| 型号： | Tera-SED |
| 产地： | 上海 |
| 品牌： | Eachwave |
| 评分： |
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产品简介
效率高的太赫兹辐射源对一系列太赫兹科学技术的应用有着非常重要的影响，一个重要的方面就是宽的带宽，以及高的电场强度。这通常依赖于大激发面积的辐射源，传统的概念上辐射源需要高的偏置电压（高至几百V）激发才能达到KV/cm的THz电场强度。上海屹持光电推出的大激发面积太赫兹发射器是一款大激发面的且只需要很低偏置电压的高效率光电导天线。
产品特点
√ 大的激发面积
√ 低的外部偏置电压
√ 不需要外部冷却装置
√ 超级集成化的封装设计
技术规格
上海屹持光电推出的Tera-SED是一款基于LT-GaAs的高效率太赫兹光电导天线。我们提供两个不同版本的大激发面积光电导天线：10mm*10mm激发面积的天线适合于放大级飞秒激光器系统（单脉冲能量可以高至300uJ）；3mm*3mm版本的光电导天线适合于震荡级飞秒激光器。
左图为Tera-SED受激发辐射THz的原理示意图，右图是实验测试频谱数据（0.7nJ pump功率，GaP晶体探测的结果）
| 频谱峰值 | 1THz-1.5THz |
| 频谱宽度(@-10dB) | ~2.5THz |
| 最大光学激发功率密度 | 8W/mm2 |
| 最大激发功率 | 650mW |
| 激发波长 | 700-850nm |
| 尺寸 | 1英寸外径 |
| 太赫兹脉冲强度 | 最高可至5KV/cm |
| 偏置电压 | 10-30V |
| 偏置电压调制频率 | DC-100KHz |
| 占空比 | 5%-100% |
辐射太赫兹的能力
| 偏置电压Vbias | 占空比 | THz电场强度 | |
| Tera-SED3 | up to 10V | CW | 100V/cm (@10V) |
| 10-20V | 50% | 200V/cm (@20V) | |
| 30V | 10% | 300V/cm | |
| Tera-SED10 | up to 5V | CW | 1000V/cm(@5V) |
| 5-20V | 50% | 2000V/cm(@20V) | |
| 25V | 5% | 5000V/cm |
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