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AES/XPS/SIMS/GD-OES(MS)深度剖析定量分析

溅射深度剖析作为表面分析的常规技术，被广泛应用于膜层结构元素成分随深度变化的表征，但由于溅射、样品粗糙度以及测量信号来源于距样品表面不同的深度等因素的影响，使得测量的深度谱与原始的膜层结构比较可能会有较大的畸变。对测量深度谱数据进行定量分析，不仅可以确定样品的膜层结构，还可以获得其界面粗糙度、元素间的互扩散系数、元素的溅射速率、以及溅射深度分辨率等定量信息。报告讨论了多晶样品深度剖析中溅射诱导粗糙度产生的原因及消除的方法。并以4Si(15nm)/Al(15nm) AES、XPS和ToF-SIMS，以及60Si(3.7nm)/B4C(0.3nm)/Mo(3.0nm) 脉冲-射频-GDOES等深度谱为例，讨论了溅射诱导粗糙度对测量深度谱的影响及其相应的定量分析。同时还提出了将TV正则化与MRI深度分辨率函数结合，对深度谱数据进行反卷积定量分析的新方法，并应用于8Ni(25nm)/Cr(25nm) AES、60Si(3.5nm)/Mo(3.5nm) 脉冲-射频-GDOE和ToF-SIMS深度谱的定量分析，获得的膜层结构与HR-TEM的测量结果相吻合。

183 2022-10-12

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