杨涵，北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心博士研究生，主要研究方向为氮化物半导体材料缺陷特性。开展大量氮化物材料结构和缺陷表征工作，相关研究成果发表于Advanced Functional Materials、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters等国际期刊以及International Electron Devices Meeting (IEDM)、 International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)等国际会议。