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一、相变存储器的特性和功能 相变存储器既有Nor-type闪存、Memory Nand-type闪存,也有RAM或EEpROM特定的属性。 1.1位变量 与RAM或EEPROM一样,PCM可变最小单位为1。闪存技术在更改存储的信息时需要单独的删除步骤。电流调节和管理可变存储中存储的信息可以直接从1更改为0,也可以从0更改为1,而无需单独的删除步骤。 2.非挥发性 NOR闪存和NAND闪存一样是非易失性内存。RAM需要稳定的电源供应来维持电池支援等信号。DRAM有一个缺点,也称为软错误。粒子或外部辐射引起的随机位损伤。早期英特尔的兆比特 PCM存储阵列能够存储大量数据,实验结果表明PCM具有良好的非易失性。 3.读取速度 与RAM和NOR闪存一样,PCM技术具有随机存储速度快的特点。因此,您可以直接在阵列上运行代码,PFC(功率因数校正)而无需中途复制到RAM。PCM读取响应时间类似于最小单位1位的NOR闪存,带宽类似于DRAM。另一方面,NAND闪存的随机存储时间达数十微秒,因此无法直接完成代码的执行。 4.写入/清除速度 PCM可以获得与NAND相同的写入速度,但PCM的响应时间缩短,不需要单独的删除步骤。NOR闪存的写入速度稳定,但删除时间较长。与RAM一样,PCM不需要单独的擦除步骤,但写入速度(带宽和响应时间)低于RAM。随着PCM技术的不断发展,存储设备将缩小,PCM将不断改进。 5.缩放 变焦比率是PCM的第五个不同点。由于NOR和NAND存储的结构,存储很难缩小体形。这是因为门电路的厚度是恒定的,能量计量需要10V以上的电源,CMOS逻辑语句需要1V以下。这种缩小通常是摩尔的规律,存储每缩小一次,密度就会增加一倍。随着存储设备的缩小,GST材质的体积也在缩小,PCM也在缩放。 二、内存选择和总线概念 发送到每个设备的存储器的8条线来自哪里? 那在计算机上,一般来说,这8条线不仅连接一条内存,还连接其他部件,所以这8条线在记忆和计算机之间不是专用的,所以如果总是把一个设备连接到这8条线上,那就不好了。例如,如果这个内存单位的数字是0FFH,另一个存储单位的数字是00H,那么这条线到底是00H。岂不是非要打架看谁受伤了吗?所以我们要把它们分开。方法当然很简单。如果外部线路连接到集成电路的针脚上,则无需直接连接到每个设备,只需在中间添加一组开关即可。通常只需关闭开关,将数据写入此内存,或从内存中读取数据,打开开关即可。 这套开关由三条引线选择:读控制端、写控制端和切片选择。要将数据写入片,请先选择片,然后发送写入信号,开关将关闭,传输的数据(电荷)将写入片。要读取,首先选择片,然后发送读取信号,交换机关闭后发送数据。读写信号同时连接到不同的内存,但由于切片选择不同,有读写信号,但没有切片选择信号,所以不同的内存不会“误解”,而是打开门,造成碰撞。那么,如果在不同的时候选择两个芯片呢?如果是设计良好的系统,就不会这样。因为它不是我们的人,而是由计算控制的。如果实际上同时出现了两种拔掉的情况,那就是电路坏了。这不包括在我们的讨论中。(约翰f肯尼迪)。 那么,在高温存储中的工作原理也像通过电荷使用一样。在这里,高温环境的稳定性突破是最重要的。因为温度越高,电子越活跃,在高温下保持电荷记录并存储刻录是关键。 [b]创芯为电子[/b]主要从事各类[url=https://www.szcxwdz.com][b]电?元器件[/b][/url]的销售。提供[url=https://www.szcxwdz.com][b]BOM配单[/b][/url]服务,减少采购物料的时间成本,在售商品超60万种,原?或代理货源直供,绝对保证原装正品,并满?客??站式采购要求,当天订单,当天发货,免费供样!
[align=center][font=宋体][size=14px]认识非易失性随机存储器,自己更换仪器另类“电池”[/size][/font][/align][size=14px][font=宋体] 现在的仪器中,许多电路板上已经看不见常见的纽扣电池。前些年的部分仪器通常将非易失性时钟随机存储器用于系统通讯时的数据交换缓冲区,备份系统工作参数及存储系统实时时钟、常用数据等。当这个IC内部的锂电池失效后,系统无法通过自检,不能开机,这就需要换这个另类“电池”。[/font][font=宋体] 这个“电池”不是人们头脑里通常关于纽扣锂电池的形象,往往打开机器后,不知道它在何方。下面通过更换[color=black]安捷伦7694E顶空[/color]机内的非易失性随机存储器,来认识它。[/font][font=黑体]一、非易失性随机存储器简单常识[/font][font=宋体][color=#333333] NV SRAM[/color][/font][font=宋体][color=#333333](Non-volatile SRAM)是非易失性静态随机存取存储器。在早期(EPROM时代)的时候一些电子仪器想要保存一些数据(比如校准数据、机器设置等)是比较麻烦的事情,因为那时候没有EEPROM,也没有Flash,只有EPROM。EPROM是不可能实现IAP的。人们想出了一个办法,就是使用SRAM,在系统掉电之后由后备电池为SRAM提供电力保障数据不丢失。还有专门设计的SRAM。典型的例子就是电脑存放BIOS设置的RAM,它的保持电池是主板纽扣锂电池,缺电后,BIOS的个性化设置丢失,电脑系统时间失调,每次开机会要求重新设置。[/color][/font][font=宋体][color=#333333] 通俗地解释非易失性[/color][/font][font=宋体][back=white]存储器[/back][/font][font=宋体][color=#333333],是指仪器断电之后,所存储的数据不丢失的随机访问存储器,IC内部自带电池。[/color][/font][font=宋体][color=#333333]常见的是[/color][/font][font=宋体]DALLAS[/font][font=宋体](美国[color=black]达拉斯半导体[/color])[color=#333333]公司的DS1230Y系列。[/color][/font][/size][img=,690,453]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345148560_6868_1807987_3.jpg!w690x453.jpg[/img][size=14px][font=宋体][color=#333333] DS1230Y 256k[/color][/font][font=宋体][color=#333333]非易失NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使用、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM,符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配,可直接替换并增强其性能。还有专为表面贴装设计的小尺寸模块封装。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。使用寿命确保10年以上。[/color][/font][font=宋体]([color=black]2011[/color][color=black]年[/color]MIXIM(美信)公司[color=black]并购了达拉斯半导体公司,如果在[/color]DALLAS[color=black]的一些资料和产品上有[/color]MIXIM的logo,是正常情况)。[/font][/size][img=,690,811]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345334930_2830_1807987_3.jpg!w690x811.jpg[/img][size=14px][font=宋体]下面摘引网上[/font][font=宋体][color=#333333]DS1230[/color][/font][font=宋体]拆解图,可以看见[/font][font=宋体][color=#333333]这个[/color][/font][font=宋体]DS1230Y-100[/font][font=宋体][color=#333333]是[/color][/font][font=宋体]DALLAS[/font][font=宋体](美国[color=black]达拉斯半导体[/color])公司[/font][font=宋体][color=#333333]将超低功耗的赛普拉斯的SRAM芯片CY62256LL-70与自家的专用控制芯片DS13D12及松下的BR1632锂电池封装在一起组成的。[/color][/font][/size][img=,690,1186]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345338602_6287_1807987_3.jpg!w690x1186.jpg[/img][size=14px][font=黑体]二、更换仪器失效的非易失性随机存储器[/font][font=宋体]一台2008年购入的安捷伦7694E顶空,最近时常出现时钟混乱、自检通不过、不能开机故障。怀疑是机内记忆电池失效。[/font][/size][img=,690,516]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345341266_1166_1807987_3.jpg!w690x516.jpg[/img][size=14px][/size][align=left][size=14px][font=宋体]拔下仪器电源插头,打开侧面盖板,看见内部电路板。箭头所指位置,是2只非易失性随机存储器(非易失SRAM),用作系统时钟、参数设置、实时信号处理、部分数据备份([/font][font=宋体][color=#333333]校准数据、机器设置等[/color][/font][font=宋体])等:[/font][/size][/align][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345344205_5246_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][font=宋体][size=14px]近距离看看,两只DALLAS公司的DS1230Y-100+安装在28脚插座上。非常奇怪,这2只非易失性随机存储器的出厂时间相差7年。上面那只2007年第8周生产的IC应该是2008年购机时的原装,下面那只2000年第45周生产的DS1230Y-100,不知道来历(该仪器多年前维修过),距今近20年,应该是内部的纽扣锂电池寿终正寝了:[/size][/font][img=,690,516]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345347850_7648_1807987_3.jpg!w690x516.jpg[/img][font=宋体][size=14px]下面是新购的两只DS1230Y-100+,2016年第13周生产:[/size][/font][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345349979_84_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][size=14px][/size][font=宋体][size=14px]更换很简单。将旧的IC拔下,将新的IC插到位就可以。装还原,开机,通过自检,进行初始化设置后,显示“READY”,仪器处于就绪状态:[/size][/font][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345351913_1258_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][size=14px][/size][size=14px][font=黑体]结束语:[/font][font=宋体]当仪器开机出现自检不过,日期乱跳,以前设置的参数混乱,屏显数据异常等现象,如果购机时间较长(10年左右),平时封存停运时间多,应该考虑机内的非易失性随机存储器失效问题(有的仪器设计专用非易失性时钟随机存储器,只是出现系统时间混乱),开机检查一下这类IC,有无松动接触不良问题,插拔两次。如果排除接触不良问题,应考虑更换新的同型号IC。[/font][/size]
水质监测用那种在线的[url=https://www.hach.com.cn/product/orbisphere410]智能数字控制器[/url]连接电极,监测数据是能存储到控制器然后通过u盘给导出来吧?这种控制器,可以操作存储数据的存储次数和间隔嘛?比如我想一个小时存储几次之类的。