镓基底上生长高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

2、低温砷化镓

对于某些应用需要快速响应装置，例如光学探测器、可饱和吸收器或光电导天线。我们提供低温外延生长器件，响应时间短至1 ps。

我们可提供以下在GaAs衬底上生长的一个或两个单层的低温砷化镓：

参数：

砷化镓晶片直径：2“或4”
最大薄膜叠层厚度：5μm

规格：

LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片
LT-GaAs-100：4“（100mm）LT-GaAs晶片
LT-InGaAs-100：4“（100 mm）LT-InGaAs晶圆
LT-GaA-100-C：具有定制金属结构的4“（100 mm）LT-GaAs晶圆

具体规格可进一步咨询。

LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制信息由上海屹持光电技术有限公司为您提供，如您想了解更多关于LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。除供应LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制外，上海屹持光电技术有限公司还可为您提供SESAM-1040半导体可饱和吸收镜德国BATOP、SESAM-1550半导体可饱和吸收镜BATOP等产品，公司有专业的客户服务团队，是您值得信赖的合作伙伴。