高功率密度的氮化镓，具有高工作电压，且能够在高频高带宽下大功率输出，将引领射频功率器件新发展。碳化硅衬底氮化镓是射频器件的“高端”版本，SiC衬底可提供最高功率级别的氮化镓产品，确保在最苛刻的环境下使用。近日，牛津仪器等离子技术推出了使用PlasmaPro 100 Polaris刻蚀系统对碳化硅进行深孔刻蚀的工艺。
本次会议将对此碳化硅深孔刻蚀技术做详细介绍。期待您的参与！
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如何用等离子设备 实现碳化硅深孔刻蚀？快来围观！
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04月06日 14:00
会议介绍
