华东师范大学 成岩

【报告人介绍】

副研究员，2010年12月毕业于北京工业大学，师从国内著名电子显微学专家张泽院士，获物理学博士学位；同年加入中科院上海微系统所相变存储器课题组，历任副研究员（2013年）、信息功能材料国家重点实验室主任助理（2014年）、党支部书记（2014年），一直从事相变存储器及存储材料的相关研究；2017年12月加入华东师范大学电镜中心。

【报告内容简介】

Ovshinsky在1968年发表了第一篇关于非晶体相变的论文，首次描述了基于相变理论的存储器，材料由非晶体状态变成晶体，再变回非晶体的过程中，其非晶体和晶体状态呈现不同的光学特性和电阻特性，因此可以利用非晶态和晶态分别代表“0”和“1”来存储数据。相变存储器（Phase Change Random Access Memory, PCRAM）正是基于Ovshinsky效应的元件，其优点在于密度高，速度快，功耗小，成本低，可直接写入，与COMS工艺兼容等。相变存储材料作为PCRAM的存储介质，其性能优劣直接关系到器件特性的好坏，有很多材料都存在多晶态和非晶态，但并不是所有材料都适用于PCRAM，它必须要满足晶化时间短，熔点低，高低电阻率差异大，非晶态稳定性好，相变前后体积变化小等诸多要求。

【报名地址】

http://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/bdtcl/

　进入首页浏览更多精彩内容 >>