冠乾科技纳米压印胶正性光刻胶负性光刻胶显影液去胶液_价格

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Negative Photoresists
Positive Photoresists
Resist Removers
Resist Developers
Edge Bead Removers
Planarizing, Protective and Adhesive Coatings
Spin-On Glass Coatings
Spin-On Dopants

曝光	应用	特性	对生产量的影响
i线曝光用粘度增强负胶系列	在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮（Polyioprene-Bisazide）的负胶。	在湿刻和电镀应用时超强的粘附力；很容易用去胶液去除。单次旋涂厚度范围如下：﹤0.1～200 μm可在i、g以及h-line波长曝光	避免了基于有机溶剂的显影和冲洗过优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异线宽任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁单次旋涂即可获得200 μm胶厚厚胶同样可得到优越的分辨率 150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间优异的感光度进而增加曝光通量更快的显影，100 μm的光刻胶显影仅需6 ～ 8分钟光刻胶曝光时不会出现气泡可将一种显影液同时应用于负胶和正胶不必使用增粘剂如HMDS







g和h线曝光用粘度增强负胶系列

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冠乾科技 纳米压印胶 正性光刻胶 负性光刻胶 显影液 去胶液

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