李磊，天津大学微电子学院英才(长聘)副教授。博士毕业于北京大学物理学院宽禁带半导体中心，先后在日本名古屋工业大学硅基氮化镓先驱江川孝志教授研究组和诺贝尔物理学奖得主、名古屋大学天野浩教授研究组从事科研工作。主要从事氮化物宽禁带半导体材料和器件领域的研究工作，在超高质量GaN外延膜，GaN基电子器件及其可靠性，GaN基短波长光电器件等方向取得了一系列成果。部分成果被国际著名行业杂志Compound Semiconductor杂志做专题报道或被期刊选为年度研究亮点论文，并受邀撰写综述文章。发表SCI文章多篇，其中第一/通讯作者论文主要发表在本领域权威期刊Applied Physics Letters, Applied Physics Express和IEEE Transactions on Electron Devices上。有2项发明专利实现转化。