晶体膜厚仪

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡（SHG，SFG）光学参量振荡和光学参量放大（OPG，OPA）差频振荡（DFG）脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡（GaSe晶体）极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟，于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲，他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为：在一个脉冲宽度时间内（或所期望的脉冲宽度时间内），他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配，τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配，我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1，800nm的SHG效应， BBO，LBO，KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限，在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中，同时也列出了在室温（20°C）时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体，则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度（或期望脉冲宽度）群延迟色散（GDD）对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度，所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时，折射率随波长的增加而降低，这将导致高频分量产生更低群速度，于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象，晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲，脉冲初始宽度为 0，其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子

本公司研发团队开展石英晶体微天平化学生物传感分析研究已有三十余年，具有丰富的QCM应用研究经验，可根据客户需求提供个性化服务，解决客户QCM使用中出现的技术问题。该仪器融合多家著名高校相关领域研究成果，仪器模块化结构、便携式设计，可与电化学仪器光学仪器联用。仪器价格优惠、使用简单、性能稳定、检测结果可靠。石英晶体微天平（Quartz Crystal Microbalance，QCM）是一种非常灵敏的质量检测仪器。在一定条件下，石英晶体上沉积的质量变化和振动频率移动之间关系呈线性关系(Sauerbrey公式)，其测量灵敏度可达纳克级，可以测到单原子层的质量变化。本仪器采用10 MHz石英晶体，每Hz的频率变化相当于0.85 ng/cm2。石英晶体微天平作为纳克质量传感器具有结构简单、成本低、灵敏度高的优点，被广泛应用于化学、物理、生物、医学和表面科学等领域中，可实现电化学、光化学、光电化学的现场动态监测分析。可广泛用以进行气体、液体成分分析以及微质量的测量、薄膜厚度、液体粘度（血凝）检测等。例如：电活性聚合物表征、Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、DNA的杂交 、 细胞吸附 、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。 仪器特点l 仪器接触溶液的激励电极做工作电极与电化学仪器联用可构成EQCM测量技术。 l 仪器便携式设计、操作简单、方法选择、操作过程、步步提示。l 锂离子电池可作为电源、抗干扰能力强。l 仪器智能化模块化设计、结构可靠，可适应现场使用。l SD卡储存数据，方便后续数据处理。l 数据同时通过蓝牙无线传输到手机，可在手机上同步进行显示和储存。l 仪器可与其他分析仪器联用，如电化学仪器、光学仪器联用实现现场多信息传感分析。根据科研需要可进一步开发应用。 技术参数 l 使用晶体频率范围5MHz-20MHz，本仪器使用商用镀金10MHz AT切石英晶体。l 频率稳定性，空气中+1Hz/小时，液相中精确控制实验条件可达到相近的信号稳定性。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示。l 提供2G SD卡储存数据，每隔2秒储存一组实验数据。l 便携式QCM 配备直流供电电压范围9V-18V，建议使用12V，2A 直流稳压源。l 可配备12V 5400mAh 锂离子电池（12.6V，1A 充电器）。l 便携式仪器尺寸：150*97*40mm；仪器重量：500 g。

PPLN and MgO:PPLN容易结合到您光学装置中的全套PPLN系统氧化镁掺杂的周期极化铌酸锂（MgO:ppln）晶体产品负责人：姓名：许工(Gary)电话：（微信同号）邮箱：MgO:PPLN是用于460nm~5100nm范围的高效波长变换的非线性光学晶体，英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um极化周期，并且适用于大批量制造。在铌酸锂中添加5%的氧化镁可显著提高晶体的光学损伤和光折变阈值，同时又保留高的非线性系数。与类似的未掺杂的晶体相比，可实现可见光波段和较低温度下运行的更稳定的性能。MgO:PPLN晶体可在室温下运行，在某些情况下，不需要控制温度。从室温到200摄氏度，与未掺杂的PPLN晶体相比，MgO:PPLN晶体可提供明显更宽的波长适用范围。英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um以上极化周期，尤其对红-绿-蓝光的产生和高功率中红外波段的应用，可为OEM量产提供优质原材料。我们的优势：1. 世界一流的PPLN技术2. 高品质1）10年以上的生产经历2）世界顶级镀膜公司合作伙伴3. 稳定可重复使用的性能均匀计划贯穿整个晶体厚度4. 完善的温度控制方案可实现无时间延迟的简单、大范围的温度调谐5. 丰富的库存和高效的服务1）1周内可以收到库存产品2）8周可以收到定制产品，半定制产品时间周期小于8周 以下是我们部分库存产品，有其他频率转换需求随时联系上海昊量光电！二次谐波（SHG）MgO:PPLN晶体型号： 光学参量振荡/产生（OPO/OPG）MgO:PPLN晶体型号：差频（DFG）MgO:PPLN晶体型号：和频（SFG）MgO:PPLN晶体型号： 我们为更特别的应用提供掩膜版：更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿； 产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先jjin激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

QCM-D石英晶体微天平 对AT切型剪切振动石英晶振进行快速阻抗频谱测量，频谱测量可获得诸多信息，可在响应幅值最大处获得谐振频率，峰高、半峰宽也可作为特征参数用来表征压电石英体表面粗糙度、膜粘弹性变化情况。本仪器通过快速频谱扫描技术，获得压电石英体的谐振频率（F） 和耗散因子 D （定义为石英晶体品质因子 Q的倒数，通过半高峰宽近似求得）。 JSK-T(I)型石英晶体微天平是本公司独自开发的多功能一体化QCM-D型质量传感检测仪器，工作频率可达200MHz，精确测量纳克级物质质量的传感技术。QCM仪器价格便宜，操作简单，可实现电化学、光化学、光电化学的现场联用动态监测分析。可广泛用于电活性聚合物表征、电池储能材料如Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、光电材料、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、细胞黏附行为、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。仪器特点 QCM-D石英晶体微天平基于快速阻抗频率谱测定技术，能够测定谐振频率、振幅、相位等参数，可用于常见压电石英晶体，例如基频5MHz、6MHz、8MHz、10MHz的石英晶体； 可进行奇数倍频测量，频率上限最高可达200MHz,优于目前常见QCM设备。可实现频率、相移、耗散因子等参数测量。根据需要预设参数、个性化定制。仪器模块化结构、数据显示储存一体、无需外接电脑、抗干扰能力强。l 石英晶体基频 5MHz,6MHz，8MHz，10MHz，33MHz，100MHz可任选。可3、5、7、9、11倍频激励，扫频范围200MHz以内。l 提供两套检测池、满足不同实验需求。可配置注射泵或蠕动泵、PID自动控制温度。技术参数l 本仪器使用商用镀金8MHzAT切石英晶体，稳定状态下液相中频率测定相邻数值波动可控制在±0.1Hz。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示，U盘储存数据，无需外接电脑。l 仪器常规石英晶片直径14 mm，能够非常灵敏地检测非常薄的吸附层的质量、耗散、分子的结构（构象）变化。并可计算其他参数，如：厚度、粘度、弹性模量，同时可以进行分子间反应的动力学分析。l 仪器检测的耗散灵敏度可达10-7, 质量灵敏度为4ng Hz-1 cm-2(基频10MHz) 0.4 pg Hz-1 mm-2(基频100MHz) 频率测定模式数据采集0.2s一组数据 ；（可定制相移角测定模式，数据采集速度可达10微秒，可用于快速瞬态测定）。

泰克Tektronix370A 晶体管测试仪TEK370A 泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪名称：泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪主要参数:半导体器件高精度测量-上限达2000V或电流到10A的源（370A/B）-上限到3000V（371A）-上限到220W（370A/B）-上限到400A（371A）-1nA的测量分辨率-上限到3000W（371A）-上限到2mV的测量分辨率（370A/B）-波形对比-包络显示-波形平均-点光标（370A）-Kelvin传感测量-全程控-MS-DOS兼容的软盘，方便设置参孝存储和调用交互式程-所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面板或GPIB来完成的。使用几种存储方式，调整和存储操作参数，包括370A的非易失存储器、内置的MS-DOS兼容的软盘或到外部控制器。测试夹具-测试夹具是标准附件，它提供被测器件安全防护，以保护测量人员的安全。测试夹具适应标准的A1001，中间通过Kelvin传感的A1005适配器、无Kelvin传感的3芯适配器和A1023、A1024表面封装适配器。程控特性曲线图示仪高分辨率特性曲线图示仪，可应用到许多场合。370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管、光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。-在研发实验室，用370A来完成新器件、SPIEC参数的提取、失败分析和产生数据报告这些具体的测试工作。应用-手动或自动进行半导体高分辨率DC参数测量-来料检查-生产测试-过程监视及质量控制-数据报告的生成-元件配对-失效分析-工程测试370A.jpg标签泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪，泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪价格相关产品半导体测试仪半导体测试仪备注： 本公司十年专业销售、租赁、维修、回收二手仪器，公司货源广阔，绝大部分直接从国外引进，成色新，价格低，资金雄厚，库存充足，售前严格，售后快捷是我们的特点：致力于为客户提供更专业，方便，快捷的人性化服务是我们的宗旨；勇于创新，敢于探索是我们的优势；凡在我司购买的仪器免费送较准服务一年！-鹏庆电子

MicroVacuum是源于匈牙利的品牌。工作原理： 　　仪器的核心组件为具有功能表面的石英芯片，通过石英晶体的压电效应来实时监控表面反应。 　　当物质在石英晶体表面发生吸脱附反应或者石英晶体表面的液体性质发生变化时，都会引起频率的变化和振荡损耗(耗散)的变化。芯片共振频率的变化，与芯片表面吸附的物质的质量相关。而振荡能量损耗的强度与吸附物质本身的粘弹性及结构相关。QCM-I系列均可以高精度实时的监控这些变化。 　　通过分析频率变化与耗散变化，可以获得吸附层相应的质量、吸附层厚度、粘弹性(剪切模量)等信息。应用领域： 　　分子相互作用动力学研究(结合/解离常数)细胞吸附、迁移与变化药物作用与药物筛选生物材料相容性研究聚电解质膜的层层组装血凝检测及分析酶降解研究生物传感器平台高分子溶胀、结构变化原油富集及储运研究材料腐蚀与防污水处理及环境污染物消除矿物浮选纳米颗粒分散性流体粘弹性新能源行业细菌生物膜研究

RTP晶体与电光调制模块RTP晶体有高介电常数和电阻率，高激光损伤阈值，低插入损耗，无潮解，和无振铃效应，很适用于做激光的电光调制，包括:Q开关,普克尔盒Pulse Picker电光快门相位调制器，幅度调制器腔倒空器等RTP是双折射晶体，RTP电光器件通常采用两块几何结构和性能完全一致的晶体，光轴彼此垂直做配对使用。这样的双晶体结构器件可以在-50℃-+70℃环境中稳定工作。同时，由于其低半波调制电压需求，使其更加适用于军用，医疗和工业应用，

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

仪器简介：PPLN是一种高效的非线形晶体，获得最大的波长转换效率必须对温度进行控制，并且晶体内部均匀的温度分布也很重要。Covesion提供了一系列的温度控制夹具或温控炉，以及温度控制器，尽量提高波长转换性能。改变晶体问题，也用于OPO中窄范围的波长调谐或其他波长转换应用。PPLN扩展了现有的激光系统，光谱覆盖可见到中红外。正确的PPLN和泵浦激光组合，可获得波长450nm到5um范围的光。Covesion还专门加工更复杂的晶体结构，在一个光学芯片上集合多种功能。 PPLN所提供的实际有效的波长转化，使得它成为各行业应用的焦点，如显示器、航空、电信、环境检测等。PPLN能达到转换效率很大程度上取决于激光束的属性。例如，优化的短脉冲激光单次通过晶体可获得80%的转换效率，但使用连续激光器，转换效率就可能下降到只有几个百分点。 PPLN是将生产的铌酸锂原材料晶圆进行所谓的&ldquo 周期性极化&rdquo 获得。铌酸锂是铁电晶体，在每个晶胞单元，由于铌离子和锂离子的晶格位置略有偏移，便产生了一个小的电偶极矩。通过施加一个强的电场，可以逆转这种结构，重新分布晶体中的偶极矩。反转铌酸锂结构的电场约为22KV/mm，反转时间仅需几个毫秒，之后该反转结构将永久性保持。在PPLN中，我们按光栅结构每隔几微米进行周期性反转，以实现输入光和输出光的准相位匹配。 在单个PPLN晶体上，可以完成多个光栅周期结构的加工。对OPO和其他可调谐应用，利用多周期结构可从单一泵浦光得到宽波长范围的光。光聚焦到不同周期光栅可实现波长的粗调，晶体的温度变化则可实现精细调节。技术参数：part# pump (nm) ouput (nm) period (&mu m) temp range ° C length (mm) aperture (mm) SHG8-1 976 - 984 488 - 492 5.00, 5.04, 5.08 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG8-10 10 SHG3-1 1060 - 1068 530 - 534 6.50, 6.54, 6.58 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG3-10 10 SHG3-20 20 SHG4-1 1310 - 1322 655 - 661 12.10, 12.20, 12.30 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG4-10 10 SHG5-1 1540 - 1576 770 - 788 18.20, 18.40, 18.60, 18.80, 19.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG5-10 10 SHG6-1 1570 - 1652 785 - 826 19.00, 19.25, 19.50, 19.75, 20.00, 20.25, 20.50, 20.75, 21.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG6-10 10 SHG7-1 2024 - 2250 1012 - 1125 29.50, 30.00, 30.50, 31.00, 31.50, 32.00, 32.50 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG7-10 10主要特点：周期性极化铌酸锂（PPLN）提供了460nm-1500nm波长范围内的高效率波长转换。我们专业的极化工艺可制作4.5um到33um的极化周期，是批量制造的理想选择。下面列出了标准的产品系列，对目前最常用的非线形过程进行分类：倍频（SHG）， 和频（SFG），差频（DFG）和光学参量振荡/产生（OPO/OPG）。我们的PPLN晶体的标准范围与广泛使用的各种波长的激光相结合。每个晶体包含多周期光栅，灵活地实现温度及波长组合。我们的晶体镀增透膜，并抛光到：&lambda /4 平坦度，± 5min平行度，高于20-10光学表面质量。所有标准产品都经过严格的质量检验，提供带夹具的现货。

劳厄晶体衍射仪产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

产品名称：非极性氮化镓(GaN)晶体基片产品简介：技术参数：晶体定位面：A plane 11-20+/-1 M plane 1-100+/-1°.传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R0.5 Ω.cm；R106Ω.cm表面粗糙度：0.5nm位错密度：5x106Ω.cm可用表面积：90%TTV:≤15um； 产品规格：常规尺寸：10x5x0.5mm；厚度公差：+/-0.05mm；注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋相关产品：Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

STX-620型晶体定向切割一体机，主要用于材料分析样品的精密切割，本系统由金刚石线切割机和X射线定向仪组合而成，金刚石线切割机的Y轴可通过程序控制平行进入定向仪，并带有360度水平旋转的载样台，满足晶体在定向仪中的位置要求，晶体定向后，再利用连接的Y轴进入回切割设备中，避免了二次装夹带来的切割角度误差，从而实现快速定向并切割。适用于脆性、容易解离晶体的精密切割。采用X射线晶体定向仪和金刚石线切割机进行连接组合，精准测量，无缝衔接切割。整体采用铝型材结构，美观轻便。产品名称STX-620型晶体定向切割一体机产品型号STX-620主要参数金刚石线切割机部分1、供电接口：国标带保险三极插座 AC220 50Hz 10A2、总功率：350W3、主体构成：铝合金框架4、金刚石线长度 ：≤150m5、金刚石线直径 ：φ0.25-0.45mm6、金刚石线张紧方式 ：可调气动张紧7、张紧压力调节范围 ：0.1-0.4Mpa8、主轴切割旋转方式 ：往复式旋转9、主轴驱动电机 ：交流变频+减速机 AC220V 300W10、主轴转速 ：5m/s 可调11、Z轴工作台有效行程 ：≤160mm（选配机以实物为准）12、Y轴工作台有效行程 ：≤480mm13、Z、Y 轴进给精度 ：0.01mm14、样品台 ：电动三维转台，水平 0-360°15、角度台 ：电动：±15°16、Y轴、Z 轴、R 轴驱动电机 ：精密步进电机17、两导向轮内侧最大间距 ：≤180mm18、切割最大工件直径和长度 ：Φ150mmX150mm19、工作台中心承重 ：≤10Kg20、控制方式 ：PLC 编程器+4.3 寸触摸屏21、参数显示形式 ：数字22、安全控制装置 ：绕线筒超行程、 断线自停 急停开关23、产品规格：尺寸：640x700x1450mm重量：约170kgX射线晶体定向仪原子曲面分析系统V2.0一、功能概述：1. 此仪器一台多角度、多功能的晶体定向仪，用于：晶锭端面定向；2. 仪器支持多角度测量。3. 免校准、仪器手动上下被测材料。4. 仪器θ轴及2θ轴自动调节方式。5. X光焦点采取机械接触式顶针。6. HMI显示数据。7. 故障提示。二、被测晶体：序号项目内容（规格、参数）1材料单晶2形状晶棒3规格直径8英寸以下。4被测部位端面三、技术参数：序号项目内容（规格、参数）1工作台此仪器有一个工作位2测量方式手动上、下物料。3电源输入单相交流 220V，50Hz，电源电压波动不大于±10%。电源应备有单相三芯插座，接线应符合国家标准，即三芯左零、右火、上脚为地线。4X射线管铜靶，风扇冷却，阳极接地。5管 电 压最大管电压为 30KV、全压合闸。6管 电 流0-1mA、连续可调（超过1mA有可能损坏X光管）。7总耗电功率整机总耗电功率不大于1.2KW。8仪器精度±30”（以供方提供的石英标准片10ī1面测量）。9最小读数3”。10校 准免校准（断电后免校机）。11显示方式PLC 触摸屏操作及显示（度及度分秒两种）。12测量角度范围2θ角：0~+104°，θ角：0°~+52°。13保护Door interlock、EMO、高压连锁，温控保护。14测量空间φ300*300mm。15接收器接收器B。四、环境要求：序号项目内容（规格、参数）1电源单相交流 220V，50Hz，电源电压波动不大于±10%。2插座电源应备有单相三芯插座，接线应符合国家标准，即三芯左零、右火、上脚为地线。3环境温度环境温度+5~+35℃。建议恒温使用，最好安装在有空调的房间内使用（温度变化大，可能会影响测量精度）4环境湿度相对湿度不得大于 65%。5接地装置有良好的接地装置，接地电阻不应大于4Ω。6配水需求无7空气源需求无五、验收标准：序号项目内容（规格、参数）1精准检测以卖方提供的标准片石英片10ī1面测量以标准石英片 10ī1面对设备检测，仪器精度为±30"，微安表下降±2个小格，最小读数为1"。2重复精度测量重复精度，98%以上在精度范围内。

PPLN定制服务PPLN Custom/ULTRA Chips 针对不同用户以及有特殊要求的用户（参数超出现今工业标准或者从未有过的创新），我们接受PPLN晶体的设计/制造服务。例如 80mm-长PPLN晶体或者40mm-宽多周期-扇形晶体。附例是用于主动调Q基础的PPLN晶体，PPLN晶体作为band-selected TE/TM模式转换或者调制等。基于您创新的应用一些特殊结构可以被设计/制造。产品特色：单独为您的应用打造参数规格，或者超出现今工业标准的参数要求；和您一起探索产品应用的优化和创新；可用于特殊尺寸/角度/镀膜/chip-on mount/模组封装可用产品 周期X厚度X宽度X长度 不同应用的QPM配置示例：用于超快脉冲调谐/或者优化的不同QPM长的多周期光栅结构用于带宽调谐/或者优化的不同QPM啁啾率的多周期光栅结构用于连续波调谐选定波长的QPM扇形周期的多周期光栅结构

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

产品名称：Cd1-xZnxTe晶体基片产品简介：CdZnTe晶体是一种闪烁矿结构的连续固溶体，改变Zn的组分，其晶格常数在0.6100 -0.6482urn之间连续可调，能与不同波段的HgCdTe晶格常数精确匹配。因此CdZnTe晶体是目前公认的最佳HgCdTe衬底。 产品特点：良好的导电性能；广发可调和直接带隙较高的吸收系数；与HgCdTe外延膜的晶格匹配性好；温和的热膨胀性； 技术参数：晶体名称Cd 1-x ZnxTe 生长方法Bridgeman结构 立方晶格常数(A)a=6.486密度 ( g/cm3)5.851熔点 (oC)1045热容 (J /g.k)0.210热膨胀系数(10-6/K)5.0类型P-型组成y=4±0.5%红外透过率60% (2um-25um)腐蚀坑密度1e5X射线摇摆曲线半峰宽30弧秒 产品规格：常规晶向：111 或者211,B面，±0.5度尺寸：15x15mm 15x20mm 20x20mm 20x25mm 25x30mm 30x30mm 厚度1mm。注：可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

Ppxx散装芯片关键词：PPLN晶体,PPLT晶体,PPMGOLN,非线性晶体_PPLN晶体,非线性晶体 基于准相位匹配（QPM），使新的波生成和xx型谱是困难的或不可能的工程实现由传统的非线性材料。xx型芯片和全谱（LN、LT：氧化镁：镁和适当的非线性频率转换计划）（DFG SFG，倍频、OPO，收购，联合，一个CAN，等），实现期望的输出波长（紫外/可见到/从太赫兹光谱反演和特殊功能（），两个频谱转换。频谱工程等）有效。 HCP提供以下全光谱configurations xx型散装芯片来满足你的应用要求和规格。我们可以帮助你设计结构合适的外加电压和外加电压为选定的时间获得所需的材料/ PPLT极化相匹配指定的操作温度和光谱.思考与输入和输出功率/能量/脉冲以及它们的光谱特性。请为您的特殊要求，也具有挑战。Ref-1: Materials and Application Wavelength?Ref-2: Chip StructureRef-3: Conversion ConfigurationRef-4: Dimension and Surface Specification ???

THz晶体MolTech(THz crystals)品牌: 德国MolTech关于德国Moltech公司： 德国Moltech公司位于柏林，专注于激光材料，激光介质，激光晶体，太赫兹晶体，法拉第隔离器的研发制作。Moltech公司的THz晶体广泛为中国的客户使用和好评。一、ZnGeP2晶体特点和应用 ZnGeP2(磷镓银)单晶有着最大的光学非线性系数和极高的激光损伤阈值，是用于中红外和太赫兹波段非常高效的非线性光学材料。ZGP晶体具有正双折射效应，因此它可以用于0.75-12μm波长范围的相位匹配频率转换。可以将1.06mm光与CO2激光混合，实现到近红外波段的上转换。 透过范围(μm) 0.75 – 12.0点群 42m密度(g/cm3) 4.12摩氏硬度 5.5反射系数 　2.00 μm no = 3.1490 ne = 3.18894.00 μm no = 3.1223 ne = 3.16086.00 μm no = 3.1101 ne = 3.14808.00 μm no = 3.0961 ne = 3.135010.00 μm no = 3.0788 ne = 3.118312.00 μm no = 3.0552 ne = 3.0949非线性系数(pm/V) d36 = 68.9(10.6μm处),d36 = 75.0(9.6μm处)损伤阈值(MW/cm2) 60 (10.6μm,150ns)二、GaSe晶体特点和应用： GaSe（硒化镓）具有非线性系数大，损伤阈值高和透过范围宽三重优势，是一种非常适合作中红外光二次谐波的非线性光学单晶。 GaSe可以用于CO2激光器的倍频，上转换CO和CO2激光射线到可见范围。 GaSe还可以用于太赫兹射线的产生典型参数：透过范围(μm) 0.62 – 20点群 6m2密度(g/cm3) 5.03晶格参数 a = 3.74, c = 15.89 ?摩氏硬度 2反射系数 　5.3 μm 处 no= 2.7233, ne= 2.396610.6 μm 处 no= 2.6975, ne= 2.3745非线性系数(pm/V) d22 = 54离散角 4.1°(5.3 μm)损伤阈值(MW/cm2) 28 (9.3 μm, 150 ns) 0.5 (10.6 μm, in CW mode) 30 (1.064 μm, 10 ns) 三、AgGaS2 ( AGS)晶体 AGS (硫镓银) 对于红外射线来讲,是一种非常高效的倍频晶体,尤其是10.6μm的CO2激光器, 虽然其非线性系数很低,但是它在550nm附近非常高的短波透过率在YAG泵浦的OPO有广泛应用,还可应用于中红外波段的混频系统波长范围从4.0到18.3 μm, 通过差频实现红外波段光输出。透过范围(μm) 0.47 - 13点群 4m2密度(g/cm3) 5.03晶格参数 a = 5.757, c = 10.311 ?摩氏硬度 3.0 - 3.5反射系数 　5.3 μm no = 2.4521 ne = 2.39903.0 μm no = 2.4080 ne = 2.35455.3 μm no = 2.3945 ne = 2.340810.6 μm no = 2.3472 ne = 2.293412 μm no = 2.3266 ne = 2.271610.6 μm 处 no= 2.6975, ne= 2.3745非线性系数(pm/V) d36 = 12.5离散角 0.76° at 5.3 μm四、KTiOPO4(KTP)晶体 KTP（磷酸钛氧钾）是一种优质的非线性晶体，它光学质量高，透过范围宽，二次谐波转换效率是KDP的三倍以上，损伤阈值高，离散角小。KTP是倍频Nd：YAG激光器及其它掺钕激光器最合适也是应用最广泛的晶体。应用：l 1.064μm光的二倍频发生器l 近红外波段的光参振荡器l 近红外波段的差频发生器 五、THz晶体-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn 产品介绍：其中GaP(磷化镓)有一个能发出可见光的能代间隙,只不过它是间接能带半导体。当它同GaAs结合形成GaAs1-xPx合金时,就便成了既直接又具有发光能带间隙的物质了。GaP还可用于制作发光二极管，它能够发出绿光。 InP(磷化铟)主要应用于光纤通讯设备,尤其是半绝缘的InP晶片很可能成为光电二极管的主流产品,应用于高速通讯设备，其传输速度能达到40Gbps。InP还有望用于对传输速度要求更高的下一代移动电话中。参数：材料 InP InSb InP: Fe InP:Zn GaP GaAs:Te GaAs:Zn GaAs 多晶阻抗, omNaN 0.03 - 0.2 - 1x106 - 2x107 - - - - -直径 - - 1,011 - 1,2511 1,011 - 1,2511 - 12,511 1,511 -轴向 (100), (111) (100), (111) (100), (111) (100), (111) (100), (111) -100 - -载流子浓度, cm-3 (0.8 - 2.0) x 1015 (8 - 30) x 1013 - (0.2 - 1.0) x 1018 (4 - 6) x 1016 2 x 1017 1.0 x 1019 2 x 1015灵敏度, cm2/V.Sec 3500 - 4000 - - 50 -70 - 4500 - 5200生长技术 - 可参杂 - - 可参杂 - Cz Bridjman六、THz晶体-ZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS介绍：第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均为宽带半导体。其中ZnTe,ZnS可利用全固态可调谐双波长光源在非线性晶体中二阶光学混频方法产生太赫兹光。CdxZn1-xTe(CZT/碲锌镉)半导体单晶是发展远红外,可见光,X-射线探测器,γ射线探测器的重要材料。CZT射线探测器具有吸收系数大，结构紧凑，室温操作等优点。而现在工业和医疗方面产用的高纯Ge和Si的探测器，只能工作在液氮温度下。CZT已经成为硬X射线和γ射线的一种关键技术。天文学方面用CZT阵列去研究宇宙中的高能γ射线源。七、碲化锌晶体（ZnTe）尺寸： 5 x 5 x 0.1 mm-20 x 20 x 10 mm各个尺寸晶向：110表面处理： 抛光、镀膜、非镀膜应用：THz探测、THz产生主要型号及尺寸列表:

NdYAG激光晶体品牌：eksmaopticsNd:YAG激光棒和各种倍频非线性晶体倍频晶体LBO晶体具有高损伤阈值，低光束偏移和优异的倍频效率。是高功率高重复频率Q-Switch和锁模激光器倍频的最佳选择KTP晶体具有超高效率特别适合地平均功率和连续激光应用。该晶体对温度变化不敏感并能工作在极其锋利聚焦或高发散角激光光束环境大孔径的DKDP晶体在高能量Q-Switch激光器中有广泛应用 Nd:YAG激光晶体（标准激光棒）提供各种标准尺寸的Nd:YAG激光棒，包括AR增透膜，适合高能量高功率的脉冲激光应用speciFicAtiONs OF stANDArD Nd:YAG LAser rODsNd Doping Level 0.8% or 1.1%Orientation 111 crystalline directionSurface Quality 10-5 scratch & dig (MiL-PRF-13830B)Surface Flatness λ/10 at 633 nmParallelism 10 arcsecPerpendicularity 5 arcmin for plano/plano endsDiameter Tolerance +0/-0.05 mmLength Tolerance +1/-0.5 mmClear Aperture 90 % of full apertureChamfers 0.1 mm at 45 degCoating Both sides coated AR @ 1064 nm, R 0.2%, AOi = 0 degBarrel Grooving All dia 6.35, 8, 10, 12 mm rods with barrel grooving

光折变晶体 SBNSBN晶体，又名铌酸锶钡，是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体，用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术，具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数：可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域：1. 光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. 用于电光器件和声光器件；4. 用于Pyroelectrical 探测器；更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

产品目录? 晶体管图示仪（曲线追踪仪）? 半导体分立器件测试筛选系统。? 静态测试设备：包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数? 动态测试设备：包括 Tr， Trr , Qg , Rg , FRD , UIS , SC , Ci , RBSOA 等? 环境老化测试：包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等? 热特性测试：包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等? 测试范围：Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOSFET , DIODE , BJT , SCR等分立器件及功率器件。ST-SP2000_5 (Curve版)晶体管曲线追踪仪可测试 19大类27分类 的大中小功率分立器件及模块的 静态直流参数（测试范围包括Si/SiC/GaN材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）主极2000V / 50~1250A，分辨率*高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能?产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）?产品简述 产品扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFET RDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。?可供选择的曲线Tel:d173h4295a2894

劳厄晶体定向仪采用劳厄法对晶体产生衍射，并通过成像板进行实时成像，从而达到快速定向。产品特点定向时间：1秒实时定向探测区域大可做晶体重量范围大适用于实验室和工厂中，大大增加研发的速度。

碘化铯闪烁晶体可分为Tl激活、Na激活和纯碘化铯三种，其化学式分别为CsI(Tl) 、CsI(Na)和CsI，它们均为无色透明的立方晶体。CsI(Tl)晶体的光输出可达NaI(Tl)晶体的85%，发光主峰位在550nm，能与硅光电二极管很好地匹配，从而使读出系统大为简化。它的衰减时间与入射粒子的电离本领有关，特别适宜于在强g本底下探测重带电粒子。碘化铯晶体没有解理面、较软且有一定的可塑性，所以晶体可以制成各种各样形状的探测器，同时能够承受猛烈的冲击、震动以及大的温度梯度不损坏。CsI(Na)的发光效率与NaI(Tl) 接近，发射光谱的主峰位在420nm，更容易与光电倍增管配合；温度效应好。特别适合于在高温环境和空间科学研究中使用。它的缺点是在低能(20keV)下发光效率很快下降，潮解作用比CsI(Tl)厉害。纯CsI晶体的潮解性比CsI(Tl)弱得多。其发射光谱中含有一个波长在305nm的快分量(10ns) 和波长在350-600nm附近的慢分量(100-4000ns) 。通过对慢分量的抑制，快/慢分量比可以达到4倍，总的光输出可达NaI:Tl 的4-5%。该晶体的应用有利于获得比较好的时间分辨率。

超高速Omega扫描方法比Theta扫描方法快200倍自动评估三维完整的晶格方向在5秒内测定整个晶体的方位紧凑，用户友好和成本效益易于移动和轻量级的桌面设计样品处理方便，操作方便空气冷却x射线管能耗低，运行成本低(无需水冷)有效的质量控制流程用于标准研究和工业工作流程晶体方位设定及标示预编程立方晶体参数先进方便的软件精度高，例如高至(1/100)°控制切割、研磨和抛光单晶的完全晶格取向适用于各种尺寸和重量范围大的独特材料，如：2-12英寸的晶圆片和20公斤以下的晶锭特点确定单晶的完全晶格取向使用Omega扫描方法的超高速晶体定位测量立方晶体任意未知取向的测定特别设计用于点阵方向的方位设置和标记气冷式x射线管，无需水冷适合于研究和生产质量控制可测量材料的例子立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP 立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英)，Al2O3(蓝宝石)，GaPO4, La3Ga5SiO14斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3可根据客户的要求进一步选料 在5秒内一次旋转中被捕获DDCOM的应用平面方向的标记和测量Omega扫描能够在一次测量中确定完整的晶体方位。因此，平面方向可以直接识别。这是一个有用的功能，以标记在平面方向或检查方向的单位或缺口。在晶圆片的注入和光刻过程中，平面或凹槽作为定位标记。经过加工后，晶圆片携带数百个芯片，需要通过切割将其分离。晶片必须正确地对准晶圆片上易于切割的晶格面。因此，检查平台或缺口的位置是必要的。为了确定平面或缺口的位置，必须测量平面内的部件。该仪器通过旋转转盘，可以将任何平面方向转换成用户指定的特定位置。这简化了将标记应用到特定平面方向的任务，例如必须定义平面方向时。对于高吞吐量应用程序，可提供自动测量解决方案。

产品名称：锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片产品简介：锗酸铋（Bi4Ge3O12简称BGO）是一种具有立方结构、无色透明的无机氧化物晶体，它不溶于水，在高能粒子或高能射线（x-射线、γ-射线）激发下能发出峰值为480nm波长的绿色荧光。BGO晶体具有强阻止射线能力、高闪烁效率、优良的能量分辨率及不潮解等优点，所以是一种优良的闪烁体，广泛应用于高能物理、核物理、空间物理、核医学、地质勘察和其它工业领域。技术参数： 基本性质晶向100晶体结构立方晶格常数a=10.518?生长方法提拉法熔点1050℃密度7.12g/cm3莫氏硬度5 Mohs透过范围350~5500nm电光系数 (x10-12m/V ) r41 1.03折射率 2.098@ 632.8nm激发光谱 305nm荧光光谱 480~510nm相对光输出 10~14% Nal (Tl)衰减时间 300ns临界能量 10.5Mev能量分辨率(511千电子伏特) 20% 产品规格：可按客户要求定制尺寸标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料，使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒， 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外，上主轴可以在X或Y方向移动。产品数据概览：材料：硅晶体晶体拉动长度 350 mm晶体直径： 最长可达 25 mm最后真空度： 2.5 x 10-5 mbar 最大过压： 2 bar(g)发电机输出电压： 15 kW频率： 2.4 MHz (FZ-14M)上轴进料速度： 最高 30 mm/min上部旋转： 最高 30 rpm下轴 拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 3,000 mm宽度： 1,020 mm深度 1,640 mm面积（总）: 1,800 mm x 4,000 mm重量（总）： 约2,500 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

产品名称：氮化镓(GaN)晶体基片产品简介：GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。技术参数：制作方法：HVPE（氢化物气象外延法）传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R0.5 Ω.cm；R106Ω.cm表面粗糙度：0.5nm位错密度：5x106Ω.cm可用表面积：90%TTV:≤15umBow:≤20um 产品规格：晶体方向: 0001 常规尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um；注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品： Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

所谓Gray Track Effect(灰迹效应）指的是非线性晶体在承受高重复频率，高功率的激光照射后，在晶体内部出现灰色的损伤痕迹。由于以色列Raicol公司采用自有的助熔剂，其HGTR KTP晶体抗灰迹损伤能力远超常规KTP晶体。Raicol低灰迹效应实测图如下： Raicol低灰迹效应实测图 随着工业加工用激光器对于高平均功率和高峰值功率密度的要求越来越高，Raicol的HGTR KTP高抗灰迹效应KTP晶体以其如下优点被广泛采用：平均输出功率密度在532 nm高达5kW/cm² 非线性系数比LBO高4倍在可见光到近红外波长段均保持低吸收率宽温度带宽非吸湿潮解材料小去离角和大接收角

周期性极化KTP (PPKTP） 周期性极化磷酸氧钛钾晶体(PPKTP)是一种高效率的非线性材料。 PPKTP可以根据不同的非线性应用定制。相比在传统的KTP应用，PPKTP没有相位匹配的局限性。PPKTP的非线性系数大约是传统KTP的三倍。PPKTP也是产生纠缠光子源的一种理想材料。 我们可以针对生产企业提供大量的PPKTP晶体，也可以提供少量晶体满足工程和科研客户的需求。 晶体参数 通光孔径[mmXmm] 1x2 长度 [mm] up to 30 光谱范围 [nm] 400-4000 垂直度 [arc min] 15 平面度 &lambda /10 平行度 [arc sec] 30 划痕/Dig 10/5 镀膜 AR/HR/PR *晶体可以接受定制，具体参数请与我们沟通。 OPO Yuchen offers the following types of crystals for OPO applications: - KTP - RTP - LBO - BBO - PPKTP - PPSLT - PPMgLN Part Numbering System for bulk OPO crystals C - &theta - &phi - S - D - L - T - P C - Crystal Type: K (KTP),HGTR KTP (H), R(RTP), L(LBO), B (BBO) &theta &ndash Orientation in Z-X direction [degrees] &phi - Orientation in X-Y direction [degrees] S - OPO type: R (regular), M (monolithic), D-(double pass), N (uncoated) D - Cross Section [mm] L - Crystal Length [mm] T &ndash Transmission of signal wavelength on output face [%] P &ndash Pump Wavelength [nm] Examples: KTP OPO, Cross-section 5x5mm, Length 30mm, Regular, &theta =90O,&phi = 0O, Transmission of signal wavelength on output T99.5%, Pump 1064 nm. K-90-0-R-5-30-99.5-1064 KTP ,Monolithic, &theta =90O, &phi = 0O, Cross-section 7.5 x 7.5mm, length 30mm, Transmission of signal wavelength on output T=50%, Pump -1064 nm, K-90-0-M-7.5-30-50-1064 KTP, Uncoated, &theta =90O,&phi = 0O, Cross-section 3x3 mm, Length 10mm, Pump 1064 nm, K-90-0-N-3-10-T-1064

MONA车载式大晶体搜源系统产品特征:基于光谱的实时检测与定位快速采集(高达0.1s，根据配置不同)自动校准检测单元**运行探测器单元与PC之间无需布线无线数据可以通过WiFi传输G P S 接 收 机集成电池供电，自主操作有监测间隔和报 警级别技术参数:探测器：Nal(TI)探测器体积可选：1L，2L，4L剂量率范围：0.001μSv/h~50μSv/h（1L)0.001μSv/h~25μSv/h（2L)0.001μSv/h~12μSv/h（4L)误差：±20%能 量响应：30keV~3MeV固有本底：＜5nSv/h可选配GM探测器和中子探测器

SDCOM的特点能够测量小至1mm的晶体到或更大的样品各种样品架及输送夹具，用于线锯、抛光等侧晶方向标记选项无水冷却最高精度：0.01°(视晶体质量而定)确定单晶的完全晶格取向使用Omega扫描方法的超高速晶体定位测量气冷式X射线管，无需水冷适合于研究和生产质量控制手动操作(没有自动化选项) 晶体的方向是由反射位置决定 适合多种材料可测量材料的例子立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英)，Al2O3(蓝宝石)，GaPO4, La3Ga5SiO14斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3可根据客户的要求进一步选料SDCOM的应用平面方向的标记和测量Omega扫描能够在一次测量中确定完整的晶体方位。因此，平面方向可以直接识别。这是一个有用的功能，以标记在平面方向或检查方向的单位或缺口。在晶圆片的注入和光刻过程中，平面或凹槽作为定位标记。经过加工后，晶圆片携带数百个芯片，需要通过切割将其分离。晶片必须正确地对准晶圆片上易于切割的晶格面。因此，检查平台或缺口的位置是必要的。为了确定平面或缺口的位置，必须测量平面内的部件。该仪器通过旋转转盘，可以将任何平面方向转换成用户指定的特定位置。这简化了将标记应用到特定平面方向的任务，例如必须定义平面方向时。对于高吞吐量应用程序，可提供自动测量解决方案。