陈正昊 博士
北京大学
陈正昊，北京大学物理学院博士研究生，2019年本科毕业于南开大学。研究方向涉及Si衬底GaN基异质结构和GaN垂直结构功率电子材料的MOCVD外延生长等。先后参与多个国家重点研发计划，国家自然科学基金项目。已在Advanced Electronic Materials、Applied Physics Letters等期刊发表论文10余篇。
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北京大学
陈正昊，北京大学物理学院博士研究生，2019年本科毕业于南开大学。研究方向涉及Si衬底GaN基异质结构和GaN垂直结构功率电子材料的MOCVD外延生长等。先后参与多个国家重点研发计划，国家自然科学基金项目。已在Advanced Electronic Materials、Applied Physics Letters等期刊发表论文10余篇。
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