杨学林，1981年生，北京大学宽禁带半导体研究中心高级工程师，国家优秀青年科学基金获得者。2004年和2009年分别在吉林大学和北京大学获学士和博士学位，2009年-2012年在日本东京大学从事博士后研究工作。近年来在Si衬底上GaN基材料的MOCVD外延生长、C杂质的掺杂调控、缺陷影响电子器件可靠性的机理研究等方面取得了多项进展。以第一/通讯作者在PRL,AFM,APL等期刊上发表SCI论文30余篇；在本领域国内外学术会议上做邀请报告近20次，申请/授权国家发明专利13件。