太赫兹光电导天线 低温砷化镓天线 太赫兹天线发射器
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太赫兹光电导天线 低温砷化镓天线 太赫兹天线发射器

参考价:¥1万 - 5万
型号: LT-GaAs PCA
产地: 其他国家
品牌: Eachwave
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核心参数
上海屹持光电技术有限公司
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太赫兹光电导天线 低温砷化镓天线 太赫兹天线发射器:

自由空间太赫兹发射器(太赫兹光电导天线)

自由空间的太赫兹发射器由一个光电导天线和高阻硅透镜封装而成。我们通常使用低温生产的GaAs(LT-GaAs)或者GaBiAs作为光电导材料。不同的光电导材料适用于不同的激发波长。

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太赫兹光电导天线 低温砷化镓天线 太赫兹天线发射器参数规格

 

LT-GaAs天线GaBiAs天线
激发功率:<50mW, 典型值30mW激发功率:<50mW
偏置电压:<50V, 典型值40V偏置电压:<40V
集成高阻硅透镜集成高阻硅透镜
激发波长:800±40nm激发波长:1050±40nm
封装XY二维调节架,调节范围±3mm封装XY二维调节架,调节范围±3mm
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自由空间太赫兹探测器(太赫兹光电导天线)

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太赫兹探测器参数规格

 

LT-GaAs天线GaBiAs天线
激发功率:<50mW激发功率:<25
集成预放大器集成预放大器
集成高阻硅透镜集成高阻硅透镜
探测太赫兹带宽:5THz@100fs激光脉宽探测太赫兹带宽:5THz@70fs激光脉宽
太赫兹频谱峰值位置:400GHz太赫兹频谱峰值位置:400GHz
激发波长:800±40nm激发波长:1050±40nm
封装XY二维调节架,调节范围±3mm封装XY二维调节架,调节范围±3mm
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太赫兹光电导天线 低温砷化镓天线 太赫兹天线发射器 

 


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