分子束外延氮化物半导体材料及器件
对比MOCVD技术，MBE具有超高真空、超洁净、无氢环境等特点，可以在较低温度外延生长，可以自动激活Mg掺杂材料中受主获得p型材料，可以避免寄生反应等。本工作采用等离子体辅助分子束外延技术（PA-MBE）制备氮化物系列半导体材料及相关器件，研究III族氮化物半导体材料生长机制，组分控制，掺杂控制，原位缺陷钝化技术，制备AlGaN深紫外LEDs、InGaN太阳电池、以及新型量子级联结构等。
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2021-10-24
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