2014年布鲁克光学显微镜技术研讨会第三讲：用电致发光检测有机金属化学气相淀积外延晶圆片以提高LED生产质量

2014年布鲁克光学显微镜技术研讨会第三讲：用电致发光检测有机金属化学气相淀积外延晶圆片以提高LED生产质量

报告摘要

在HBLED器件的生产， MOCVD是决定产品性能最重要的过程之一。发射波长， LED亮度， Vf与泄漏量都由这一关键步骤确定。 GaN表面温度或流体动力学的微小变化就可以极大地影响器件性能，甚至造成产量损失。 MOCVD的花费超过了晶圆厂生产HBLED投资成本的50 ％ 。为了不断降低生产成本，很多工厂将目标集中在提高MOCVD产量，降低废品率和提高这些系统的正常运行时间。产量损失是最大的一项耗费支出。EPI处理后，获取准确，可靠的光电反馈，可以大大提高产量，减少报废产品。监控外延层电流的方法包括铟点和光致发光（ PL），这些传统方法测试速度慢，数据重复性差，没有很强的参考精度的一致性。
布鲁克的LumiMap是电致发光测量系统，该在一个简单直观的测试环境集成了所有的EPI谱学和电学测试功能，并提供即时数据，而无需任何晶片的前期处理和样品制备。该LumiMap利用无损接触式探针，允许控制电流流过晶片。这种电流激发EPI的有源层使其发光，快速，准确地收集正向电压、反向电流、强度和波长等数据。种无损测试方法省去了铟点，酸清洁，处理晶片流程，这种精确的测试方法可以通过提高晶片产量，减少废料和改善使用时间，大大降低生产成本。

•使用 MOCVD制备的 Epi 晶片性能测试的局限性

•LumiMap – Bruker新型电致发光检测技术简介

•LumiMap – Bruker新型电致发光检测技术工作原理

•LumiMap – Bruker新型电致发光检测技术应用实例