真空原射仪

Apreo功能最为丰富的高性能 SEMApreo 复合透镜结合了静电和磁浸没技术，可产生前所未有的高分辨率和材料对比度。Apreo 是研究纳米颗粒、催化剂、粉末和纳米器件的理想平台，而不会降低磁性样品性能。传统的高分辨率 SEM 透镜技术分为两类：磁浸没或静电。FEI 首次将两种技术结合到一个仪器中。这样做所产生的成效远远超过任一种镜筒的个体性能。两种技术均使电子束形成细小探针，以提高低电压下的分辨率，并使信号电子进入镜筒。通过将磁透镜和静电透镜组合成一个复合透镜，不但提高了分辨率，还增加了特有的信号过滤选项。静电-磁复合末级透镜在 1 kV 电压下的分辨率为 1.0 nm（无电子束减速或单色器）。Apreo 拥有透镜内背散射探测器 T1，其位置紧靠样品以便尽可能多地收集信号，从而确保在很短的时间内采集数据。与其他背散射探测器不同，这种快速的探测器始终可保证良好的材料对比度，在导航时、倾斜时或工作距离很短时也不例外。在敏感样品上，探测器的价值凸现出来，即使电流低至几 pA，它也能提供清晰的背散射图像。复合末级透镜通过能量过滤实现更准确的材料对比度以及绝缘样品的无电荷成像，进一步延伸了 T1 BSE 探测器的潜在价值。它还提供了流行选项来补充其探测能力，例如定向背散射探测器(DBS)、STEM 3+ 和低真空气体分析探测器 (GAD)。所有这些探测器都拥有独一无二的软件控制分割功能，以便根据需求选择最有价值的样品信息。每个 Apreo 都按标准配备各种用以处理绝缘样品的策略，包括：高真空技术，例如 SmartSCAN™ 、漂移补偿帧积分(DCFI) 和电荷过滤。对于最有挑战性的应用，Apreo 可提供电荷缓解策略。其中包括可选的低真空（最高为 500 Pa）策略，通过经现场验证的穿镜式差分抽气机构和专用低真空探测器，不但可以缓解任何样品上的电荷，还能提供绝佳的分辨率和较大的分析电流。随着分析技术的使用越来越常规化，Apreo 仓室经过全新设计，以便更好地支持不同的配件和实验。仓室最多容纳三个 EDS/WDS 端口，可实现快速敏感的 X 射线测量、共面EDS/EBSD/TKD 排列并与（冷冻）CL、拉曼、EBIC 和其他技术兼容。所有这些功能都能通过简单的样品处理和熟悉的 xT UI 获得，节省了新用户和专家级用户的时间。可自定义的用户界面提供了诸多用户指导、自动化和远程操作选项。

俄罗斯VNIIOFI真空低温黑体辐射源系列是由俄罗斯联邦技术控制和计量属的“全俄光学物理学测量研究所”研制的。目前，已经在全球多个国家计量院得到应用，而且已经得到用户的广泛赞誉。 真空低温黑体辐射源系列拥有很高的稳定性，而且型号众多，低温可低至80K，具体型号请寻约克公司。 低温黑体辐射源产品特点：★ 口径大：直径100mm★ 稳定性能高★ 发射率高：0.997★ 真空环境下温度可以达到-60°C型号BB100-V1温度范围-60°C～90 °C—真空环境(-50～90) °C—惰性气体或者干燥气体吹扫开口孔径100mm空腔直径120mm辐射腔材料铜沿空腔的温度梯度≤ ± 0.1 °C温度不稳定性≤ ± 0.05 °C温度控制通过外部恒温循环器有效发射率0.997(1.5～15μm)全部的温度传感器5支铂电阻（100Ω）温度测量基于KEITHLEY 2000 (或者 Agilent 34660) 数字表和多路放大器5支经过校准的PRT100温度传感器用于温度监控（2支沿腔体放置，3支放置在腔体的底部）。低温黑体辐射源型号BB80/350温度范围220—350K额外的设定点313K工作孔径350mm光谱范围2.5—15μm发射率0.96±0.02不确定度@280—300K±0.1K重复性@300K0.5K10分钟稳定性5K连续运行时间8小时工作环境在室内干燥的氮气气氛标准压力环境温度：0—30°C真空室P=10-5—10-8Torr环境温度：77K

SD-650MH高真空磁控溅射镀膜机博远微纳VPI镀膜设备优点：体积小，抽真空时间快，可做靶材种类多。特点：1、高真空磁控溅射仪要求稳定，安全可靠，操作简单便捷。适用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。2、 高真空磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、旋转样品台、工作气路、抽气系统、真空测量及电控系统等部分组成。3、★高真空磁控溅射仪长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高490mm） 可放于桌面，小巧不占空间。抽真空速度快，10分钟可进入工作状态。真空腔体采用直径260mm×高270mm的金属真空腔体，真空腔体上有多个备用标准接口，方便老师想进行其他实验研究接入设备，后期可直接配备射频溅射系统，方便老师后续想镀半导体等材料。4、前级机械泵抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器 ，后级抗冲击涡轮分子泵采用抽速为300L/s。真空测量采用复合真空计监测真空，极限真空度: 5×10-5Pa。 5、★直流恒流电源输入电压为220V，输出电压为0-600v，输出电流为0-1.6A ，沉积速率为0-200nm/min。电控带锁系统，防止无关人士误操作。溅射定时保护装置，防止溅射时间过长引起的样品损坏。溅射磁控头直径为50mm。配备一块厚度不小于0.2mm厚的金靶，方便产品到货直接使用。基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。6、 样品台采用旋转式样品台。直径尺寸可选，最大不能超过φ150mm。7、采用自循环冷却水机冷却靶头，保证靶头寿命。8、 真空腔室采用金属腔体，具备良好气密性，防止漏气，确保高真空度。尺寸直径260mm×高270mm（外尺寸 ），容积≥9300ml。适用更多样品。9、 样品台直径200mm，支持水平旋转、20度倾斜球形旋转。可放置≥12个标准SEM样品座。适用更多形状的样品，保证镀膜的均匀性。10、 溅射管头为双靶，配水冷。可支持磁控溅射、离子溅射，可溅射强磁性材料。11、 标配铜靶、铬靶各一块。直径50mm×3mm。其它可溅射靶材包括铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等12、 靶材均匀度直径50mm内，金属类膜厚均匀度可达±1%13、 可配直流恒流电源、射频电源（含匹配一体机）输入电压：220V输出电压：0-600v可调输出电流：0-1.6A可调14、 配置VPI液晶控制面板，可智能控制系统操作。操作简单，人机界面良好。15、 极限真空度5×10-5Pa，真空抽速300L/s。16、 标配自循环冷却水机一台。17、 气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。实现自动补气。18、可放置于桌面，减少占地空间。19、膜厚仪监控范围0～6000纳米。可监控速率0.001纳米/秒。与触摸屏程序操作相结合，可联动控制，监测膜厚。 原理： 溅射镀膜的原理是稀薄气体在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材表面进行轰击，把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方向射向基体表面，在基体表面形成镀层。溅射时产生的快电子在正交的电磁场中作近似摆线运动，增加了电子行程，提高了气体的离化率，同时高能量粒子与气体碰撞后失去能量，基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。SD-650MH高真空磁控溅射镀膜机博远微纳VPI镀膜设备指标品牌：北京博远微纳科技有限公司 型号：SD-650MH 仪器主机尺寸:长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高490mm） 工作腔室尺寸：金属腔体：直径260mm×高270mm（外尺寸 ） 直径210mm×高270mm（内尺寸） 靶材尺寸： 直径50mm×厚3mm（因靶材材质不同厚度有所不同） 靶材料：标配一块直径50mm×0.3mm的铜靶（可溅射弱磁性金属膜） 靶枪冷却方式：水冷 真空系统： 抗冲击涡轮分子泵，抽速为 300L/s 前级机械泵： 抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器 真空测量：采用复合真空计监测真空 极限真空度: 5×10-5Pa（10分钟可到5×10-4Pa） 电源：直流恒流电源： 输入电压：220V 输出电压：0-600v可调 输出电流（沉积电流）：0-1.6A可调 载样台： 旋转台等 工作气体： Ar等惰性气体） 气路：气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。实现自动补气。 沉积速率： 0-200nm 水冷： 自循环冷却水机 电源电压： 220V 50Hz 启动功率 ： 3KW 保修 ： 贰年 用途特点： 高真空磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、样品台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。高真空溅射可用于金属等新型薄膜材料的制备，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。

SD-650MHT双靶磁控溅射仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点,是一款实验室制备材料薄膜的理想设备。双靶磁控溅射仪原理:　　磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下zui终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。SD-650双靶磁控溅射镀膜机参数：品牌品牌 : 北京博远微纳科技有限公司 型号: SD-650MHT 仪器主机尺寸: 长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高720mm） 工作腔室尺寸： 金属腔体：直径260mm×高500mm（外尺寸 ） 直径210mm×高270mm（内尺寸） 靶头：双靶 靶材尺寸：直径50mm×厚3mm（因靶材材质不同厚度有所不同） 靶材料：标配一块直径50mm×3mm的铜靶及直径50mm×3mm的铝靶 靶枪冷却方式： 水冷 极限真空度: 5×10-5Pa（10分钟可到5×10-3Pa） 电源：直流恒流电源：输入电压：220V 输出电压：0-600v 输出电流：0-1.6A 射频电源和匹配器：功率500W。 载样台： 直径200mm 工作气体：Ar等惰性气体（需自备气瓶及减压阀） 气路： 气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。 水冷： 自循环冷却水机 膜厚仪 : 实时监测，触摸屏控制 可镀材料： 铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等 电源电压： 220V 50Hz 启动功率 3KW 【SD-650MHT安装 / 使用 环境】选择一个合适的仪器摆放位置：1、放置SD-650MT高真空磁控镀膜仪在一个长130cm,宽60cm的平面桌子上（桌子的承重需要在200KG以上）；2，放置“外置 旋转机械真空泵”及“冷水机”在一个合适的位置（地面 / 靠近镀膜仪主机）；3，系统总重量（镀膜仪、电器柜、选装泵、冷水机）约为208~240KG（选配不同），请确保有4人一起移动 / 搬运仪器；4，仪器的使用 / 运行环境温度为15~25摄氏度，相对湿度不超过75%；5,为仪器提供一个220V，16A的空开。6，确保使用 / 运行环境有足够的通风，并且避免阳光直接照射到仪器。7，氩气和氩气瓶解压阀需自备。

108自动真空溅射仪是目前较为先进的对样品进行预处理的仪器。主要适用于扫描电子显微（SEM）和X射线微观分析等表征工作前的镀金等贵金属处理。同时，彻底排除了真空度对成膜质量的影响，溅射电流，可“暂停”的时间控制和进气量的调节控制保证了溅射的质量。1、108自动溅射仪提供了完全自动或手动操作两种工作模式，其中包括自动放气和进放氩气控制。2、在自动模式中，可以通过数显工作时间或MTM-20膜厚监控仪（可选件）来实现镀膜的可重复性。3、为了获得高质量的镀膜，镀膜仪会根据一定的成膜速率和真空室内的气压来调控工作电流值。4、采用直流磁控管低压“超冷”溅射，使得镀膜时对试样的热影响最小。5、电子阀结合针阀设计使得放气、充气操作简单快捷。6、可以快速更换溅射靶材 技术参数表腔体尺寸120mm OD x 120mm height (4.75x 4.75")靶材标配Au 选配Au:Pd, Pt, Pt:Pd规格57mm dia x 0.1mm thick样品台12孔SEM钉型样品台支架高度60mm可调真空度大气压 - 0.001mb工作电压200-240 VAC, 50Hz工作功率300W

真空紫外 ～ 软X射线光谱仪总览 McPherson可提供掠入射极紫外光谱仪,C-T，S-N，正入射，平场掠入射，掠入射C-T等多种结构的光谱仪，满足不同的应用，覆盖红外 - 可见 - 紫外 - 真空紫外 - 极紫外 - 软X射线全波段。大多数光谱仪可以和Andor 真空紫外CCD相机配合使用，成为该波段的摄谱仪。同时，McPherson提供范围极为宽广的VUV - XUV 光源、真空内光学器件、真空快门、真空狭缝等等，并可组建完整的真空紫外光谱系统。 波长范围(nm)分辨率(nm)焦距(mm)型号结构扫描功能CCD/MCP适配成像超高真空（选项）30 - 2,2000.1200234/302像差矫正S-N●●●30 - 1,2000.05500235S-N●●●105 - 20,0000.04670207VC-T●●●●30 - 1,2000.0151,000205自动聚焦正入射●●●●30 - 1,2000.0251,000231S-N●●●105 - 20,0000.011,330209VC-T●●●●30 - 2500.0053,0002253自动聚焦正入射●●●●30 - 2500.0026,650265离面正入射●●●●1 - 3100.0181,000248/310罗兰圆掠入射●●●1 - 800.025,650251MX平场变栅距光栅掠入射●●8 - 1200.08800OP-XCT离面掠入射C-T●●●●8 - 1200.12,000XCT掠入射 C-T●●●●10 - 1700.05292251平场轮胎面光栅掠入射●●●离面掠入射C-T结构光谱仪234/302 S-N 结构光谱仪 XUV空心阴极光源真空紫外光谱测试系统

2 0 8HR 高分辨离子溅射仪是场发射扫描电子显微镜（FESEM）样品表面导电处理的理想设备。FESEM制样要求导电镀层在保持连续均匀的条件下，镀层粒子的粒径尽量的小，进而不会影响样品表面精细微观结构的观察。为了得到高质量的镀层， 208HR提供了所需的溅射沉积条件。其中，208HR的真空系统配备了前级机械旋片式真空泵或者无油隔膜泵，二级真空为涡轮分子泵作来提高样品室的真空度，从而使溅射镀层的粒度均匀细小，满足FESEM的制样要求。此外，自动智能的控制系统，使得操作更加简单容易，并且有很好的重复性。常用的溅射镀膜材料：Pt/Pd: 多用途的高质量的非导电样品的溅射镀膜材料Cr: 半导体材料和高分辨背散射电子成像的理想材料Ir:高性能、粒径均一的镀膜材料主要特点：1、配合不同的靶材可溅射多种材质的薄膜2、高精度的膜厚控制（选配MTM-20 膜厚监控仪）3、多角度的旋转样品台支架，使得成膜更加均匀4、多孔样品台支架行星式旋转样品台5、高度可变的真空腔，使得成膜速率在1.0nm/sec到0.002nm/sec之间可调。6、0.2 - 0.005 mbar大范围的工作气压7、紧凑、现代、桌式设计节省了空间8、操作简单安全，抽气、溅射、放气智能一体化程序设计 Specifications 溅射磁头Sputter head低电压平面磁控管Low voltage planar magnetron快速方便靶材装卸Quick target change环绕暗场保护Wrap-around dark-space shield遮板调试靶材Shutter for target conditioning靶材Targets标配：Cr, Pt/Pdor IR (Iridium coater)选配： Au, Au/Pd, Cu, Ni, Pd, Pt, Ta, Ti and W 溅射配套系统Sputter supply微程序处理器Microprocessor based安全联锁装置Safety interlock不受真空度影响的恒电流控制系统Constantcurrentcontrol independent of vacuum数显可选电流Digitally selectable current (20, 40, 60 or 80mA) 样品台Sample stage行星式0-90°手动旋转样品台Non-repetitive rotary, planetary motion with manual tilt 0-90°转速可调Variable speed rotation4样品台支架Crystal head 4 sample holders仪表Analog metering真空度：大气压-0.001mbVacuum Atm - .001mb工作电流：0-100mACurrent 0-100mA 控制模式Control method自动抽放气Automatic operation of gas purge and leak functions全自动溅射操作Automatic process sequencing可暂停数显时间设置 Digital timer(0-300 sec) with pause自动放气 Automatic venting真空系统Pumping System涡轮分子泵和旋片式机械真空泵Turbo drag / rotary pump combination抽气速率Pumping speed300 l/min at 0.1mb抽气时间Pumpdown Time1 min to 1 x 10-3mb极限真空Ultimate pressure1 x 10-5mb

溅射离子枪主要用途:溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀技术指标:离子能量25eV - 5keV总的离子束电流1mA (at 5kV with Argon)High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)电流密度120μA/cm2 at 100mm working distance离子束发散角Ion energy dependant (typically 15°)工作距离100 mm (typically)等离子体杯Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)气体进气口径CF-16 (1.33“OD)气体流速1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)工作真空度10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.激发模式微波放电等离子体 (无灯丝)安装口径CF-35 (2.75“OD)枪直径34mm (真空端)泄露阀需要气体质量流量计第二代等离子体源，可以提供离子源，原子源，离子/原子混合源原子源主要用途：制备氮化物， e.g. GaN, AlN, GaAsN, SiN etc.氢原子清洗，氢原子辅助MBE.制备氧化物， e.g. ZnO, Superconductors, Optical coatings, Dielectrics. 掺杂， e.g. ZnSe离子源用途:离子束辅助沉积(IBAD) for both UHV and HV processes溅射沉积，双离子束溅射，Sputter deposition and dual ion beam sputtering溅射清洗/表面科学中的样品表面处理，Sputter cleaning / surface preparation in surface science, MBE and HV sputter processes.原位刻蚀， e.g. Chlorine 技术参数：真空兼容性：完全UHV兼容可烘烤：200°C微波功率：最大250W，2.45GHz磁铁类型：永久稀土。可在不破坏真空的情况下进行烘烤安装：NW63CF（4.5“OD）真空长度：300mm（可定制长度）：真空直径最大值=57mm光束直径：源处约25mm（较窄的光束也容易产生）等离子杯：氧化铝孔径：氧化铝或氮化硼气体流速：0.01-100sccm，取决于所选孔径工作压力：约10-7托至5x10-3托，取决于孔径、泵和应用-请联系tectra讨论您的应用。提供差动泵选项工作距离：50mm-300mm。150mm（典型值）冷却：全水冷（包括磁控管）电源：微波炉电网供电**仅限离子源和混合源19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz主要特点：无灯丝适用于大多数气体，包括反应性气体，如氧气、氯气、氢气、氮气等。无微波调谐出厂设置，只需打开和关闭等离子。用户可配置提取光学器件设计为可快速方便地更换，允许用户自定义其来源，以适应样本大小、工作压力和电流密度的特定组合。易于更换的孔径使光束直径、气体负载和原子通量得以优化。简单烘烤制备新的可烘烤ECR磁体只需松开4个螺钉，即可进行简单的烘烤准备。磁体不需要移除，但仍位于封闭冷却回路的空气侧。因此，没有烧结材料暴露在真空中。Al2O3等离子区氧化铝等离子杯作为标准，具有更高的二次电子产量、更好的抗腐蚀性气体（如氧气）和理想的等离子打击能力从法兰（刀口侧）到外壳端，空气侧环境坡度的最小值仅为258mm

全自动知识产品没有热损伤，效率更高，颗粒度更细，更适合高分辨电镜镀金仪应用领域1、高分辨扫描电镜样品制备（实际放大倍数≥100K）2、电极制备-可制备各种金属电极、ITO电极高真空磁控离子溅射仪(镀金仪)配置与技术参数名称&型号高真空磁控离子溅射仪GVC-2000T真空系统涡轮分子泵（进口 ）：德国莱宝90i （单磁悬浮分子泵，抽速为90L/s）旋片式真空泵：浙江飞越VRD-4 （抽速为 1 .1L/s）真空测量全量程复合真空规（进口）：1.0E5Pa-1E-4Pa系统极限真空≤5E-3Pa溅射电源磁控溅射电源,最大功率150W可用靶材所有金属靶材，ITO靶材溅射电压300-600V,根据选择靶材、控制参数不同而变化溅射电流0-200mA连续可调,步长5mA溅射时间0-9999s, 连续可调步长1s操作界面7英寸TFT彩色液晶触摸屏,分辨率800×480操作方式一键操作抽气节拍＜15分钟控制方式只需设定溅射电流和时间即可，全自动控制具备预溅射挡板（预溅射时间可设定),全自动控制保护功能软硬件互锁、防止误操作，具备电流、真空保护等样品台直径φ125mm，可自转，可自动手动控制，转速4-40rpm可调真空室高硅硼玻璃，规格尺寸约φ200×130mm电源供电220V 50Hz 最大功率800W尺寸&重量重量 424（长) ×345（深) ×420mm（高）、 25 kg （净重)冷却方式内部风冷选配样品台选择、膜厚控制、温度监测等镀膜样品示例： 靶材-银 靶材-钨 靶材-铬 靶材-镍 靶材-钒 靶材-锡 靶材-铜 靶材-钽 靶材-贴 靶材-钛 靶材-铅 靶材-钼 靶材-铝 靶材-铂 靶材-金 靶材-锆 靶材-铒 靶材-ITO

产品优势： 可制备各种金属、 单质、 无机非金属薄膜 不破真空情况下， 可实现多层复合膜制备 一键操作， 全自动控制， 智能化程度高 一致性、 重复性好 内置多重靶材工作参数， 无需摸索镀膜工艺 体积小， 结构紧凑， 非常节约空间 产品参数：外形尺寸（主机）424(L)×345(D)×420(H)输入电源220V/50Hz 1000W溅射靶头 1直流磁控溅射可用靶材金属靶材溅射靶头 2射频磁控溅射可用靶材无机非金属靶材真空系统涡轮分子泵+旋片式真空泵抽速90L/s + 1.1L/s真空测量复合式真空规量程范围1E-3 ~ 1E5Pa真空室φ 200×130mm 高硼硅玻璃抽气节拍10 分钟（≤5E-3Pa）样品台尺寸φ 90mm样品台切换自动控制溅射靶材尺寸φ 57mm（厚度 0.1-2mm）工作真空0.1-2Pa操作界面7 英寸 TFT 触摸式液晶屏操作语言中文（可选其它语言）冷水机小型台式制冷机冷水机功率180W预溅射挡板标配全自动控制预溅射挡板 膜厚仪（选配）可实时显示镀膜厚度，并通过设定来控制镀膜过程，测量精度 0.01nm，设定精度 0.1nm，单次设定范围 1-999nm温控组件（选配）样品台加热模块 300℃/500℃旋转组件（选配）倾斜旋转、行星旋转等小车（选配）将主机、射频电源、冷水机等组装在一起，整体性好安装环境220V/10A 三孔插座一个、纯度 4N 及以上的高纯氩气（出口压力 0.12MPa）

高真空磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。距离可调整基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 角度可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。控制系统采用计算机＋PLC两级控制系统安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×10^5Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。 -Φ2 ～Φ3 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.用户评价：TRP-450高真空镀膜机其设备质量过关，功能齐全，性能稳定，自动化程度高，抽气速平稳，电源稳定可靠，气路流畅密闭，镀膜质量平整光滑，均匀致密，结合力强，且系统操控智能，便捷，可满足科研实验与生产制造的需求，是一款优秀的磁控溅射镀膜系统。——北京石墨烯技术研究院有限公司 李老师4.真空室：真空室结构:圆筒形开门 真空室尺寸:φ450x400mm 限真空度:≤6.6E-6Pa沉积源:永磁靶3套，φ2英寸，可以向上溅射或向下溅射。 样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约1米×1.8米×2米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

瑞士Safematic电镜制样设备CCU-010 HV_SP-010高真空离子溅射镀膜仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010 HV_SP-010高真空离子溅射镀膜仪为一款结构紧凑、全自动型的离子溅射仪，使用非常简便。采用独特的插入式设计，变换镀膜头非常简单。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免交叉污染。标配FTM膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能离子溅射仪，可选等离子处理附件✬ 独特的即插即用溅射模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 标配隔膜泵和涡轮泵；全量程真空测量（皮拉尼，冷阴极真空计）✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 HV系列高真空镀膜系统，除了用于SEM和EDX的常规高质量溅射镀膜之外，还涵盖了最高级的SEM，TEM和薄膜应用。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。LC-006金属大腔室LC-006是当前玻璃腔室的扩大版，为铝制结构。这个可选的金属腔室可容纳6"晶圆或其它大尺寸样品，而且消除了对内爆防护的需求。在CCU-010上选配LC-006, 无需任何修改就可实现更大样品和晶圆的镀膜。SP-010 & SP-011溅射模块 两种溅射模块一旦插入CCU-010 LV和CCU-010 HV镀膜主体单元，即可使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长，非常适合需要较厚膜的应用。 可选多种溅射靶材，适合SEM、FIB和各种薄膜应用。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具。对于极细颗粒尺寸镀膜，推荐使用涡轮泵抽真空的CCU-010 HV系列镀膜仪。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。SP-011与CCU-010 HV相结合，可满足诸如DLC，ITO或铁磁溅射材料镀膜等具有挑战性的应用。ET-010等离子刻蚀单元 在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。选用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力；也可在样品镀膜后进行等离子处理，从而对膜层表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪及其版本CCU-010 HV系列高真空镀膜系统专为满足电镜样品制备领域及材料科学薄膜应用的最高要求而设计。CCU-010 HV 高真空溅射和镀碳仪采用优质组件和智能设计，可在超高分辨率应用中提供出色的结果。该设备是全自动抽真空和全自动操作，所有CCU-010 HV系列高真空版本的镀膜仪，均采用TFT 触摸屏，配方可编程，保证结果可重复。CCU-010 HV 标配抽真空系统完全无油，含高性能涡轮泵和前级隔膜泵，均位于内部，外部没有笨重的旋转泵和真空管路。这是一款尺寸合理的桌上型高真空镀膜仪。使用无油抽真空系统可将镀层中的污染或缺陷降至最低。关闭时，该设备可以保持在真空下，这有效地保护了系统免受灰尘和湿气的影响，并为高质量的镀层创造了快速抽真空和有利的真空条件。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪版本有：CCU-010 HV高真空磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 HV高真空热蒸发镀碳仪；CCU-010 HV高真空离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 HV高真空手套箱专用镀膜仪。CCU-010 HV系列高真空镀膜的主要亮点在于实现了两大技术性突破：一是独家采用自动碳纤维供给系统，在不破真空更换碳源的情况下可进行数十次的镀碳运行，比市场上常见的单次、双次或四次碳纤维镀膜方式节省大量的人工操作，既适用于大多数常规镀碳应用，也适用于超薄或超厚碳膜以及温度敏感样品的应用。二是将“镀膜前对样品表面进行等离子清洁（增加附着力）+镀膜+镀膜后对膜层表面进行改性（比如：亲水化）或刻蚀”全流程集于同一台仪器同一次真空下完成，大大提高了镀膜质量，拓宽了应用范围。另外，瑞士制造，是“精密”和“高品质”的代名词；瑞士原厂货源，覃思本地服务，客户买得放心、用得省心！

SD-900M 型离子溅射仪外观亮丽做工精致。可用于不耐高温的样品，对不耐温的样品起到保护作用。不至于产生形变等（如：薄膜类样品，树脂类等等） 磁控溅射是物理气相沉积的一种。 一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点， 磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。 经工程师测试3分钟内的工作温度约为60度。可升级为手套箱专用手套箱版图需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。SEM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料原理： 在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的倾向；另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时，已变成低能电子，从而不会使基片过热。参数：主机规格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）靶（上部电极）：金：50mm×0.1mm（D×H）靶材：Au（标配）也可根据实际情况配备银靶、铂靶等样品室：硼硅酸盐玻璃160mm×120mm（D×H）样品台：可安装直径50mm和直径70mm的样品台，也可根据自身要求定制样品台靶材尺寸：Ф50mm 真空指示表： 最高真空度：≤ 4X10-2 mbar离子电流表： 最大电流：100mA定时器：数码 最长时间：0-999S微型真空气阀：可连接φ3mm软管可通入气体： 多种最高电压： -1600 DCV机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8）输入电压：220V(可做110V),50HZ溅射速录：40nm/min特点：1、经济、可靠、外观精美。2、成膜速率高。3、基片温度低。4、膜的粘附性好。5、可实现大面积镀膜。6、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。7、SETPLASMA手动启动按钮可预先设置好压强和溅射电流避免对膜造成不必要的损伤。8、真空保护可避免真空过低造成设备短路。

PicoFemto透射电镜真空转移样品杆，关于价格请咨询(微信同号)透射电镜真空转移样品杆采用可伸缩的样品杆端头设计，从而实现将样品从真空室或手套箱的真空环境下转移到透射电镜内的目的，避免样品被大气环境影响。性能指标：● 兼容指定型号电镜及极靴；● 保证电镜原有分辨率；● 保证电镜真空度；● 可选双倾方案，β方向倾转角为±25°，同时受限于极靴。 以上就是泽攸科技对PicoFemto透射电镜真空转移样品杆的介绍，关于真空转移样品杆价格请请咨询(微信同号)原文： 安徽泽攸科技有限公司，是一家具有完全自主知识产权的先进装备制造公司。公司集研发、生产和销售业务于一体，向客户提供原位电镜解决方案、扫描电子显微镜等设备，立志成为具有国际先进水平的电子显微镜及附件制造商。 　　 公司有精通机械、光学、超高真空、电子技术、微纳加工技术、软件技术的团队，我们为纳米科学的研究提供的设备。公司团队于20世纪90年代投入电镜及相关附件研发中，现有两个系列核心产品： 　　　 （1）PicoFemto系列原位TEM/SEM测量系统； 　　　 （2）ZEM15台式扫描电子显微镜。 　　　 PicoFemto系列原位TEM/SEM测量系统自问世以来，获得了国内外研究者的高度关注，并且已外销至澳洲、美国、欧洲等地。我们协助用户做出大量研究成果，相关成果发表在Nature及其子刊/JACS/AM/Nano. Lett./Joule/Nano. Energy/APL/Angewandte/Inorg. Chem.等高水平刊物上。 目前在国内使用我公司产品的课题组/实验平台多达八十余个，遍布五十余所大学/研究机构，包括中科院过程所、北京大学、清华大学、浙江大学、中科院硅酸盐研究所、厦门大学、电子科大、苏州大学、西安交通大学、武汉理工大学、上海大学、中科院大连化物所等等。国外用户包括澳洲昆士兰科技大学、英国利物浦大学、美国休斯顿大学、美国莱斯大学等。

VTC-600G高真空磁控溅射仪是新自主研制开发的镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600G高真空磁控溅射仪可选配多个靶枪，配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点，是一款实验室制备材料薄膜的理想设备，特别适用于实验室研究固态电解质及OLED等。可选配多个靶枪，配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜（靶枪可以根据客户需要任意调换）。可制备多种薄膜，应用广泛。体积小，操作简便。整机模块化设计，真空腔室、真空泵组、控制电源分体式设计，可根据用户实际需要调整。可根据用户实际需要选择电源，可以一个电源控制多个靶枪，也可多个电源单一控制靶枪。产品名称VTC-600G高真空磁控溅射仪产品型号VTC-600G主要参数1、结构：台式前开门结构，后置抽气系统。 2、极限真空：6.0X10-5Pa。 3、漏率：1h≤0.5Pa。 4、抽气时间大气至5.0X10-3约20分钟。 5、真空泵组：机械泵+分子泵。 6、样品台:φ140、室温-500℃、精度±1℃ （可根据实际需要提升温度） 自转5rpm-20rpm内可调。 可根据客户需求选配加装偏压功能， 以实现更高质量的镀膜。7、加气系统：质量流量计2路。 （氩气/氮气各一路） 8、靶头与样品台中轴线夹角为34° 9、靶头数量：3个（互成120°）。10、 靶枪冷却方式：水冷 11、靶材尺寸：φ2″，厚度0.1-5mm （因靶材材质不同厚度有所不同）12、产品规格：尺寸：整机尺寸：700mm×852mm×1529mm；序号名称数量图片链接1样品台挡板（可选）

仪器简介：典型应用是氩离子溅射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型离子源)溅射清洗 /表面准备，用于表面科学， MBE ，高真空溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀高性价比IG2溅射离子枪套件是低成本离子束蚀刻和溅射清洁样品的完美解决方案，用于表面分析、清洁STM尖端、一般真空科学和纳米技术应用。如果您只想清洁样品或 STM 吸头的表面，为什么要支付超出您需要的费用？这种操作简单且可靠的溅射离子枪和控制构成了当今市场上价格最低的封装！IG2 还可以使用惰性气体（如氩气和氧气）运行。操作理论IG2离子源产生高能惰性气体离子束，用于溅射蚀刻固体表面。该源需要使用惰性气体（如氩气）的静压为 5x10-5 torr（有关兼容气体列表，请参见数据表）。离子在离子源的双丝电离室内由电子撞击产生，然后以高达2 kV的能量聚焦在目标上。通过使用离轴灯丝几何形状，离子束的杂质含量最小化。聚焦透镜允许在给定的工作压力和源到样品距离下获得高离子电流密度。双钨丝组件允许在第根灯丝打开时继续运行。在推荐的工作条件下，灯丝组件的预期寿命在正常使用下为数年。灯丝组件在现场很容易更换。32-165 型 2 kV 离子源控制器提供操作 04-165 2 kV IG2型离子源所需的所有必要电压和电流。光束电压可以手动、远程或使用内置定时器激活。此外，阳极（离子）和灯丝电流以及光束和聚焦电压可以在外部进行监控，以确保溅射条件的准确再现。

EMS 150/300是一款多功能紧凑型镀膜系统, 对于SEM, FESEM,TEM样品制备及其它镀膜应用非常理想, 直径为165mm/300mm的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品, 尤其在配套电镜应用中提高成像质量提供6个版本的仪器：EMS150R S Plus – 喷金仪/离子溅射仪（真空喷镀非氧化型金属, Au, Pt, Pd等）EMS150R E Plus – 喷碳仪/碳蒸镀仪（真空喷镀碳膜, 特别适用于EDS,EBSD）EMS150R ES Plus–真空镀膜仪（ 集150R S和150R E功能于一体, 结构紧凑）EMS150T S Plus– 高真空离子溅射仪（分子泵高真空, 多靶材, Cr, W, Cu, Pt等）EMS150T E Plus– 高真空碳蒸镀仪（分子泵高真空适用于TEM/Cs-TEM使用）EMS150T ES Plus–高真空镀膜仪（ 集150T S和150T E功能于一体, 结构紧凑）EMS300R T–大样品室多溅射头镀膜仪（ 300mm大样品室，3个溅射头保证大面积均匀镀膜效果）150R是一款多功能紧凑型机械泵抽真空镀膜系统，对于SEM样品制备及其它镀膜应用非常理想。直径为165mm/6.5”的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品 – 尤其用于在SEM应用中提高成像质量。150R S Plus机械泵抽真空离子溅射镀膜仪，适于给样品镀制不氧化金属膜（即贵金属膜），如金、银、铂和钯。150R E Plus机械泵抽真空蒸发镀碳仪，使用碳丝或碳绳为SEM样品镀膜。150R ES Plus集150R S Plus 和150R E Plus两者的功能于一体，节省空间。这个双重用途、结构紧凑、机械泵抽真空的镀膜系统标配有溅射插入头和碳丝蒸发插入头 – 可提供多用途镀膜。此外，辉光放电选项也是可用的（仅150R S Plus和150R ES Plus版本），它可实现样品表面改性（如疏水表面改为亲水表面）。快速简便：快速、易更换的镀膜插入头，能在同一个紧凑设计中实现金属溅射、碳蒸镀和辉光放电三者之间的快速转换。采用全自动触摸屏控制,可快速输入数据。与镀膜处理方法及镀膜材料相适配的镀膜参数方案可通过触摸按键实现预设并储存。自动放气控制功能确保了溅射期间真空状态，可提供良好的一致性和可重复性。易使用：智能识别系统可自动探测安装了何种类型的镀膜插入头，以便立即运行相应的镀膜方案。可存储多个用户自定义的镀膜方案 – 这对于需更改镀膜参数实现不同应用的多用户实验室非常理想。多种样品台组件适用于各种尺寸和类型的样品；所有样品台都带有快速、易更换及落入式设计的特点。功能强大、可重复镀膜及高可靠性：可预编程的镀膜参数及方案能确保一致且可重复的结果。需要沉积厚膜时，本系统提供长达60分钟且无需破真空的溅射时间。设计先进的碳蒸镀插入头操作简单,具有对蒸发电流参数的完全控制，确保了SEM应用中一致的和可重复的碳沉积。可选的膜厚监控附件用于可重复的膜厚控制。适配性强且用途广：溅射、碳蒸镀、辉光放电插入头及多种可选件，使Q150R对于多用户实验室应用非常理想。可溅射一系列不氧化金属，如金、银、铂和钯。碳丝蒸镀插入头处理样品速度非常快。也可选用碳棒蒸发。还可应用于金属薄膜研究及电极的应用。

等离子溅射和蒸发二合一镀膜仪配备了直流溅射靶和热蒸发组件，不但可以用于等离子溅射方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或者其他金属单质的薄膜。仪器元件高度集成化，在同一个腔体内即实现了两种镀膜功能；本镀膜仪采用304不锈钢腔体作真空腔体，镀膜过程完全可见。仪器标配双极旋片真空泵，能够快速达到1.0E-3Pa的真空度,极限真空度1.0E-5Pa，可满足大多数蒸发镀膜实验和二极溅射实验所需的真空环境。本仪器体积小，节省空间，能够置于试验台上使用，一机多用，性价比突出，非常适合各大高校及研究机构选用。离子溅射和蒸发二合一镀膜仪适用范围：扫描电镜样品表面喷金、蒸金喷碳等操作，以及非导体材料试验电极的制作等。 离子溅射和蒸发二合一镀膜仪技术参数：供电电压AC220V，60Hz最大功率1200W样品台直径φ65mm；与蒸发源间距可调，调节范围60mm-100mm真空腔体材质：304不锈钢 O.Dφ168mm x I.Dφ160mm x 210mm最高温度1700℃热电偶B型热电偶真空计电子式真空计真空系统前级泵：浦发MVP030 无油泵 抽速30L/min次级泵：莱宝TURBOVAC 90iX 抽速90L/s真空接口KF40进气接口1/4卡套接头整机尺寸500x350x400mm

PI的X射线相机使用科学级，二维CCD探测阵列。每一个产品都融入了超低噪声电子电路，多读出口，多增益等非常优秀的工艺。高速读出的速度可以方便准直，聚焦，高速采集等操作；低速读出有利于低噪声精准的数据采集。 多增益可以在低噪声的同时提升图像的信噪比。我们的X射线相机具备16位的数模转换电路，工业标准的接口，方便搭建实践平台和OEM扩展。 PI-MTE 真空内置X射线相机超小的真空内置X射线相机普林斯顿仪器作为领先的超低噪声科研相机，很荣幸向您推荐我们广受好评的真空内X射线相机。 PI-MTE是超小巧的热电制冷型CCD相机，适用于软X射线的直接探测 （30 eV to ~20 keV），并且可以在真空腔内长时间无间断工作。 PI-MTE相机拥有以下重要特点:• 背照式CCD， 2k x 2k 分辨率，无抗反射镀膜• 可探测范围：30 eV to ~20 keV• 紧凑的机械设计，充分利用真空腔内部空间• 高速USB2.0接口High Speed USB 2.0 interface• 灵活的读出速度50 KHz to 2 MHz• LightField可实现全面的控制 产品综述专为真空内部使用而全新设计的相机!PI-MTE是一款专为适应超高真空度而设计的相机。同时也是超小巧的科研级相机，PI-MTE可以满足条件苛刻的软X射线成像成谱应用，例如高能激光，X射线显微镜，X射线等离子诊断，X射线干涉成像，深紫外刻蚀技术 等等。 PI-MTE可用于各类实验室到同步辐射源，为各个领域的科研者提供了超低噪声，高动态范围的表现，已经成为普林斯顿仪器的标志性产品之一。 热电制冷设计可以支持大尺寸CCD，例如2048X2048分辨率。 产品特点 30 eV to ~20 keV 能量的X射线实验:广泛适用于各类软X射线的应用，例如 X射线显微镜，X射线等离子诊断，X射线干涉成像，深紫外刻蚀技术，以及X射线干涉刻蚀等。 反复证明的真空兼容设计:一款可用于真空腔内部的深紫外X射线相机芯片深度制冷到-55°C ，极大减少暗电流噪声高效的热传导设计，可长时间持续操作，无需间歇性关机。 高速USB2.0数据接口:任何电脑直接连接，无需额外硬件可选择光纤转换器实现50米外远程控制真正的16位数据传输能力，最高可达2MHz读出速度。 灵活的双读出放大器:两个独立的读出放大器，可以处理低噪声和高动态范围两种应用独自优化设计的时钟，提供最优的读出噪声 LightField software 轻松控制 LightField的64-位操作平台:直观易上手的用户界面设计自动背景扣除，平场纠正和误差检测PICAM（64）位通用程序语言，方便的程序修改与编译 型号规格PI-MTE In-Vacuum Direct Detection X-Ray相机型号比较和数据表ModelImaging ArrayPixel SizeEnergy RangePeak AbsorptionEfficiency1300B 1340 x 130020 x 20 μm~ 1.15 eV to 9 keV95%2048B 2048 x 204813.5 x 13.5 μm~ 1.15 eV to 9 keV95% 产品应用X-Ray Plasma DiagnosticsHot and dense plasmas are of enormous interest in basic physics research because of the multitude of interesting phenomena that arise from them. Soft X-Ray MicroscopySoft X-ray Microscopy is used for imaging and researching the elemental composition and structure of biological samples and more. EUV LithographyEUV lithography is gaining popularity because it retains the look and feel of the traditional optical lithography process (i.e., utilizes the 13.5 nm wavelength) and uses the same basic design tools. X-Ray SpectroscopyX-ray absorption spectroscopy is an element-specific probe of the local structure of elements in a material.

150T Plus为紧凑的分子涡轮泵镀膜系统，适合SEM、TEM及许多薄膜应用。150T Plus 集成了溅射和碳蒸镀两种沉积镀膜功能的高分辨镀膜系统 新款改进● 触摸屏更换成便于操作的电容触摸屏● 固件更新，新版操作界面类似安卓系统，便于客户上手● 新的彩色LED可视状态指示灯● 双核ARM处理器，可快速响应● USB接口可以用于固件更新，并可将镀膜方案文件备份/复制到USB存储设备● 可以通过USB端口以.csv格式导出过程日志文件，以便统计分析主要特点: ● 金属溅射或碳蒸发一体化设计，节省空间 ● 适合FE-SEM制样的精细镀膜和薄膜应用 ● 涡轮分子泵高真空系统，适合不氧化贵金属和易氧化其它金属靶材 ● 全自动触摸屏控制，快速数据输入，操作简单 ● 可储存多个客户自定义镀膜方案：对多用户实验室十分理想 ● 预编程自动真空控制 ● 使用膜厚监控选件精确控制膜厚 ● 智能系统识别，自动感知用户所插入镀膜头的类型 ● 高真空碳蒸镀，对SEM和TEM镀碳膜应用非常理想 ● 先进的碳棒蒸镀枪设计和电流控制技术，操作简单，重现性好● Drop-in式快速换样品台（标配旋转台） ● 真空闭锁功能，让工作腔室在待机使用时亦处于真空状态 ● 不破坏真空条件下的溅射时间可长达60分钟，适合材料科研应用 ● 人体工程学设计，整体成型机壳，维护、拆装容易 技术参数: ● 工作腔室：165mm外径 x 127mm高 ● 触摸屏全图像用户界面 ● 靶材：标配直径57mm x 厚0.3mm Cr靶● 样品台：标配旋转台，直径60mm，转速8-20 rpm ，可选配旋转倾斜台。● 真空系统： 涡轮分子泵：带有空气冷却的涡轮分子泵 旋转机械泵：双程旋转机械泵 ● 极限真空度：5 x 10-5mbar● 溅射真空度： 5 x 10-3 到 5 x 10-1mbar之间● 溅射电流：0-150mA；可预设膜厚或使用内置定时器（选配） ● 溅射时间：最长60分钟 ● 碳蒸发：稳定的无纹波直流电源控制的脉冲蒸发，确保碳棒可重复蒸碳，电流脉冲1~90A。● 尺寸和重量：仪器机箱585mm宽x 470mm长 x 410mm高 (总高: 650mm)

1.产品概述：高真空磁控溅射与离子束复合薄膜沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业先的软件控制系统，用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。2.产品工艺：真空室结构:圆筒形上升盖真空室尺寸:φ550x450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:磁控靶3套，φ2英寸； 四工位转靶1套；样品尺寸，温度:φ2英寸，6片。高可以到达800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动控制工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%溅射源：考夫曼离子源 Kaufman 2套，φ2英寸

ISC150离子溅射仪升级版本，采用无油隔膜泵+分子泵获得高真空环境，保证样品喷金处理过程不会产生二次污染。特别适用于追求高分辨率FE-SEM样品的喷金喷铂，光电薄膜制备，电极材料制备及其他金属镀膜用途。 本离子溅射仪主要的特点就是“无油，高真空”，制备薄膜纯度更高，薄膜质量更优；并且能够在超净间内使用。 另外附加原位等离子清洗选配模块，针对SEM样品清除碳氢污染（有机物积碳污染），实现样品表面活化和亲水化处理。注：对于医疗器械类产品，请先查证核实企业经营资质和医疗器械产品注册证情况

黑体辐射源产品概述 俄罗斯VNIIOFI高温系列黑体辐射源是由俄罗斯联邦技术控制和计量署的“全俄光学物理学测量研究所”研制的。目前，已经在全*16个国家计量院得到应用，包括美国、德国、英国、中国和韩国等，而且已经得到用户的广泛赞誉。 俄罗斯VNIIOFI高温系列黑体辐射源是在UVI(UVVIS-IR)光谱范围内发射光学辐射的标准热源，主要作为辐射测量系统和分光光度系统的标准辐射源使用。目前其主要被用作光谱辐射亮度标准辐射源，光谱辐射照度标准辐射源，光学高温计校准标准辐射源，辐射温度测量标准辐射源等。 BB-PyroG2500/3000高温黑体炉(800℃~2500℃/3000℃)，主要应用于辐射测量、辐射温度测量。由热解石墨制作而成的圆柱形的辐射腔，其内径为10mm(也可以选择延伸至25mm)。空腔发射率为0.9995±0.0005。 黑体辐射源产品参数 型号BB-PyroG2500/3000温度范围800°C ～ 3000°C发射率0.9995±0.0005辐射腔体内径25mm（或10mm或15mm）辐射腔体口径20mm（或10mm或12mm或15mm）*大电流320A（在3000°C）*大电压25V辐射体的工作寿命在2800K时，大于500小时在3200K时，大于150小时工作气体氩气或者真空气体消耗量3L/分钟（主线） 0.4L/分钟（气帘线）冷却介质水固定方式垂直或水平放置外形尺寸长度大约460mm 直径200mm

1.产品概述：高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统主要由溅射真空室、旋转靶台、抗氧化基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。2.设备用途：高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大院校、科研院所进行薄膜材料的科研。3.产品优点：可对化学成分复杂的复合物材料进行全等同镀膜，易于保证镀膜后化学计量比的稳定。反应迅速，生长快，通常一小时可获得一定厚度的薄膜。定向性强、薄膜分辨率高，能实现微区沉积。生长过程中可原位引入多种气体，对提高薄膜质量有重要意义。容易制备多层膜和异质膜，通过简单的换靶即可实现4.真空室结构:球形结构真空室尺寸:Ф300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:Φ30mm,每次可装4块靶材，可实现公转换靶位；每块靶材可自转，转速5～60转/分；样品尺寸，温度:1英寸，高800℃占地面积（长x宽x高）:约1.8米x0.97米x1.9米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

英国Raptor Photonics公司的Eagle XV真空腔内X射线相机是专门为真空特殊工作环境设计的，可以直接放置在真空腔室内使用。相机采用了Teledye e2v公司的背照式CCD芯片，100%的填充因子，可直接探测从真空紫外(极紫外)到软X-ray波段(12eV-20keV能量范围)。主要特性相机放置在真空腔室内使用来自Teledyne e2v的背照式CCD芯片可直接探测能量范围12eV-20keV制冷温度-80℃，暗电流0.0005e-/p/s提供完整真空馈通的解决方案真空度兼容性10-5至10-8mbar技术参数典型应用EUV X射线光谱软X射线显微镜VUV/EUVIXUV光刻X射线行射成像(XRD)X射线荧光成像(XRF)X射线相衬成像X射线等离子体诊断X射线源特性分析

仪器简介：此系统可以配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研. 高真空条件沉积模式（使用机械泵+分子泵，或冷凝泵）。多种组合沉积模式，同一腔体实现多种功能沉积方式，沉积源模式有:磁控溅射源Sputter source电子束蒸发E-beam SourcesK-cell蒸发热蒸发Thermal sources氧化物源Oxide sources此系统高度灵活，软件操作方便，专业为研究机构沉积超纯度薄膜，真正的高真空沉积系统。The System is designed to be a highly flexible system for thin-film research in ultra pure conditions. The system can be configured to be true-UHV and allows for multiple deposition component options. 感谢中科院上海应用物理研究所上海光源同步实验部用此设备，为广大专业研究人员提供服务！！上海光源同步实验部配置的是磁控溅射（直流和射频均有）和电子束蒸发的组合功能，膜厚均匀性(镀膜500纳米左右厚度)均达到3%，这种组合系统极大地扩展了沉积功能，性能价格比超高，是研究人员的有力工具！！使用此系统的主要用户还有：中国计量院，吉林大学，中国科技大学，中北大学等技术参数：顶部法兰: 12”Radial ports：4 x NW100CF沉积接口: 5 x NW100CF, 4 x NW35CF分子泵: 300ls , 500 ls options样品操作: Quick-open top-lid.极限真空: 5x 10E-10 (24小时烘烤)机柜: Low footprint frame on transport casters样品台操控: Rotation, heating, bias样品操作: Load-Lock （可选）Sample size样品尺寸: 1”, 2”, 3”, 4” ，大到8”，12”等膜厚监控: QCM, Ellipsometry烘烤: Internal or jacket全自动软件操作，方便简单：Automation Touch screen pump down and process automation系统尺寸:Width: 1.5mHeight: 1.6mLength (standard): 1.3mLength: (with Loadlock): 2.0m主要特点：Top-loading chamber (500mm直径)超高真空匹配接口多种沉积源模式接口Analysis, load-lock and viewing ports多种样品夹具， 样品台可旋转，加热/冷却，DC/RF偏压 多种沉积源模式:包括 high-rate e-beam, low-rate (high accuracy) e-beam, DC and RF sputtering, thermal, K-cell,oxide sources.

双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P 磁控溅射技术原理 在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后，并不直接飞向阳极，而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量，使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子最终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收，避免高能电子对极板的强烈轰击，消除了二级溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤，体现出磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在，电子的复杂运动增加了电离率，实现了高速溅射。磁控溅射技术特点 成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜技术参数 QBT-P 技术参数 Technical Specifications （超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制备）超高真空腔体 UHV Chamber2个UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空Ultimate Pressure3E-9Torr排气速率Pumping Spead从ATM到1E-7Torr20min (loadlock)基板加热 Wafer HeatingRT-900oC离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性3%磁控溅射SputteringDC or RF Power Supply, 基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly基板传输 Wafer Transfer高度可靠和可重复的基板传输能力人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO工艺展示

设备简介NE-PE13F是一款小型真空等离子处理系统，广泛应用于科研院校，企业研发单位和小批量生产打样。设备采用进口品牌高性能旋片真空泵快速产生一个小于1-2 Pa的真空压强，同时根据客户工艺要求，对真空反应腔室内通入不同的混合工艺气体，采用进口高品质等离子发生器，使得通入的工艺气体产生等离子体，并确保稳定产生高密度，高能量的离子。等离子体与材料发生复杂的物理，化学反应，可以实现不同的工艺功能，比如清洗，活化，刻蚀与涂敷等。等离子态显著的特点是高均匀性辉光放电，根据不同气体发出从蓝色到深紫色的色彩可见光。 NE-PE13F 系统功能特点：&bull 耐用的高品质不锈钢结构和固定装置&bull 不锈钢托盘设计，可调节托盘间距&bull 8K镜面不锈钢腔体，卓越密封性&bull 13.56射频等离子发生器，产生高密度等高子体，确保出众的清洗效果；&bull 直观的触摸屏，过程参数实时监控。&bull 方便的定期校准设备连接验证过程中使用的要求&bull 支持各种工艺气体，包括氩气，氧，氢，氦和氟化气体&bull 通过联锁门或可移动的板&bull 两个标准的浮子针阀流量控制器，最佳气体控制 4、 设备技术参数序号项目型号规格参数1等离子体发生器功率0-300W可调抗辐射干扰高频匹配器自动阻抗匹配频率13.56 MHz2真空反应腔室腔体材质进口 316 不锈钢，军工级密封腔体容积240(W)*280(D)*200(H)mm 13.5L腔体有效处理面积205（W）×205（D）mm绝缘陶瓷进口高频陶瓷3放电电极电极高导电铝合金专用电极放电形式CCP & RIE 离子反应放电模式电极间距可调整电极之间的距离，调整等离子体强度和密度，极大提升处理能力和效率4气路控制气体流量控制器浮子针阀流量控制器， 0-1000ML气路数量配置3路工艺气路，支持氧气，氩气，氮气，氢气，四氟化碳，NH3,CCL4等5真空测量真空计SMC 真空计6抽气系统真空泵飞越 16m³ /H极限真空度0.1PA真空管路不锈钢管路+气动阀门7控制系统PLC松下PLC模块触摸屏4.3寸软件程序自主专利设计等离子控制系统8场务条件电源供应220V气管接口直径8mm气体纯度99.99%气体压力0.3-0.6Mpa排气口KF259整机参数整机功率1000W外形尺寸630mm(L)×550mm(W) ×580 mm(H)重量80kg

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.产品优势：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。该系统可用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料科研工作。3.产品工艺：真空室结构:梨形上升盖真空室尺寸:φ550×350mm限真空度:≤6.6E-6Pa（经烘烤除气后）沉积源:永磁靶5套，φ2英寸配有多个靶位，例如 5 个 2 英寸磁控溅射靶接样品尺寸，温度:φ2英寸,6片 φ4英寸,1片 高800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%