SiC MOSFET功率循环测试技术的挑战与分析--仪器信息网3i讲堂

SiC MOSFET功率循环测试技术的挑战与分析

SiC MOSFET由于材料优势带来高工作结温、高开关频率和高击穿场强，大大缩小无源元件的体积等，得到大力发展，但由于其栅极可靠性问题，会使得其结温和功率循环测试存在一定的难点。本报告首先分析了功率循环测试的基本原理，然后从三个方面（电学测方法的准确度、老化特性和栅极对参数的影响）探究结温测试方法。通过对功率循环方法的失效判定标准，不同工作模式的老化特性和失效机理分析SiC MOSFET测试中存在的难点。最后讨论了SiC MOSFET的功率循环寿命，并从根本上解释了原因。