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晶体测试仪

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晶体测试仪相关的仪器

  • BW-3010B晶体管光耦参数测试仪(双功能版)品牌: 博微电通名称:晶体管光耦参数测试仪(光耦&光电传感器双功能版)型号: BW-3010B用途: BW-3010B型光藕参数测试仪是专为各种4脚三极管型的光电耦合器的功能和参数测试及参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试。 BW-3010B型光藕参数测试仪是专为各种4脚三极管型的光电耦合器和光电传感器的功能和参数测试及参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试,BW-3010B为各种三极管型4脚光藕提供了输入正向压降(VF)和输出反向耐(ICEO)、耐压BVCEO、传输比(CTR)等 。中文软件界面友好,简化了系统的操作和编程,提供了快速的一次测试条件和测试参数的设定,测试条件及数据同步存入EEPROM中,测试条件可以任意设置,测试正向压降和输出电流可达1A,操作简便,实用性强。广泛应用与半导体电子行业、新能源行业、封装测试、家电行业、科研教育等领域来料检验、产品选型等重要检测设备之一。产品电气参数:产品信息产品型号:BW-3022A产品名称:晶体管光耦参数测试仪;物理规格主机尺寸:深 305*宽 280*高 120(mm)主机重量:<4.5Kg主机颜色:白色系电气环境主机功耗:<75W环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);相对湿度:≯85%;大气压力:86Kpa~106Kpa;防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;电网要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;工作时间:连续;服务领域: 应用场景: ▶ 选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对) ▶ 检验筛选(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率) 产品特点: ▶ 大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单 ▶ 大容量EEPROM存储器,储存量可多达1000种设置型号数. ▶ 全部可编程的DUT恒流源和电压源. ▶ 内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路. ▶ 高压测试电流分辨率1uA,测试电压可达1500V; ▶ 重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题; ▶ 软件自校准功能; ▶ 自动测试测DUT短路、开路或误接现象,如果发现,就立即停止测试; ▶ DUT的功能检测通过LCD显示出被测器件/DUT的类型,显示测试结果是否合格,并有声光提示; ▶ 两种工作模式:手动、自动测试模式。 BW-3010B主机和DUT的管脚对应关系型号类型P1 T1P2 T2P3T3P4T4光藕PC817AA测试端KK测试端EE测试端CC测试端 BW-3010B测试技术指标:1、光电传感器指标:输入正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV1%+2RD0-1000MA反向电流(Ir)测试范围分辨率精度测试条件0-200UA0.2UA2%+2RDVR:0-20V集电极电流(Ic)测试范围分辨率精度测试条件0-40mA0.2MA1%+2RDVCE:0-20V IF:0-40MA输出导通压降(VCE(sat))测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV1% +5RDIC:0-40mAIF:0-40mA输出漏电流(Iceo)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000mA2UA2%+2RDVR:0-20V2、光电耦合器:耐压(VCEO)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1400V1V2%+2RD0-2mA输入正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV1%+2RD0-1000MA反向漏电流(ICEO)测试范围分辨率精度测试条件0-2000uA1UA5% +5RDBVCE=25V反向漏电流(IR)测试范围分辨率精度测试条件0-2000uA1UA5% +5RDVR=0-20V电流传输比(CTR)测试范围分辨率精度测试条件0-99991%1% +5RDBVCE:0-20VIF:0-100MA输出导通压降(VCE(sat))测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV1% +5RDIC:0-1.000AIF:0-1.000A可分档位总数:10档 BW-3010B测试定义与规范:AKEC:表示引脚自左向右排列分别为 光耦的,A K E C极.VF:IF: 表示测试光耦输入正向VF压降时的测试电流.Vce:Bv:表示测试光耦输出端耐压BVCE时输入的测试电压.Vce:Ir: 表示测试光耦输出端耐压BVCE时输入的测试电流.CTR:IF:表示测试光耦传输比时输入端的测试电流。CTR:Vce:表示测试光耦传输比时输出端的测试电压。Vsat:IF:表示测试光耦输出导通压降时输入端的测试电流。Vsat:Ic:表示测试光耦输出导通压降时输出端的测试电流。
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  • ZHY时钟晶体测试仪GDS-5B产品简介ZHY时钟晶体测试仪GDS-5B适用于使用32768Hz晶振的电子产品时钟电路,如:智能电表、电脑主板、温控器、定时器、电子秤以及电子收款机上计时功能的精密测量。ZHY时钟晶体测试仪GDS-5B附有RS232接口可与PC相连,将实时测量数据送到上位机以便修正电能表时钟误差。另配置1.0米的探头一支,以适应较大的线路板测量。产品特点1. 具有超灵敏的传感器使接收更灵敏;2. 测量时钟采用非接触方式,秒脉中采用接触方式与电器相连3. 采用拉丝氧化面板美观大方;4. 内置快速处理器和TCXO(带温度补偿的基准时钟晶振);5. 对被测信号的强弱以16级电平指示使用直观明了;6. 可设定上限和下限值,超过范围自动报警;7. 人机对话采用旋转编码器编码,操作方便;8. 精度优于0.03s/d我们的优势1. 质量稳定:实施全过程质量监控,细致入微,全方位检测!2. 价格合理:高效内部成本控制,厂家直销,让利于客户!3. 交货便捷:先进生产流水线,充足的备货,缩短了交货期!特性1. 测量范围:多费率电子电能表、电子产品时钟电路 2. 电源电压:220V AC 50HZ3. 测量频率:32.768KHz 1Hz 4. 测量周期7个可选:1秒、2秒、5秒、10秒、20秒、32秒、60秒 5. 基准频率:16.384MHZ TCXO 6. 测量精度:优于0.03s/d7. 量程:五档可选,PPm(百万分之一误差率),s/d(每日误差),s/m(每月误差),s/y年差,F 时钟频率误差8. 信号强度指示:16级指示使用直观明了9. 报警设定范围:正负200ppm10. 体积:130×270×290(mm)11. 显示方式:四位4.5寸LCD显示12.配有RS232接口可连PC修正电能表时钟误差。 电子秒表输入信号32.768KHz信号准确度优于±0.03s/d测试范围±9.99s/d物理接口无1Hz秒脉冲输入信号1Hz秒脉冲准确度优于±0.03s/d物理接口香蕉座晶振指标频率16.384MHz日老化率≤5×10-9/日秒稳定度≤5×10-11/s准确度≤2×10-7预热时间12小时配件传感器、电源线、探头、说明书环境特性工作温度0℃~+50℃相对湿度≤90%(40℃)存储温度-30℃~+70℃供电电源交流 220V±10%, 50Hz±5%,功率小于30W机箱尺寸130×270×290mm选件可选配LCD测试功能,可测试LCD扫频信号为整数Hz的秒表。
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  • 泰克Tektronix370A 晶体管测试仪TEK370A 泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪名称:泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪主要参数:半导体器件高精度测量-上限达2000V或电流到10A的源(370A/B)-上限到3000V(371A)-上限到220W(370A/B)-上限到400A(371A)-1nA的测量分辨率-上限到3000W(371A)-上限到2mV的测量分辨率(370A/B)-波形对比-包络显示-波形平均-点光标(370A)-Kelvin传感测量-全程控-MS-DOS兼容的软盘,方便设置参孝存储和调用交互式程-所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面板或GPIB来完成的。使用几种存储方式,调整和存储操作参数,包括370A的非易失存储器、内置的MS-DOS兼容的软盘或到外部控制器。测试夹具-测试夹具是标准附件,它提供被测器件安全防护,以保护测量人员的安全。测试夹具适应标准的A1001,中间通过Kelvin传感的A1005适配器、无Kelvin传感的3芯适配器和A1023、A1024表面封装适配器。程控特性曲线图示仪高分辨率特性曲线图示仪,可应用到许多场合。370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管、光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。-在研发实验室,用370A来完成新器件、SPIEC参数的提取、失败分析和产生数据报告这些具体的测试工作。应用-手动或自动进行半导体高分辨率DC参数测量-来料检查-生产测试-过程监视及质量控制-数据报告的生成-元件配对-失效分析-工程测试370A.jpg标签泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪,泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪价格相关产品半导体测试仪半导体测试仪备注: 本公司十年专业销售、租赁、维修、回收二手仪器,公司货源广阔,绝大部分直接从国外引进,成色新,价格低,资金雄厚,库存充足,售前严格,售后快捷是我们的特点:致力于为客户提供更专业,方便,快捷的人性化服务是我们的宗旨;勇于创新,敢于探索是我们的优势;凡在我司购买的仪器免费送较准服务一年!-鹏庆电子
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  • 总览Femtochrome的自相关仪是世界上独具特色的自相关仪,其使用了具有Zhuan利保护的转镜延迟线,速度快,准确度高。配置的PMT具有10-7W2灵敏度,是光纤激光器测试有效,精确的仪器。其中FR-103XL系列是用途广泛的自相关仪,提供了一个优秀的超快脉冲激光器测试方案,适用于弱信号的通信光波长以及fs量级的钛蓝宝石超快激光器,其具有的PMT与PD两种模式,可实现最大3.0um的超快脉冲测量,配置的平行反射镜最大能测到90ps的脉冲激光。非线性晶体型快速扫描自/互相关仪 750-2200nm(飞秒,皮秒超短脉宽测试仪),非线性晶体型快速扫描自/互相关仪 750-2200nm(飞秒,皮秒超短脉宽测试仪)产品特点● 宽的脉宽测试范围● 旋转平行反射镜组件● 无色散,高分辨率● 互相关性产品应用● 监测超短脉冲● 光器的光束诊断通用参数自动/交叉相关器:FEMTOCHROME提供非线性晶体 (NL) 和双光子电导率 (TPC) 自相关器,可轻松配置为互相关。NL Crystal单元提供具有高动态范围的无背景操作。TPC单元是干涉式的。NL Crystal 型号: FR-103XL我们的多功能通用自相关器,扫描范围 200ps。非常适合大多数应用,包括光通信。它的 HS 版本提供 10 -8 W 2的超高灵敏度图 !FR-103MNFR-103XL 的紧凑型,扫描范围更小(75ps)FR-103HP带 PD 检测器的紧凑、经济高效的自相关器。FR-103WS宽扫描自相关器具有可选的非常的“实时”扫描范围 1ns。NL晶体(SHG)单元提供无背景操作,具有高动态范围(~104)。NL Crystal (SHG) units providing background-free operation w/ high dynamic range (~104).NL Crystal (SHG) ModelsNL晶体(SHG)模型FR-103XLFR-103MNFR-103HPFR-103WSResolution分辨率1fs (1)1fs(1)1fs(1) 2fs(1)Wavelength Range波长范围410 - 5000 nm410 - 5000 nm410-5000nm410-5000nmScan Range扫描范围 195ps 75ps 75ps 500ps(2)Pulsewidth Range脉宽范围5fs → 100ps5fs → 40ps5fs → 40ps10fs→300psSensitivity [(PavPpk)min] (3)灵敏度10-7W210-7W210-2W210-7W2Fiber Coupled (/FA)光纤耦合/自由空间OptionOptionOptionOptionInterferometric (/IO)干涉/非共线OptionOptionOptionOptionCrosscorrelation (/CC)最小输入脉冲重频率OptionOptionOptionOptionMin. Input Pulse Rep Rate最小输入脉冲重频率4Hz(4)4Hz(4)4Hz(5)4Hz(5)Computer Data Acquisition计算机数据获取OptionOptionOptionOptionComment评价Uniformly Rotating// Mirror Assembly匀速旋转//镜子组件Compact version of FR-103XLFR-103XL的紧凑型Low cost for Medium &High Power lasers中高功率激光器的低成本Ultra-wide Scan range超宽扫描范围Notes: (1) With a25µ m NL crystal thickness(2) Scan range 1ns w/WSR option(3) Noise Equivalent signal level with a 1mm NL crystal and 1ps resolution(4) Min Rep Rate: Standard: ~100kHz, w/(HS):1kHz , w/LRR (Low Rep Rate Option ): 4Hz(5) Min Rep Rate: Standard (‘real-time’):1kHz , w/CDA: 4Hz(6) At 1550nm w/1300 photosensor module 注:(1)晶体厚度25µ m NL(2) 扫描范围1ns,带WSR选项(3) 具有1mm NL晶体和1ps分辨率的噪声等效信号电平(4) 最小重复频率:标准:~100kHz,w/(HS):1kHz,w/LRR(低重复频率选项):4Hz(5) 最小重复频率:标准(“实时”):1kHz,带CDA:4Hz(6) 1550nm宽/1300光传感器模块 TPC units featuring interferometric operation具有干涉操作功能的TPC单元 Two-Photon Conductivity (TPC)双光子电导率(TPC)FR-103MCFR-103TPMResolution分辨率1fs1fsWavelength Range波长范围500-5000nm500-2200nmScan Range 扫描范围 50ps 50psPulsewidth Range脉宽范围5fs 25ps5fs 25psSensitivity(6)灵敏度10-4W210-4W2Interferometric干涉测量YesYesFiber Coupled Option (/FA)光纤耦合/自由空间YesNoComputer Interface Option (/CDA)计算机接口选项YesYesMinimum Input Pulse Rep Rate最小输入脉冲重复率4Hz4HzCommentInexpensive, palm-size OEM Applications廉价、手掌大小的OEM应用Multiphoton Microscopy model, w/o affecting laser beampath多光子显微镜模型,w/o影响激光束路径 背面接口(BNC接口连接示波器读取)自相关仪光路图1064nm脉冲激光器脉宽实测图CDA软件测试(Gaussian、Sech2拟合)
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  • 尊敬的客户:感谢您对我们产品的关注!我司是一家专注于研发和生产晶振测试仪的公司,在市场上深受广大客户的喜爱和信赖。我们非常自豪地向您推荐我们的最新产品,GDS-80型晶振测试仪。品牌是消费者选择产品时首要考虑的因素之一。我们的智慧源品牌以其卓越的品质和可靠性而闻名。我们深知,一个好的品牌是建立在以客户需求为导向的产品研发过程中的。通过不断提高技术和引进先进的生产设备,我们确保每一台产品都能够为客户提供卓越的性能和稳定的使用体验。我们的GDS-80型晶振测试仪是我们专业团队研发的一款高性能产品。作为一款测试仪器,GDS-80型拥有广泛的频率范围,从15KHz到200MHz,能够满足您多样化的测试需求。同时,通过模块化设计,我们能够为您提供不同频率范围的选项,以更好地满足您的个性化需求。除了广泛的频率范围外,GDS-80型还具有多种功能和特点,为您的测试工作提供更大的便利和准确性。例如,它采用了高分辨率的LCD显示屏,为您提供更清晰的测试结果显示;它还具备快速测试和自动化测试的功能,节省您的时间和劳动成本。在使用晶振测试仪时,精确的测试数据至关重要。我们的GDS-80型配备了高灵敏度和高精度的测量技术,确保您获得准确而可靠的测试结果。此外,我们还为GDS-80型配备了稳定的信号源,以确保您能够在不同环境下进行准确的测试。最后,我们要强调的是我们产品的性价比。GDS-80型晶振测试仪以14568元/台的价格,为您提供了出色的性能和可靠性,具有很高的性价比。我们相信,这将是您投资的明智选择。深圳市智慧源电子有限公司致力于为客户提供优质的产品和卓越的服务。如果您对我们的GDS-80型晶振测试仪有任何疑问或需求,请随时与我们联系。我们期待能为您提供卓越的产品和满意的售后服务。谢谢!
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  • 电化学石英晶体微天平EQCM是一款通过测量石英晶体的频率变化实现质量检测的高灵敏度设备。电化学石英晶体微天平EQCM作为高灵敏度的测试仪器, 它可以测量在传感器表面或附近吸附层ng级的“湿质量”。该设备的测量原理是基于石英晶体的阻抗分析,测量谐振频率和谐振电导曲线的峰宽。谐振电导曲线的峰宽或半峰宽与耗散因子(Q)直接相关。可以对多种不同类型表面的分子相互作用和分子吸附进行研究,应用范围包括蛋白质、脂质、聚电解质、高分子和细胞/细菌等与表面或与已吸附分子层之间的相互作用;可提供多个频率和耗散因子数据, 用于充分了解在传感器表面吸附的分子的状态。应用领域? 传感器开发? 蛋白质凝聚研究? 生物膜表面污垢表征? 细胞学表征? 双脂质层表征? 电池材料研发? 电聚合? 各类工业条件(真空、滴铸、油墨喷印)下的覆膜监控? 手套箱环境? ALD逐层沉积仪器参数频率测试范围1-61 MHz (基频为5 MHz时,可测试13级倍频)基频为3MHz时,可测试17阶倍频基频为5MHz时,可测试12阶倍频基频为10MHz时,可测试5阶倍频液体中倍频灵敏度1 Hz液体中耗散灵敏度~1x10-6质量灵敏度5ng cm-2每个倍频下测试参数倍频曲线、频率、频率变化、半峰宽、半峰宽变化、耗散因子、耗散因子变化、温度
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  • 产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态测试(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)动态测试(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)环境老化测试(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)热特性测试(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件FBSOA1000Forward Bias Safe Operating Area 1000A晶体管正向偏置安全工作区测试系统Transistor Forward Bias Safe Operating Area Test System&bull 用于 Si , SiC , GaN , 材料的器件级和模块级的IGBT , MOS-FET的正向偏置安全工作区测试&bull FBSOA和对应的IV曲线&bull ICE电流0~1000A&bull VCE电压0~100V。&bull VGE驱动电压0~30V&bull vF热敏电压≤5V&bull Pmax最大功率100KW.&bull 脉宽10us~10ms,&bull 柜式结构,气动安全(支持手动式)工装柜,计算机全自动程控一、关于安全工作区晶体管的安全工作区,英文全称safe operating area,简称SOA。顾名思义,也就是说只要使用的条件(电压、电流、结温等)不超出SOA圈定的边界,晶体管必然能够按照电路设计正常运行,反之则死。所以,FBSOA是指全控型晶体管的门极电压VGE处于正向偏置(VGEVGEth)时,沟道处于导通状态时的安全工作区。FBSOA是全控型晶体管各种工作状态的集合,必须集合晶体管的其它特性去理解安全工作区的含义。失效器件送到原厂做FA分析,看到的字眼通常包含over voltage,over current,short circuit,EOS等,但是,其失效的深层原因与整机的应用环境和系统设计是密切相关的。整机产品里面包含的元器件数量少则几十,多则上万甚至更多,应用环境千奇百怪,元器件的失效就不可避免,作为工程师,能做的就是根据整机性能要求充分评估、测试元器件的各项关键参数,出现失效后,复盘设计,复现失效,找出根因,避免失效再次复现。二、FBSOA参数定义右图是简化的FBSOA曲线,本质上讲,FBSOA曲线划定了 四条电压-电流关系的边界线,分别由AB段,BC段,CD段,DE段构成。AB段规定了处于饱和导通状态下IGBT的最大工作电流,这个电流与IGBT的门极驱动电压幅值密切相关,从图4可以看出,IGBT的门极驱动电压幅值越高,饱和导通状态下的最大工作电流越大。BC段规定了IGBT的最大可重复电流ICpuls,这个电流是4倍的标称电流;FBSOA简化曲线CD段是最复杂的,需要结合IGBT的瞬态热阻来看。大家知道,IGBT有两个工作区,线性区和饱和区,跨越过AB段之后,其实IGBT就处于线性区了,也就是退出饱和导通区了,IGBT的损耗急剧上升,所以,这条边界体现了IGBT能承受的最大耗散功率Ptot。同时可以看出,集射极CE两端电压越高,IGBT所能承受的电流脉冲幅值越低,另外,电流脉冲宽度越大,IGBT所能承受的电流幅值也越低。从图可以看出,蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA,均是单脉冲安全工作区,非连续工作情况下的工作区,所以,必须参考上一页的右下角的IGBT瞬态热阻曲线,由公式(1)计算出在指定VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽。DE段最容易理解,它规定了IGBT的集射极CE击穿电压,需要注意的是,IGBT的CE击穿电压是和结温正相关的,结温越低,CE击穿电压也越低。三、规格及环境要求&bull  设备尺寸∶800*800*1800mm(2组)∶&bull  设备质量∶800kg∶&bull  海拔高度∶海拔不超过4000m;  &bull 环境要求∶-20℃~60℃(储存)、5℃~45℃(工作);&bull  相对湿度∶20%RH~75%RH(无凝露,湿球温度计温度45℃以下);&bull  大气压力∶86Kpa~106Kpa;&bull  防护条件∶无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;&bull  电网要求AC220V、±10%、50Hz±1Hz &bull  压缩空气∶根据配置;&bull  工作时间∶连续。四、产品特点&bull 测试规范:国际标准IEC60747-9、IEC60747-2、国家标准GB/T29332、GB/T4023&bull 测试工装有“手动式”“气动式”“电子开关式”供用户选择,针对不同的封装外观,通过更换“DUT适配器”即可&bull 高温测试,支持室温~200℃,±1℃@0.5℃&bull 计算机程控,测试数据可存储为 Excel 文件以及生成PDF格式,且内置多种通用文档模板供用户选择,还可自定义&bull 安全稳定(PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁)设备具有安全工作保护功能&bull 采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点&bull 智能化,通过主控计算机进行操控及数据编辑,测试结果自动保存及上传指定局域网,支持MES系统和扫码枪连接&bull 安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全&bull 电压源电流源模块化设计,根据用户需求等级,自选搭配5. 部分配件清单&bull 系统主机:数量/1 套,品牌/天光测控,型号/SOA-1000,规格/?; &bull 高压电源:数量/1 套,品牌/顾伟,型号/PSW160-14.4,规格/电流0-14.4A 电压0-160V 功率720W 单输出多量程;&bull 驱动电源: 数量/1 套,品牌/顾伟,型号/GPP-2323,规格/双通道输出 电压32V 电流3A;&bull 工 控 机:数量/1 套,品牌/研华,型号/610L,规格/;CPU:酷睿i7.操作系统windows10&bull 机 柜:数量/1 套,品牌/天光测控,型号/SOA-A,规格/高≥2000mm 宽≤800mm 深≤800mm&bull 采集卡: 数量/1 套,品牌/阿尔泰,型号/USB8504,规格/ADC分辨率:14位 输入通道:4通道 采样率:40MS\s 存储深度2GB &bull 多功能数据卡: 数量/1 套,品牌/阿尔泰,型号/USB3132A,规格/操作系统win:XP.7.8.10 AI.AO输入分辨率:16位250K &bull 电压变送器: 数量/1 套,品牌/阿尔泰,型号/S1205,规格/输入-2~+2 输出-10V~+10V?&bull 霍尔电流传感器: 数量/1 套,品牌/深圳知用,型号/CTA1000,规格/连续直流电流1000A 有效电流707 传输比:1:1000 带宽:500KHZ&bull 探头: 数量/1 套,品牌/深圳知用,型号/P6251,规格/带宽:250MHZ 衰减比10:1 上升时间:1.4ns?&bull 柔性电流探头:品牌/深圳知用,型号/CP9120L,规格/灵敏度5mv/A 电流1.2KA低频带宽1dB 高频带宽10dB&bull 集成配套包、鼠标、电源线六、系统架构原理图七、局部示意图驱动模块气动工装示意图
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  • 品牌: 华科智源 名称: 晶体管图示仪 型号: HUSTEC-DC-2020 用途: 测试二三极管,MOS管,IGBT,晶闸管,可控硅等件测试仪设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。产品介绍 产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外接各类夹具和适配器,还能 够通过 Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)连接分选机和机械手建立工作站,实现快速批量化测 试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分 析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。 产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操 作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为 EXCEL 文本。 应用场景Ø 模化、自动化测试) 测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试) Ø 失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提 出改善方案) Ø 选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对) Ø 来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率) Ø 量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规 产品特点(1) 可测试 7 大类 26 分类的各类电子元器件; (2) PC 机为系统的主控机; (3) 基于 Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面; (4) 自动识别器件极性 NPN/PNP (5) 16 位 ADC,100K/S 采样速率; (6) 程控高压源 10~1400V,提供 2KV 选配; (7) 程控高流源 1uA~40A,提供 100A,300A,500A 选配; (8) 驱动电压 10mV~40V; (9) 控制极电流 10uA~10mA; (10) 四线开尔文连接保证加载测量的准确;(11) 通过 RS232 接口连接校准数字表,对系统进行校验; (12) Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin) (13) 可为用户提供丰富的测试适配器(14) 连接分选机最高测试量为每小时 1 万个 (15) 可以测试结电容,诸如 Cka,Ciss,Crss,Coss; (16) 脉冲电流自动加热功能,方便高温测试,无需另加升温装置; 测试参数 (1) 二极管类:二极管 Diode Kelvin,Vrrm,Irrm,Vf,△Vf,△Vrrm,Cka,Tr(选配);(2) 二极管类:稳压二极管 ZD(Zener Diode)Kelvin,Vz,lr,Vf,△Vf,△Vz,Roz,lzm,Cka; (3) 二极管类:稳压二极管 ZD(Zener Diode)Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka;(4) 二极管类:三端肖特基二极管 SBD(SchottkyBarrierDiode)Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr(选配);(5) 二极管类:瞬态二极管 TVSKelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ; (6) 二极管类:整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka;(7) 二极管类:三相整流桥堆Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;(8) 三极管类:三极管Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr (选配)、Ts (选配)、Value_process; (9) 三极管类:双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm;(10)三极管类:单向可控硅Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm; (11)三极管类:MOSFETKelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ; (12)三极管类:双 MOSFET Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss;(13)三极管类:JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss; (14)三极管类:IGBTKelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss;(15)三极管类:三端开关功率驱动器Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt; (16)三极管类:七端半桥驱动器 Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt; (17)三极管类:高边功率开关Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt; (18)保护类:压敏电阻Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr (19)保护类:单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr; (20)保护类:双组电压保护器Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr; (21)稳压集成类:三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、 ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk; (22)稳压集成类:基准 IC(TL431)Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka; (23)稳压集成类:四端稳压Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、 Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk; (24)稳压集成类:开关稳压集成器 选配; (25)继电器类:4 脚单刀单组、5 脚单刀双组、8 脚双组双刀、8 脚双组四刀、固态继电器 Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton(选配)、Toff(选配); (26)光耦类:4 脚光耦、6 脚光耦、8 脚光耦、16 脚光耦 Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf;(27)传感监测类: 电流传感器(ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列)(选配); 霍尔器件(MT44XX 系列、A12XX 系列)(选配); 电压监控器(选配); 电压复位 IC(选配);
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  • 产品名称:(日本料)掺铌钛酸锶(Nb:SrTiO3)晶体基片产品简介:掺铌钛酸锶单晶与纯钛酸锶有相似的结构,但有电导性。掺铌钛酸锶的电阻率在0.1 – 0.001 W-cm之间变化随着掺铌浓度在0.01 ~ 0.001 wt %之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。科晶提供高质量低成本的掺铌钛酸锶基片。产品参数:晶体结构:Cubic, a=3.905 A 生长方法:Vernuil密度:5.175 g/cm3熔点:2080 ℃硬度:6 ( Mohn)热膨胀系数:10.4 (x10-6/ ℃)电阻率:0.007 ohm-cm for 0.7% doped and 0.08 ohm-cm for 0.1% doped损耗角正切at 10 GHz:~5x10-4 @ 300K , ~3 x10-4 @77K颜色和表象:黑色,化学稳定性好不溶于水产品规格:表面抛光:单抛或双抛,Ra 5?;标准方向:100 ± 0.5o ;标准尺寸:10x10x0.5mm, 5x5x0.5 mm.;日本料Nb:SrTiO3可按照客户要求加工备注:等离子清洗器专业清洗(详情请点击) 相关产品:SrTiO3LSATLaAlO3MgO薄膜制备仪硅材料综合测试仪 SrLaAlO4NdCaAlO4NdGaO3YSZ晶片盒等离子清洗/臭氧清洗机
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  • 产品目录? 晶体管图示仪(曲线追踪仪)? 半导体分立器件测试筛选系统。? 静态测试设备:包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数? 动态测试设备:包括 Tr, Trr , Qg , Rg , FRD , UIS , SC , Ci , RBSOA 等? 环境老化测试:包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等? 热特性测试:包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等? 测试范围:Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOSFET , DIODE , BJT , SCR等分立器件及功率器件。ST-SP2000_5 (Curve版)晶体管曲线追踪仪可测试 19大类27分类 的大中小功率分立器件及模块的 静态直流参数(测试范围包括Si/SiC/GaN材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件)主极2000V / 50~1250A,分辨率*高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能?产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试)? 失效分析(对失效器件进行测试,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 )? 选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)? 来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)? 产线自动化测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)?产品简述 产品扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪(晶体管图示仪)功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线,可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数,典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFET RDSvs. VGS 等曲线数据。此外, 针对多条曲线,设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快,更简洁的创建曲线(单击,双击,选择输入菜单,单击)。就是这么简单。设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力,在运行过程中,每个图表都是可视的,每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快,可进行数据记录,提供更高级的数据工具箱,能够运行多条曲线并自动排序,自动将数据存入 Excel 表格,具有缩放功能,光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。?可供选择的曲线Tel:d173h4295a2894
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  • 货期:现货 品牌:北斗仪器 型号:CA100S产地:广东东莞 名称:自动型光学接触角测量仪 接触角(Contact angle)是指在气、液、固三相交点处c作的气-液界面的切线,此切线在液体一方的与固-液交界线之间的夹角θ,是润湿程度的量度。是现今表面性能检测的主要方法。采用光学成像的原理-图像轮廓分析方式测量样品表面的接触角、润湿性能、表界面张力、前进后退角、表面能等。主要由光源、注射单元、样品台、采集系统、分析软件等组成。设备采用全自动进液装置,性价比高、拓展性强、功能全面、可满足各种常规测量需求,目前已经广泛使用在众多高校院所及企业。测量方法 固体表面处理评价、等离子清洗效果分析、表面清洁度分析、固液体之间或固体黏驸特性研究、液体配方设计、表面印刷性能的表征、分析表面改性、玻璃(包括塑料或金属等固体)表面润湿性研究等。在手机制造、玻璃制造、表面处理、材料研究、化学化工、半导体制造、涂料油墨、电子电路、纺织纤维、医疗生物等领域,接触角测量已经成为了一项评估表面性能的重要仪器。设备整体参数型号CA100S名称自动型光学接触角测量仪类型自动型机身材质航空铝输入电源220V 50-60Hz功率10W仪器尺寸约655mm(W)*180mm(L)* 500mm(H)仪器重量约14KG样品平台系统左右X移动手动:行程30mm,精度0.1mm前后Y移动手动:行程50mm,精度0.1mm上下Z移动手动:行程30mm,精度0.1mm水平调整整机水平调整,摄像头水平调整(配送专业级XY水平仪)样品台尺寸130*150mm(可定制)可放置最大样品200(W)*∞(L)*30(H)mm样品台材质航空铝注射系统注液移动行程Y行程:40mm Z行程:35mm,精度0.1mm(针头对中及液滴转移)滴样控制移动行程:60mm,精度:0.01mm滴样速度0.01-25ul/s滴样方式自动滴液精度0.1ul加液方式自动(配送5ml玻璃烧杯加液)微量进样器容量:1000ul(全自动液位实时检测)针头标配0.5mm不锈钢针头(可替换)10个、超疏水针头0.25mm(可替换)10个采集系统相机中国大恒 (Onsemi行曝光)镜头0.7x-4.5x传感器类型1/1.8 英寸逐行扫描CMOS分辨率1280×1024焦距±2.5mm可调图像拍摄方法单张、间隔、连续拍摄间隔时间500-3600000ms视频录制方式录像、回播、合成清晰度测量全自动软件对焦最大拍摄速度30帧/s光源系统光源国产工业级白色冷光源组合方式采用国产石英扩散膜使用寿命2万小时以上亮度调节PWM无极调节+软件调节亮度识别通过北斗独家算法自动识别亮度保证最佳亮度光源波长400~760nm功率1W接触角测量接触角测量方法悬滴法、座滴法等测量软件CA V2.0静/动态接触角测量软件+表面能测量软件软件操作系统要求windows 10(64位)接触角测量方式自动与手动接触角计算方法(static contact angle)自动拟合法(ms级别一键全自动拟合,不存在人工误差)、三点拟合、五点拟合、自动测量(包括圆拟合法/斜圆拟合法(Circle method/ Oblique Circle)、椭圆拟合法/斜椭圆拟合法(Ellipse method /Oblique Ellipse)、凹凸面测量等动态接触角测量(Dynamic contact angle)前进角(Advancing angle),后退角(receding angle),滞后角(hysteresis angle)(可批量拟合多张图片或视频连续拟合计算Video analysis)基线拟合自动与手动角度范围0°<θ<180°精度0.1°分辨率0.001°表面能表面能测量方法Fowks法,OWRK法,Zisman法,EOS法,Acid-Base Theory法,Wu harmonic mean法,Extended Fowkes法(软件中预装37种液体数据库,可自行建立液体性能参数)数据可直接调入用于表面能估算,液体库数据可自行添加、删除和修改。可分别得到固体表面能、色散力、极性力、氢键力、范德华分量、路易斯酸分量、路易斯碱分量等表面能单位mJ/m² 众所皆知,软件是一台仪器的灵魂所在,组成系统的硬件虽为测量提供了基础,但只有在软件的支持下,才能完美地实现硬件的功能,充分发挥其潜力,使系统的总体功能和性能如虎添翼。本公司研发定制的CA V1.2.1静/动态接触角测量软件+表面能测量软件专用测控软件自2010年开始就面向客户提供使用,经过多年来各行业客户的使用反馈、使用要求、国家标准和国外标准的融合,已经达到一个很成熟稳定的状态。拥有自主知识产权的软件控制系统(行业内极少),在对以后软件升级,新标准更换的时候起到一个很大的优势。软件主界面图版权声明:广东北斗精密仪器有限公司拥有光学静动态接触角分析测量仪CA V1.2.1软件的所有知识产权,本计算机程序受版本法/著作权法和国际公约保护,未经书面授权擅自传播本程序部分或者全部可能遭受严厉的民事刑事制裁,并将在法律允许的范围内受到最大可能的起诉测试报告1.精细机械:系统的框架选用高质量的进口高强度氧化保护铝型材并烤漆处理,所有的其它主要组件也都是由铝合金,不锈钢和铜合金通过精密制作而成。保证仪器极强的稳定性。2.精密定位:系统所有的线性移动单元,包括三维样品台(xy-轴),(Z-轴)注射器/针头的移动调节,均是由直线铜齿条和精密燕尾槽驱动,确保传动平稳、轻松和精细。3.配置齐全的进样器与针头选择:提供数十种不同规格的进样器供使用者选择,如不同规格(25ul/50ul/100ul/250ul/500ul/1000ul….),不同材质(气密玻璃进样器/塑料进样器),不同品牌(Hamilton/boli….)以满足不同客户需求。提供各种规格(10-34#)以及不同材质(不锈钢/聚四氟乙烯/pp挠性针头)以及特殊针头(弯曲针头),可用于常规接触角测量,也可用于超疏水、超亲水、高粘度等特殊液体的进样、液滴转移等。4.成像系统:采用了行曝光(Rolling Shutter)高分辨率CMOS图像传感器配合pomeas0.7-4.5远心轮廓镜头。保证最佳的成像效果。同时亮度连续数字可调的高强度背光冷光源为成像提供了均匀的背景照明。优质镜头和高分辨率相机能够以理想的尺寸和亮度在图像中显示出液滴,即使是非常小的液滴。5.领 先 的 软 件 平 台 :软 件 是 整 个 测 量 系 统 的 灵 魂 和大 脑 。 CA V1.2.1软件 为用户 提 供 了 范 围 广 泛 的功 能 和 特 性 ,而 且 其 中 的 许 多 项目 在 这 一 领 域 均是 出类拔萃 。作 为 一 光 学 方 法 ,测 量 的 精 度 取 决于 成 像 的 质 量 和 后 着 的 处 理 、 分析 和 计 算 方 法 。 其 中 采 用 的 亚 像 素 ( sub-pixel) 液 滴 坐标 检 测 ,自 动 液 /固 /流 -三 相 接 触 线 识 别 , 液 滴 全 轮 廓 分析 ,和 基 于 连 续 信 息 反 馈 的 液 滴 监 视 功能 等构成了 软 件 的 核 心 组 件 , 而且 这 一 切 又 都 能 实 时 完成。具备双边接触角自动测量快速拟合功能,分析液体与固体的表面润湿性能、更准确的分析表面的实际润湿情况。6.软件自动生成报告,其中涵盖word、excel、PDF图文、谱图等多种数据报告。7.基线自动倾斜功能,可修正由于样品倾斜或机台倾斜时的差异。8.分级管理系统,权限管理。分实验员与管理员。避免人为数据的改动影响测试结果。9.具备双边接触角测量快速拟合功能,更全面量分析液体与固体的表面润湿性能、更准确的分析表面的实际润湿情况;10.动态拍摄、视频快速测试数据,可以连续性记录测试接触角的变化,再由软件自动批量拟合;11.具备历史数据库功能,记录每一次的测试结果,可追溯历史测试结果。1.usb2.0数字CCD摄像头 1个2.连续变倍光学系统 1个3.手动加样系统 1套4.手动CCD倾斜系统 1套5.表界面分析测量系统应用软件 1套6.说明书纸质一份及说明书电子版 1份7.保修卡及合格证1份8.亲水进样针10个,疏水进样针10个9.1000ul进样器1个10.电源线及数据线1条11.XY专用水平仪1个(电脑为选配件 客户可以自配)物料名称品牌物料名称品牌CPU英特尔i3处理器鼠标键盘力拓主板 英特尔 H61主板机箱金和田内存华硕8G DDR3 1600电源长城硬盘七彩虹 250G显示器HUYINIUDA 19寸
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  • 晶振测试仪GDS-80M石英晶体阻抗计是一款由智慧源打造的高性能晶振测试设备,旨在帮助用户更精确地测试和分析石英晶体的阻抗特性。其提供的全方位测试功能和先进的技术将为您的晶振制造和研发工作提供卓越的支持。作为一家位于广州的知名电子公司,广州智慧源电子有限公司一直致力于研发和生产高品质电子测试设备。我们的晶振测试仪GDS-80M石英晶体阻抗计是我们最新推出的重要产品之一。首先,让我们来了解一下这款晶振测试仪的基本属性。品牌为智慧源,型号为GDS-80M,产地位于广东。这款设备经过精心设计和严格制造,采用了先进的技术和材料,确保了其稳定性和可靠性。晶振测试仪GDS-80M石英晶体阻抗计的主要特点包括: 高精度测试:该设备配备了精准的测试模块,能够实时监测和记录石英晶体的阻抗数据。无论是生产环境中的质量控制,还是研发实验室中的科学研究,都能满足您对测试精度的需求。 多功能操作:晶振测试仪具有简单易懂的操作界面和多功能的测试选项。无论您是否具备相关技术背景,都能够轻松上手并进行准确的测试。 快速结果输出:设备配备了高速数据传输接口,能够迅速输出测试结果。这有助于提高工作效率并节约您的宝贵时间。 稳定性和可靠性:我们深知在晶振制造和研发过程中的稳定性和可靠性对于产品质量的重要性。晶振测试仪GDS-80M石英晶体阻抗计经过严格的质量控制,并经受了多重测试和验证,确保其长时间稳定运行。购买晶振测试仪GDS-80M石英晶体阻抗计,您将享受到以下优势: 提高生产效率:该设备的高精度和快速结果输出功能,能够显著提高晶振制造过程中的生产效率。您可以更迅速地对晶振进行测试和分析,快速确定产品质量。 节约成本:准确的测试结果能够帮助您及时发现和解决问题,避免不必要的生产成本损失。此外,晶振测试仪的稳定性和可靠性能够有效地延长设备的使用寿命,进一步降低了维护和更换设备的成本。 提升产品质量:通过精确测试和分析,您可以更好地了解石英晶体的性能特点,并及时调整制造工艺,以确保产品质量符合标准要求。高品质的晶振将有助于提高终端产品的可靠性和稳定性。总的来说,晶振测试仪GDS-80M石英晶体阻抗计是一款功能强大、性能优越的晶振测试设备。无论您是在晶振制造领域工作还是在相关研究领域进行科学探索,该设备都能为您提供出色的支持和帮助。购买晶振测试仪GDS-80M石英晶体阻抗计,您将得到一台高精度、高效率、稳定可靠的设备,为您的工作和研究带来无限可能。
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  • EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体,如LBO,beta BBO,KTP,KDP,DKDP,LiIO3,各种红外非线性晶体,AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等,我们提供标准尺寸和定向的晶体,并支持快速库存发货。同时,我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用,如激光谐波振荡,频率反转(SFG,DFG),光学参量振荡和放大(OPG,OPA),电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡(SHG,SFG)光学参量振荡和光学参量放大(OPG,OPA)差频振荡(DFG)脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡(GaSe晶体)极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟,于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲,他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为:在一个脉冲宽度时间内(或所期望的脉冲宽度时间内),他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配,τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配,我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1,800nm的SHG效应, BBO,LBO,KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限,在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中,同时也列出了在室温(20°C)时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体,则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度(或期望脉冲宽度)群延迟色散(GDD)对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度,所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时,折射率随波长的增加而降低,这将导致高频分量产生更低群速度,于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象,晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲,脉冲初始宽度为 0,其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子
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  • 石英晶体微天平 MIPS 400-860-5168转0338
    产品信息⽯ 英晶体微天平通过石英晶体谐振器的频率变化来测量其单位⾯ 积的质量变化。基于压电效应,经由分⼦ 吸附和分⼦ 相互作用而引起的表面质量变化和能量耗散,石英晶体微天平可以对水性样品中的⽬ 标物进行实时、灵敏以及无标记检测。与表⾯ 等离⼦ 共振(SPR)和荧光检测仪相似,石英晶体微天平可以作为科学研究和产品研发的传感分析检测平台。MIPS公司的便携式⽯ 英晶体微天平拥有⾼ 灵敏度和良好的抗干扰能力, 更集微型泵、多合⼀ 分析室和应用软件于⼀ 身,方便用户使用。 石晶体微天平的应⽤ 范围覆盖化学、生物、医药、环境、农业和材料分析等多个领域。技术指标主要包含了⼀ 个电⼦ 系统、⼀ 个或多个可配镀⾦ ⽯ 英芯⽚ 的微流量模组,集成测试室,以及⼀ 个或多个微型泵。 可以根据要求提供单通道、双通道和多通道石英晶体微天平。应用领域
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  • PPLN 晶体,非线性晶体 400-860-5168转3512
    Ppxx散装芯片关键词:PPLN晶体,PPLT晶体,PPMGOLN,非线性晶体_PPLN晶体,非线性晶体 基于准相位匹配(QPM),使新的波生成和xx型谱是困难的或不可能的工程实现由传统的非线性材料。xx型芯片和全谱(LN、LT:氧化镁:镁和适当的非线性频率转换计划)(DFG SFG,倍频、OPO,收购,联合,一个CAN,等),实现期望的输出波长(紫外/可见到/从太赫兹光谱反演和特殊功能(),两个频谱转换。频谱工程等)有效。 HCP提供以下全光谱configurations xx型散装芯片来满足你的应用要求和规格。我们可以帮助你设计结构合适的外加电压和外加电压为选定的时间获得所需的材料/ PPLT极化相匹配指定的操作温度和光谱.思考与输入和输出功率/能量/脉冲以及它们的光谱特性。请为您的特殊要求,也具有挑战。Ref-1: Materials and Application Wavelength?Ref-2: Chip StructureRef-3: Conversion ConfigurationRef-4: Dimension and Surface Specification ???
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  • NKT Photonics公司于2009年由世界大型的商业化微结构特种光纤供应商Crystal Fibre公司和业界前沿的窄线宽光纤激光器和连续谱白光光源制造商Koheras公司合并成立,隶属于丹麦有名的工业集团NKT Holding。近几年市场地位不断加强,收购Onefive,加快了NKT在快激光器领域的步伐。NKT 快激光器系列可提供从飞秒到皮秒的大范围脉冲长度,输出功率高达100W,提供固定或可调重复频率。NKT Photonics致力于研发、制造商用和工业级特种微结构光纤(光子晶体光纤)、高功率光纤放大器、连续谱白光激光器和窄线宽DFB光纤激光器。这些产品均已在众多领域得以应用,如:生物光子学、计量、光纤传感、相干通信、测试测量、高精度光谱学以及激光雷达等。利用光子晶体光纤技术制做的双包层光纤称为空气包层光纤,特点: 大模场面积单模光纤;可承受很高的峰值功率;高脉冲能量(单模时);高泵浦数值孔径(0.6~0.7);高的泵浦吸收效率(达30dB/m);全硅结构(无聚合物,保证了良好的功率处理能力);良好的温度特性;高可靠性。应用:高脉冲能量光纤放大器;光纤激光器;大模场面积,可以支持高功率水平;具有大数值孔径多模波导,可以有效收集反向散射光或者荧光。产品型号、参数:型号 纤芯直径[μm]内包层直径[μm]外包层直径[μm]涂覆层直径[μm]MFD[μm]纤芯NA@1μm泵浦吸收@976nm[dB/m]泵浦吸收@915nm[dB/m]泵NA@ 950nmDC-135-15-PM-Yb15 ± 1135 ± 5280±10345±2016 ± 10.055± 0.012.8~80.6 ± 0.05DC-200-40-PZ-Yb40 ± 2200 ± 5450±20540±3030 ± 2~0.03~10~30.55± 0.05DC-200-40-PZ-Si40 ± 2200 ± 5450±20540±3030 ± 2~0.03--0.55± 0.05aeroGAIN-ROD-PM55-Power55200 ± 101000±100NA45 ± 5-155 ± 0.5≥0.5aeroGAIN-ROD-PM85-Power85260± 101000±100NA65 ± 5-155 ± 0.5≥0.5
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  • 半导体参数测试仪 400-860-5168转5919
    一、产品概述:半导体参数测试仪是一种专门用于测量和分析半导体器件电气特性的测试设备。该仪器能够评估器件的电流-电压(I-V)特性、容量、泄漏电流和其他关键参数,广泛应用于半导体制造和研发领域。二、设备用途/原理:设备用途半导体参数测试仪主要用于测试各种半导体器件,如二极管、晶体管和集成电路。工程师可以利用该仪器进行器件特性分析、故障排查和性能评估,以确保半导体产品的质量和可靠性。工作原理半导体参数测试仪通过施加已知的电压并测量相应的电流来工作。仪器内部使用高精度的模数转换器(ADC)和数字信号处理技术,实时记录和分析I-V曲线。用户可以设置不同的测试条件,如扫频、阶梯测试等,生成详细的测试报告,帮助用户深入了解器件的电气特性和性能表现。三、主要技术指标:1. 配备集成电脑及显示屏一体机箱,包含高精度电流测量模块、电容测量模块、超快脉冲模块,配合用数据测量分析软件,无需外接其他仪表即可实现I-V曲线,I-t曲线,C-V曲线及C-f曲线的测量并能在屏幕实时显示测量结果2. 电流测量精度≤0.1 fA,小可测量电流≤20 fA3. 大电流测量量程≥0.1 A,大输出功率≥2 W4. 电流测量精度10 fA时,电流表的短采样时间间隔100 μs5. I-V特性测试及C-V特性测试切换时,无须更改电路6. 实现不同频率交流阻抗测量(C-V、C-f、C-t) 的测量,频率范围1 kHz-5 MHz,小频率步进≤1 mHz7. 电容测量精度≤5 fF (1 MHz)、≤10 fF(5 MHz)8. 电容测量范围5 fF-1 nF,电压0至±25V,步进≤1 mV9. 具有脉冲输出及采集模块,脉冲输出电压峰值10 V10. 脉冲采样大采样率≥200 MSa/s,小采样时间5 ns11. 具有瞬态波形捕获模式12. 具有任意波形发生器,支持多电平脉冲波形,可编程分辨率10 ns
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  • Freiberg Instruments的单晶XRD定向仪 主要里程碑: ◆ 1961 - EFG GmbH公司由X-ray Ing.集团亚瑟布拉达切克和他的儿子汉斯布拉达切克创立。 ◆ 1969 - 研制了世界上首台基于集成电路的x射线检测计数装置,名为 COUNTIX 130。◆ 1989 - 开发 Omega-Scan 方法BOSCH 要求提供圆形石英毛坯的定向测量系统 - 振荡器产量从 50% 提高到 95%◆ 2005 - 将 Omega 转移到其他材料,如SiC、蓝宝石、GaN、GaAS、Si、Ni基高温合金 ◆ 2010 - 推出用于晶体取向测量的台式 X 射线衍射仪 ( DDCOM ) 全球售出 约 150台石英分选系统◆ 2015 - X 射线技术和 EFG GmbH 合并到 Freiberg Instruments GmbH 传承60年德国工匠精神-三代X射线工程师 产品优势: ◆ 采用Omega-scan扫描方法(专利技术) ◆ 测试速度快: 5s ◆ 测角精度高: 0.003 ◆ 兼具XRD定向功能以及Flat/Norch功能 ◆ 磨抛定向解决方案 ◆ 拥有晶锭粘接转移的专利技术(堆垛 stacking)专为SiC工业设计,被多家SiC衬底头部企业青睐,如:II-VI Advanced Materials, SiCrystal等,国外四分之三的碳化硅制造商依赖Freiberg Instruments公司的晶体取向测量技术,极大提高了生产效率,提升产品质量。 ◆ Mapping 面扫功能,摇摆曲线测定 ◆ 易于集成到工艺线中 ◆ MES和/或SECS/GEM接口 ◆ 倾斜的典型标准偏差(例如:Si 100): 0.003 °,小于 0.001 ° Omega/Theta X射线衍射仪是一个全自动的垂直三轴衍射仪,用于使用Omega-Scan和Theta-Scan方法对各种晶体进行取向测定和摇摆曲线测量。大而宽敞的设计可以容纳长度达450毫米、重量达30公斤的样品和样品架。 所有的测量都是自动化的,可以从用户友好的软件界面上的访问。使用Omega扫描,可以在晶体旋转时(5秒)确定完整的晶格方向。Theta扫描更加灵活,但每次扫描只能得到一个取向成分。 倾斜角可以以非常高的精度确定;使用Theta扫描可以达到0.001°。对于所有其他晶体方向,精度取决于与表面垂直的角差。 该系统是模块化的,已经配备了许多不同的扩展,用于特殊的目的,如形状或平面的确定、绘图和不同的样品架。样品的倾斜是通过光学测量检测出来的,并可用于校正所产生的方向。 单晶衍射仪定向仪: ◆ 全自动完整的单晶体晶格取向测量 ◆ 使用欧米茄扫描法进行超快速的晶体取向测量 ◆ 自动摇动曲线测量功能 ◆ 衍射仪的角度分辨率:0.1角秒。 ◆ 样品尺寸可达450毫米 ◆ 适用于生产质量控制和研究 用户友好,成本效益高: ◆ 方便的样品处理,易于操作 ◆ 先进的、用户友好的软件 ◆ 能源消耗和运行成本低 ◆ 模块化设计,灵活性强 ◆ 各种升级选项 ◆ 根据用户的要求进行定制 选配功能: ◆ 自动Mapping面扫功能 ◆ Omega/Theta – 晶锭粘接转移的专利技术(堆垛 stacking) ◆ Omega/Theta - 摇摆曲线测量 ◆ Omega/Theta - 定制的样品台 ◆ 用于样品形状测量的激光扫描仪 ◆ 光学检测,用于平面和凹槽检测 ◆ 额外的样品旋转轴用于3D绘图 ◆ 二级通道切割准直器(分析器) ◆ 用于样品调整的设备
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  • SBN晶体 400-860-5168转2831
    光折变晶体 SBNSBN晶体,又名铌酸锶钡,是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体,用于电光,声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术,具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹,包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数:可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域:1. 光学信息记录,动态全息干涉,光学全息放大等;2. 高效相位共轭,自泵浦相位共轭镜,双相位共轭镜:3. 用于电光器件和声光器件;4. 用于Pyroelectrical 探测器;更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息,或直接来电咨询。
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  • 劳厄晶体定向仪 400-860-5168转2623
    劳厄晶体定向仪采用劳厄法对晶体产生衍射,并通过成像板进行实时成像,从而达到快速定向。产品特点定向时间:1秒实时定向探测区域大可做晶体重量范围大适用于实验室和工厂中,大大增加研发的速度。
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  • 碘化铯闪烁晶体可分为Tl激活、Na激活和纯碘化铯三种,其化学式分别为CsI(Tl) 、CsI(Na)和CsI,它们均为无色透明的立方晶体。CsI(Tl)晶体的光输出可达NaI(Tl)晶体的85%,发光主峰位在550nm,能与硅光电二极管很好地匹配,从而使读出系统大为简化。它的衰减时间与入射粒子的电离本领有关,特别适宜于在强g本底下探测重带电粒子。碘化铯晶体没有解理面、较软且有一定的可塑性,所以晶体可以制成各种各样形状的探测器,同时能够承受猛烈的冲击、震动以及大的温度梯度不损坏。CsI(Na)的发光效率与NaI(Tl) 接近,发射光谱的主峰位在420nm,更容易与光电倍增管配合;温度效应好。特别适合于在高温环境和空间科学研究中使用。它的缺点是在低能(20keV)下发光效率很快下降,潮解作用比CsI(Tl)厉害。纯CsI晶体的潮解性比CsI(Tl)弱得多。其发射光谱中含有一个波长在305nm的快分量(10ns) 和波长在350-600nm附近的慢分量(100-4000ns) 。通过对慢分量的抑制,快/慢分量比可以达到4倍,总的光输出可达NaI:Tl 的4-5%。该晶体的应用有利于获得比较好的时间分辨率。
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  • 劳厄晶体衍射仪 400-860-5168转2623
    劳厄晶体衍射仪产品概述:MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向(反射和透射)、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理:由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入,照射在被分析样品上,在满足布拉格公式:nλ=2dSinθ条件下,产生X射线衍射图像,这些图像记录在感光片上,然后对这些图像进行计算分析,可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大:30cm×30cm2 灵敏度高:单光3 角灵敏度高:0.054 探测速度快:几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低:半年更换一次气体,一年更换一次冷却剂即可(价格较低廉)6 样品可旋转:探测器转过程中同时转动样品,可以得到对称性高的图像
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  • 高纯锗晶体 400-860-5168转3524
    高纯锗晶体(12N,13N) 1、晶体习性与几何描述: 该晶体使用直拉法在晶体(100)方向延伸。圆柱形表面(表面光洁度小于2.5 μm RMS)。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时,其当量直径为: D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货,我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求,提供定制服务。 2、纯度:残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关,请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器:同轴探测器适用于下列公式: Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 : 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀,内径8毫米的内孔半径, 适用公式变为: D = 晶体外表面 平面探测器:平面探测器(厚度小于2厘米)适用于以下公式: d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子(绝对值) 迁移:霍尔迁移 性能: P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级: P 型晶体 通过深能瞬态测量,Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标: P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明: 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%(7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料,用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度,红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等,得到p型锗;在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等,得到n型锗。交货期90天
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  • Ge晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:Ge晶体基片产品简介:化学符号为Ge ,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。技术参数:晶体结构:立方:a = 5.6754 ?;生长方法:提拉法;密度:5.765 g/cm3 熔点:937.4 ℃热传导性:640掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺Ga类型:/;N;P;电阻率W.cm:35;0.05;0.05-0.1;EPD: 4x103/cm2; 产品规格:晶体方向: 111,100and110± 0.5o 标准尺寸:dia1"x 0.50 mm;dia2"x0.5mm;dia4"x0.5mm(110 Ra5A,不化抛)注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品: A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机
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  • 劳厄晶体定向仪采用劳厄法对晶体产生衍射,并通过成像板进行实时成像,从而达到快速定向。产品特点定向时间:1秒实时定向探测区域大可做晶体重量范围大适用于实验室和工厂中,大大增加研发的速度。
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  • 产品概述:MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向(反射和透射)、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理:由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入,照射在被分析样品上,在满足布拉格公式:nλ=2dSinθ条件下,产生X射线衍射图像,这些图像记录在感光片上,然后对这些图像进行计算分析,可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大:30cm×30cm2 灵敏度高:单光3 角灵敏度高:0.054 探测速度快:几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低:半年更换一次气体,一年更换一次冷却剂即可(价格较低廉)6 样品可旋转:探测器转过程中同时转动样品,可以得到对称性高的图像
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  • PPLN晶体 400-860-5168转1545
    仪器简介:PPLN是一种高效的非线形晶体,获得最大的波长转换效率必须对温度进行控制,并且晶体内部均匀的温度分布也很重要。Covesion提供了一系列的温度控制夹具或温控炉,以及温度控制器,尽量提高波长转换性能。改变晶体问题,也用于OPO中窄范围的波长调谐或其他波长转换应用。PPLN扩展了现有的激光系统,光谱覆盖可见到中红外。正确的PPLN和泵浦激光组合,可获得波长450nm到5um范围的光。Covesion还专门加工更复杂的晶体结构,在一个光学芯片上集合多种功能。 PPLN所提供的实际有效的波长转化,使得它成为各行业应用的焦点,如显示器、航空、电信、环境检测等。PPLN能达到转换效率很大程度上取决于激光束的属性。例如,优化的短脉冲激光单次通过晶体可获得80%的转换效率,但使用连续激光器,转换效率就可能下降到只有几个百分点。 PPLN是将生产的铌酸锂原材料晶圆进行所谓的&ldquo 周期性极化&rdquo 获得。铌酸锂是铁电晶体,在每个晶胞单元,由于铌离子和锂离子的晶格位置略有偏移,便产生了一个小的电偶极矩。通过施加一个强的电场,可以逆转这种结构,重新分布晶体中的偶极矩。反转铌酸锂结构的电场约为22KV/mm,反转时间仅需几个毫秒,之后该反转结构将永久性保持。在PPLN中,我们按光栅结构每隔几微米进行周期性反转,以实现输入光和输出光的准相位匹配。 在单个PPLN晶体上,可以完成多个光栅周期结构的加工。对OPO和其他可调谐应用,利用多周期结构可从单一泵浦光得到宽波长范围的光。光聚焦到不同周期光栅可实现波长的粗调,晶体的温度变化则可实现精细调节。技术参数:part# pump (nm) ouput (nm) period (&mu m) temp range ° C length (mm) aperture (mm) SHG8-1 976 - 984 488 - 492 5.00, 5.04, 5.08 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG8-10 10 SHG3-1 1060 - 1068 530 - 534 6.50, 6.54, 6.58 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG3-10 10 SHG3-20 20 SHG4-1 1310 - 1322 655 - 661 12.10, 12.20, 12.30 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG4-10 10 SHG5-1 1540 - 1576 770 - 788 18.20, 18.40, 18.60, 18.80, 19.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG5-10 10 SHG6-1 1570 - 1652 785 - 826 19.00, 19.25, 19.50, 19.75, 20.00, 20.25, 20.50, 20.75, 21.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG6-10 10 SHG7-1 2024 - 2250 1012 - 1125 29.50, 30.00, 30.50, 31.00, 31.50, 32.00, 32.50 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG7-10 10主要特点:周期性极化铌酸锂(PPLN)提供了460nm-1500nm波长范围内的高效率波长转换。我们专业的极化工艺可制作4.5um到33um的极化周期,是批量制造的理想选择。下面列出了标准的产品系列,对目前最常用的非线形过程进行分类:倍频(SHG), 和频(SFG),差频(DFG)和光学参量振荡/产生(OPO/OPG)。我们的PPLN晶体的标准范围与广泛使用的各种波长的激光相结合。每个晶体包含多周期光栅,灵活地实现温度及波长组合。我们的晶体镀增透膜,并抛光到:&lambda /4 平坦度,± 5min平行度,高于20-10光学表面质量。所有标准产品都经过严格的质量检验,提供带夹具的现货。
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  • PPLN晶体 400-860-5168转2831
    PPLN and MgO:PPLN容易结合到您光学装置中的全套PPLN系统氧化镁掺杂的周期极化铌酸锂(MgO:ppln)晶体产品负责人:姓名:许工(Gary)电话:(微信同号)邮箱:MgO:PPLN是用于460nm~5100nm范围的高效波长变换的非线性光学晶体,英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工,提供了高精度的4.5um至33um极化周期,并且适用于大批量制造。在铌酸锂中添加5%的氧化镁可显著提高晶体的光学损伤和光折变阈值,同时又保留高的非线性系数。与类似的未掺杂的晶体相比,可实现可见光波段和较低温度下运行的更稳定的性能。MgO:PPLN晶体可在室温下运行,在某些情况下,不需要控制温度。从室温到200摄氏度,与未掺杂的PPLN晶体相比,MgO:PPLN晶体可提供明显更宽的波长适用范围。英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工,提供了高精度的4.5um至33um以上极化周期,尤其对红-绿-蓝光的产生和高功率中红外波段的应用,可为OEM量产提供优质原材料。我们的优势:1. 世界一流的PPLN技术2. 高品质1)10年以上的生产经历2)世界顶级镀膜公司合作伙伴3. 稳定可重复使用的性能均匀计划贯穿整个晶体厚度4. 完善的温度控制方案可实现无时间延迟的简单、大范围的温度调谐5. 丰富的库存和高效的服务1)1周内可以收到库存产品2)8周可以收到定制产品,半定制产品时间周期小于8周 以下是我们部分库存产品,有其他频率转换需求随时联系上海昊量光电!二次谐波(SHG)MgO:PPLN晶体型号: 光学参量振荡/产生(OPO/OPG)MgO:PPLN晶体型号:差频(DFG)MgO:PPLN晶体型号:和频(SFG)MgO:PPLN晶体型号: 我们为更特别的应用提供掩膜版:更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商,代理品牌均处于相关领域的发展前沿; 产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等,涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先jjin激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息,或直接来电咨询。
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  • 智慧源石英晶振测试仪GDS-80L是一款专为满足市场需求而研发的高性能晶振测试设备。以下是这款产品的几个突出特点。测试功能强大:GDS-80L采用了π型网络零相位法实现等精度测量,可以测量从低频到高频的石英晶体振荡器的频率和阻抗参数。它可以保存5个不同的晶振频率和负载电容参数,方便用户进行批量测试。操作简单:GDS-80L采用了大屏幕点阵液晶显示,使得用户可以简单快速地设置测试参数和启动测试。高精度和高稳定性:GDS-80L采用了高精度的频率计数器和稳定的频率源,使得测量精度更高,稳定性更好。它还采用数字信号处理技术,可以快速准确地计算出晶振频率和阻抗参数。自动测试功能:GDS-80L引入了自动测试算法,可以自动完成晶振频率的快速自动测试,大大提高了测试效率。智能运算:GDS-80L采用智能运算克服了市场上晶体阻抗计阻抗数值显示不明显的缺点,解除了手工校对的麻烦,让晶振测试变得更轻松。输出接口:GDS-80L附带了RS-232接口进行数据通信,方便用户将测试数据导入到计算机中进行数据处理和分析。总的来说,智慧源石英晶振测试仪GDS-80L是一款功能全面、性能优秀、使用方便的晶振测试设备,适用于邮电、通信、广播电视、学校、研究所及工矿企业生产和科研使用等多种领域。
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  • Ge晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:Ge晶体基片产品简介:化学符号为Ge ,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数:密度:5.765 g/cm3 ;熔点:937.4 ℃;热传导性:640;掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺In或Ga;类型:/;N;P; 电阻率W.cm:35;0.05;0.05-0.1;EPD: 4x103/cm2 4x103/cm2 4x103/cm2 常规尺寸:晶体方向: 111,100and110± 0.5° 或特殊的方向;标准抛光片尺寸:Ф1"x 0.3mm;Ф2"x0.5mm;(110 Ra5A,不化抛)注:也可根据客户需求提供特殊尺寸和方向的基片备注:1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装相关产品: A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机
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