宽禁带半导体微纳尺度光电性质的表征方法和装备研究--仪器信息网3i讲堂

宽禁带半导体微纳尺度光电性质的表征方法和装备研究

半导体的载流子动力学性质，包括扩散长度、寿命和扩散系数是决定器件性能的关键因素。在材料和器件中，位错、杂质等纳米结构对载流子动力学性质有很大的影响。如和从纳米尺度表征这些特征结构对载流子动力学性质的影响，对表征方法和手段提出了新的要求。本报告应该自主研制的深紫外光辅助原子力显微镜和同位时间分辨光谱，发展了一种扫描扩散显微术的方法，可对第三代宽禁带半导体（GaN，AlGaN等）中垂直表面的载流子扩散长度、寿命和扩散系数进行分析，并获得其横向的分布。与同时获得的形貌结构对比，可研究微纳结构对载流子动力学性质的影响。