InGaN/GaN多量子阱基LED的光学特性及内在物理机制
高亮度InGaN基LED已经被广泛地应用于照明和显示等领域。然而，由于In的易挥发性以及InN和GaN之间的低互溶度等原因，高效InGaN基长波长LED的制备一直是该领域丞待解决的难题。本研究通过能带工程及应力调控等方法来制备高性能InGaN基LED，并阐明其复合发光的内部物理机制。
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2021-10-24
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